可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法，其一覆晶式发光二极管封装结构包含有一第一基板、一第一导电组件、一第二导电组件、一抗突波保护层与一发光二极管芯片；制造方法中，首先形成第一基板，接着形成第一导电组件与第二导电组件于第一基板上，然后形成抗突波保护层于第一基板上，且覆盖部分的第一导电组件与第二导电组件，最后利用第一导电组件与第二导电组件接合发光二极管芯片。当发光二极管芯片的偏压电压超过门坎电压时，将让第一导电组件、抗突波保护层与第二导电组件产生电流旁路，以消除突波与静电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管结构及其制备方法，特别是涉及一种可消除突波与静 电的覆晶式发光二极管及其制造方法。
技术介绍
现今发光二极管(Light Emitting Diode, LED)的研发技术渐趋纯熟，且因发光 二极管工作电压小及体积小，所以发光二极管为现今光电产业中需求大的一种光电组件， 其可运用于电灯照明、携带式照明用具的光源与背光模块，其中又以研发背光模块最为热 门。为了在封装制程可以尽可能缩小发光二极管封装结构所占用的单位体积，于是乎光电 产业发展出一种覆晶式发光二极管封装结构，以达到减少占用的单位面积，且发光效能更 好。然而公知覆晶式发光二极管封装结构仅设置一齐纳二极管于载具的结构中，以避免静 电的影响，如此于静电保护上仍然不足以对覆晶式发光二极管封装结构提供完善的静电保 护效能。图1是公知具覆晶结构的发光二极管装置的结构示意图。如图所示，公知具覆晶 结构的发光二极管装置见于专利技术人「王见仁、张乃文、王伟任等人」于「翔成光电股份有限 公司」所专利技术的中国台湾专利技术专利，其中专利证书号为「1237410」，为「具有覆晶 结构的发光二极管装置」。公知覆晶式发光二极管包含一绝缘基板10、一第一导电组件11、 一第二导电组件12与一发光二极管芯片20。绝缘基板10包含有一第一侧端13、一第二侧 端14、一上表面15、一下表面16、一 P型电极层17及一 N型电极层18，P型电极层17设置 于绝缘基板10的第一侧13，N型电极层18设置于绝缘基板10的第二侧14，且前述两者电 极层分别延伸至绝缘基板10的上表面15与下表面16的一部分，以让P型电极层17与N 型电极层18分别外接电源。第一导电组件11设置于P型电极层17之上，以及第二导电组件12设置于N型电 极层18之上，以用于连接发光二极管芯片20。且发光二极管芯片20设置有一 P型电极21 与一 N型电极22，以让发光二极管芯片20经由P型电极21，连接第一导电组件11，以及经 由N型电极22，连接第二导电组件12。发光二极管芯片20经由P型电极21与第一导电组 件11，以与P型电极层17电气相接，以及经由N型电极22与第二导电组件12，以与N型电 极层18电气相接。如此公知覆晶式发光二极管通过由第一导电组件11与第二导电组件 12，取代传统的金属打线方式，以让电极外接电源，进一步省略打线步骤而降低成本。另一公知技术为专利技术人「赖穆人先生」于「炬鑫科技股份有限公司」所专利技术的中国 台湾专利，其专利证书号为「M273822」，为「具防静电的无导线覆晶式封装的表 面黏着型发光二极管」。其中保护电路用于保护覆晶式发光二极管，以避免静电所产生的瞬 间电压影响发光二极管芯片，但保护电路使覆晶式发光二极管的体积增加，而随着体积的 增加亦相对地增加覆晶式发光二极管的制造成本。因此，需开发一种，以更有 效地消除静电放电的影响，及有效地消除突波而避免突波干扰发光二极管芯片，以及减少保护电路所占用的体积。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管 及其制造方法，通过设置一抗突波保护层于覆晶发光二极管封装结构，以用于消除突波与 静电对发光二极管芯片的影响，并减少保护电路的体积与成本。为解决上述技术问题，本专利技术的一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管是一 具覆晶式发光二极管，包含有一第一基板；一第一导电组件，设置于该第一基板之上；一 第二导电组件，设置于该第一基板之上；一抗突波保护层，设置于部分该第一基板之上，且 连接该第一导电元件或该第二导电组件；及一发光二极管芯片，设置一第一接合面与一第 二接合面，且该第一接合面连接该第一导电组件，以及该第二接合面连接该第二导电组件。 本专利技术的覆晶式发光二极管还可设置一反射层或一绝缘层于第一基板与抗突波保护层之 间。若发光二极管芯片的偏压电压超过门坎电压，则驱使抗突波保护层产生一电流旁路，以 导致第一导电组件、抗突波保护层与第二导电组件，形成一消除突波与静电的电回路。本专利技术的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管的制造方法，步骤包括先形成 一第一基板，接着形成抗突波保护层，然后形成第一导电组件与第二导电组件，最后接合发 光二极管芯片。其中，抗突波保护层于部分该第一基板之上，一第一导电组件与一第二导电 组件于该第一基板之上，且该抗突波保护层分别连接该第一导电组件与该第二导电组件， 一发光二极管芯片于该抗突波保护层的上方，并使该发光二极管芯片的一第一接合面与一 第二接合面垂直向下，以连接该第一导电组件与该第二导电组件，最后形成一覆晶式发光 二极管。所述抗突波保护层还可被部分该第一导电组件、部份该第二导电组件或上述的组合所覆盖。所述形成该抗突波保护层的方法可为化学气相磊晶法(Chemical Vapor Deposition, CVD)、有机金属化学气相磊晶法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, M0CVD)、畠〒 ±曾 U f ^(才目胃曰$ 夕去(Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition，PECVD)、溅镀法(Sputter)、电子枪蒸镀法(Electron Gun Evaporation)或热 PJeL^HIJS^ (Thermal Evaporation)。另外，本专利技术的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管的制造方法，步骤还可包 括形成一反射层、一绝缘层或上述的组合，以设置于第一基板与抗突波保护层之间，如具体 可以为形成一第一基板的步骤后，还包含一步骤，其形成一绝缘层于该第一基板之中，且 该绝缘层用于驱使该第一导电组件与该第二导电组件绝缘；形成一第一基板的步骤后，还 包含一步骤，其形成一反射层于该第一基板之上；形成一反射层于该第一基板之上的步骤 后，还包含一步骤，其形成一绝缘层于部分该反射层之上。由于采用上述结构，本专利技术可以更有效地消除静电放电的影响，及有效地消除突 波而避免突波干扰发光二极管芯片，以及减少保护电路所占用的体积与成本。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明6图1是公知具覆晶结构的发光二极管装置的结构示意图；图2是本专利技术的一较佳实施例的结构示意图；图3是图2的电流路径的示意图；图4A是本专利技术的一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图4B是本专利技术的一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图4C是本专利技术的一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图4D是本专利技术的一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图4E是本专利技术的一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图4F是本专利技术的一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图5是本专利技术的另一较佳实施例的结构示意图；图6是本专利技术的另一较佳实施例的结构示意图；图7A是本专利技术的一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图7B是本专利技术的一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图7C是本专利技术的一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图7D是本专利技术的一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图7E是本专利技术的一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图7F是本专利技术的一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图8是本专利技术的另一较佳实施例的结构示意图；图9A是本专利技术的另一较佳实施例的部分实施步骤的示意图；图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：包含有：一第一基板；一第一导电组件，设置于该第一基板之上；一第二导电组件，设置于该第一基板之上；一抗突波保护层，设置于部分该第一基板之上，且连接该第一导电元件或该第二导电组件；及一发光二极管芯片，设置一第一接合面与一第二接合面，且该第一接合面连接该第一导电组件，以及该第二接合面连接该第二导电组件；其中，当该发光二极管芯片的偏压电压超过门坎电压，则促使该第一导电组件、该第二导电组件与该抗突波保护层形成电性连接以消除突波与静电。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国钦，潘锡明，杨志伟，简奉任，
申请(专利权)人：山东璨圆光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：37[中国|山东]