半导体制造方法及设备技术

一种半导体制造方法及设备，半导体制造方法包括：测量半导体制造设备中的振动等级；决定半导体制造设备中以大于一预设振动等级的等级振动的一或多个区块；以及通过将一或多个重块耦接至一或多个区块中半导体制造设备的一外表面，减少一或多个区块的振动等级，以在预设振动等级或以内。预设振动等级或以内。预设振动等级或以内。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造方法及设备


[0001]本公开实施例涉及一种半导体制造方法及设备，尤其涉及一种减少振动的半导体制造方法及设备。

技术介绍

[0002]随着半导体芯片向更小的纳米尺寸发展，在制造设施设计和操作中更需要隔离不需要的振动频率。低频振动可能会影响生产工具，从而降低半导体制造中的生产良率。来自制造和设计问题的挑战导致了三维设计的发展，例如多栅极场效晶体管(field effect transistor，FET)，包括鳍式场效晶体管(Fin FET)和栅极全环(gate
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all
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around，GAA)场效晶体管。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一方式，一种减少振动的方法包括：测量半导体制造设备中的振动等级；决定半导体制造设备中以大于一预设振动等级的等级振动的一或多个区块；以及通过将一或多个重块耦接至一或多个区块中半导体制造设备的一外表面，减少一或多个区块的振动等级，以在预设振动等级或以内。
[0004]根据本公开的另一方式，一种减少振动的方法包括：将一第一重块附接至一半导体制造设备的一第一外表面；将一第二重块附接至半导体制造设备的一第二外表面，第二外表面与第一外表面相对；测量半导体制造设备具有第一重块及第二重块的部分中的振动等级；以及当振动等级大于一预设等级时，增加第一重块及第二重块。
[0005]根据本公开的另一方式，一种半导体制造设备包括：一第一侧向壁、与第一侧向壁相对的一第二侧向壁以及一或多个重块。一或多个重块附接至第一侧向壁及第二侧向壁，其中重块附接在半导体制造设备上的多个地点，在上述地点处最大程度地减少半导体制造设备的振动。
附图说明
[0006]根据以下的详细说明并配合所附附图做完整公开。应被强调的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制且仅用于示出目的。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。
[0007]图1示出根据本公开的一些实施例的一半导体制造设备，包括附接至半导体制造设备的多个重块(或质量块)。
[0008]图2示出根据本公开的一些实施例，图1中一重块的主视图。
[0009]图3A示出根据本公开的一些实施例，图1中半导体制造设备上多个重块的范例排列。
[0010]图3B示出图1中重块的尺寸。
[0011]图4示出图1的半导体制造设备放置在抑振平台上。
[0012]图5为根据本公开的一些实施例，示出半导体处理设施中振动减少的图表，半导体处理设施具有与其附接的数个不同值的重块。
[0013]图6为根据本公开的一些实施例，减少半导体制造设备中振动的方法的流程图。
[0014]图7为根据本公开的一些实施例，减少半导体制造设备中振动的方法的流程图。
[0015]附图标记如下：
[0016]100:半导体制造设备
[0017]101
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1:侧向壁
[0018]101
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2:侧向壁
[0019]101
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3:侧向壁
[0020]101
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4:侧向壁
[0021]102:重块
[0022]102
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1:重块
[0023]102
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2:重块
[0024]102
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3:重块
[0025]102
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4:重块
[0026]105:图形使用者界面
[0027]107:附接部分
[0028]111:水平部
[0029]113:垂直部
[0030]115:互连部
[0031]151:延伸部
[0032]181:抑振平台
[0033]185:地面
[0034]187:上表面
[0035]600:方法
[0036]700:方法
[0037]H:距离(高度)
[0038]L:长度
[0039]L1:长度
[0040]L2:长度
[0041]L3:长度
[0042]S610:操作
[0043]S620:操作
[0044]S630:操作
[0045]S710:操作
[0046]S720:操作
[0047]S730:操作
[0048]S740:操作
[0049]W:宽度
[0050]W1:宽度
[0051]W2:宽度(距离)
[0052]W3:宽度
具体实施方式
[0053]以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本专利技术的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，元件的尺寸不限于所公开的范围或数值，而可视工艺条件及/或装置的所需性质而定。此外，若是本公开书叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。为了简化及明确目的，各种特征可用不同的比例任意地绘制。
[0054]此外，与空间相关用词，例如“在
…
下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位外，这些空间相关用词意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关词也可依此相同解释。此外，用语“由
…
制成”可表示“包括”或“由
…
组成”。除非另外阐明，在本公开中，片语“A、B及C其中一者”表示“A、B及/或C”(A、B、C、A及B、A及C、B及C、或A及B及C)，并不表示A的一元件、B的一元件以及C的一元件。
[0055]随着半导体工业已经发展到纳米技术工艺节点以追求更高的装置密度、更高的性能和更低的成本，减轻影响半导体制造设备的振动的振动控制已经变得重要。低频振动可能会影响生产工具，例如光刻工具、薄膜沉积工具、熔炉设备，从而降低半导体制造中的生产良率。由于人员经过设备或操作设备、摆动泵、压缩机、冷却器和空气处理装置(air handling units，AHUs)所造成的人流或地震、龙卷风或飓风等自然现象，会产生通过建筑物和清洁室的地板结构传播的低振动频率。振动会影响正在制造的半导体装置的品质。例如，在薄膜沉积工艺中，薄膜粒子不仅沉积在半导体基板上，还沉积在承载晶片的晶舟(wafer boat)和腔室的侧壁上。当设备发生振动/晃动时，沉积在晶舟和腔室侧壁上的薄膜粒子可能会掉落到晶片上，从而导致缺陷，例如凹坑、凸块、线缺陷等。
[0056]本公开的实施例涉及半导体制造设备和类似的高精度处理设备，并且更具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造方法，包括：测量半导体制造设备中的振动等级；决定该半导体制造设备中以大于一预设振动等级的等级振动的一或多个区块；以及通过将一或多个重块耦接至该一或多个区块中该半导体制造设备的一外表面，减少该一或多个区块的振动等级，以在该预设振动等级或以内。2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中多个重块耦接至该半导体制造设备，多个所述重块耦接至该半导体制造设备相对的多个侧向壁，且每一重块与另一重块相对地耦接。3.如权利要求1所述的半导体制造方法，还包括：通过将附加的多个重块耦接至已耦接至该半导体制造设备的多个所述重块，增加附接至该半导体制造设备的一总重块量。4.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该半导体制造设备放置在一抑振平台上，该抑振平台放置在一地面表面上，且该方法包括：将该一或多个重块耦接在该半导体制造设备的一基部以及该抑振平台的一上表面之间。5.一种半导体制造方法，包括：将一第一重块附接至一半导体制造设备的一第一外表面；将一第二重块附接至该半导体制造设备的一第二外表面，该第二外表面与该第一外表面相对；测量该半导体制造设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：何宜臻，廖志评，林建廷，杨杰颖，王伟民，廖克勋，林季勋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：