一种MiniLED芯片的制备方法技术

本发明专利技术涉及到一种Mini LED芯片的制备方法，包括ITO透明基板，电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层、P电极和N电极。本发明专利技术专利致力于微型显示器件，通过喷墨打印技术制备Mini LED芯片，精确调控各发光单元的间距，无需进行切割分离，直接对接PCB板，大大的简化了制备工艺。简化了制备工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种MiniLED芯片的制备方法


[0001]本专利技术属于Mini LED芯片领域，涉及到一种Mini LED芯片的制备方法。
技术背景
[0002]在光电显示领域中，量子点显示因其宽的光谱可调性、窄的半峰全宽(FWHM)、高的色纯度等优异的性能而倍受科学家们的关注。近期，韩国三星集团已经量产了QD
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OLED显示屏，标志着量子点显示并被认为是下一代显示技术极为突出的候选者。
[0003]随着智能化电器的发展，越来越多的微型电子产品进入大家的生活，Mini
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LED显示屏在人们的日常生活中的需求也越来越大，例如：穿戴手环、室内微电子用品等。但是，LED芯片的巨量转移和焊接，一直是困扰Mini
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LED大量生产的难题。巨量的LED芯片的精确转移、焊接过程的虚焊、芯片焊接后的高度一致性等问题，对Mini
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LED的后期制作和工作效率有着极大的影响。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种MiniLED芯片的制备方法，精确调控各发光单元的间距，无需进行切割分离，直接对接PCB板，大大的简化了制备工艺。
[0005]为现有技术的缺点和不足之处，本专利技术提供一种Mini LED芯片的制备方法，包括ITO透明基板，电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层、P电极和N电极。
[0006]可选的，所述电子传输层，具体可谓氧化锌，溶剂可为乙醇、异丙醇等，利用喷墨打印技术打印在ITO之上，其形状大小和单元点之间的间距，可以根据需要精确调控，厚度40nm
‑
80nm。
[0007]可选的，所述量子点发光层，可以是镉基量子点、磷化铟量子点、钙钛矿量子点等，利用喷墨打印技术打印在氧化锌之上，其形状大小和单元点之间的间距与氧化锌层相同，厚度15nm
‑
40nm。
[0008]可选的，所述空穴传输层，可以为有机聚合物，具体为4,4',4
”‑ꢀ
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺、聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
CO
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)二苯胺)、聚 [双(4
‑
苯基)(4
‑
丁基苯基)胺]等，利用喷墨打印技术打印在量子点发光层之上，其形状大小和单元点之间的间距与量子点发光层相同，厚度 30nm
‑
80nm。
[0009]可选的，所述空穴注入层，可以为聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、或聚对苯乙炔薄膜、或无机氧化物材料，最佳实施材料可以是氧化钼，溶剂可为乙醇、异丙醇等，利用喷墨打印技术打印在空穴传输层之上，其形状大小和单元点之间的间距与空穴传输层相同，厚度5nm
‑
15 nm。。
[0010]可选的，所述上N电极和P电极，可以为金属导电材料，最佳实施材料可以是银，利用喷墨打印技术分别打印在ITO上和空穴注入层上打印N电极和P电极，厚度100μm
‑
500μm。
[0011]可选的，所述P电极，完全覆盖发光区且略大于发光区，避免各发光单元串光，且在
边缘延伸出一部分；所述N电极，在ITO上打印，且不与P电极和其他功能层相连，其溶剂为二乙二醇丁醚醋酸酯、二甘醇乙醚醋酸酯、异佛尔酮等。
[0012]可选的，所述量子点发光层，包括红光、绿光、蓝光三色，其溶剂一般为甲苯、二甲苯、氯苯等。
[0013]可选的，所述空穴传输层，溶剂可为氯苯、二甲基亚砜、二甲基乙酰胺等。
[0014]可选的，将芯片功能层用包封胶进行包封，完全覆盖电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层，部分覆盖P电极，N电极和P电极延伸部分裸露，以便连接PCB板电极；所述包封胶为透光的热固性材料及紫外固化材料中的一种进行粘合，具体可为环氧树脂a、有机硅树脂。
[0015]如上所述，本专利技术还提供一种Mini LED芯片的制备方法，具有以下有益效果:
[0016]量子点LED拥有更强的色域和更高的色纯度；此外，精确调控各发光单元的间距，无需进行切割分离，直接对接PCB板，大大的简化了制备工艺。
[0017]本专利技术具有较高的生产制造效率以及较低的生产成本，在显示屏制造设计领域具有广泛的应用前景。
附图说明
[0018]元件标号说明
[0019]001
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ITO基板
[0020]002
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氧化锌
[0021]003
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量子点发光层
[0022]004
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空穴传输层
[0023]005
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电子传输层
[0024]006
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N电极
[0025]007
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P电极
[0026]008
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包封层
[0027]图1是在基板上制备氧化锌膜。
[0028]图2是为制备发光层。
[0029]图3是单元结构的截面图。
[0030]图4是制备完成电极俯视图。
[0031]图5是完成封装示意图。
具体实施方式
[0032]本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0033]实例一
[0034]本实施例提供一种Mini LED芯片的制备方法，具体步骤如下：
[0035]如图1所示，采用喷墨打印技术将30mg/ml的溶液打印在ITO 基板001上，真空退火20min成膜，之后在氧化锌002薄膜上打印浓度为20mg/ml的量子点发光层003，溶剂为正辛
烷，打印完成后真空退火20min，可以是单色，也可以是三色交替，如图2所示。如此操作依次打印空穴传输层004和空穴注入层005，空穴传输层为10 mg/ml的聚[双(4
‑
苯基)(4
‑
丁基苯基)胺]，溶剂为二甲基亚砜，空穴注入层为1mg/ml的氧化钼溶剂为乙醇，打印完成后，此时的单元结构的截面图如图3所示。
[0036]最后，打印N电极006和P电极007，电极材料为分散在二甘醇乙醚醋酸酯中的5mg/ml的银浆，先对P电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Mini LED芯片的制备方法，其特征在于，包括ITO透明基板，电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层、P电极和N电极。2.根据权利要求1所述的一种MiniLED芯片的制备方法，其特征在于：所述电子传输层，具体可谓氧化锌，溶剂可为乙醇、异丙醇等，利用喷墨打印技术打印在ITO之上，其形状大小和单元点之间的间距，可以根据需要精确调控，厚度40nm
‑
80nm。3.根据权利要求1所述的一种MiniLED芯片的制备方法，其特征在于：所述量子点发光层，可以是镉基量子点、磷化铟量子点、钙钛矿量子点等，利用喷墨打印技术打印在氧化锌之上，其形状大小和单元点之间的间距与氧化锌层相同，厚度15nm
‑
40nm。4.根据权利要求1所述的一种MiniLED芯片的制备方法，其特征在于：所述空穴传输层，可以为有机聚合物，具体为4,4',4
”‑
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺、聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
CO
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)二苯胺)、聚[双(4
‑
苯基)(4
‑
丁基苯基)胺]等，利用喷墨打印技术打印在量子点发光层之上，其形状大小和单元点之间的间距与量子点发光层相同，厚度30nm
‑
80nm。5.根据权利要求1所述的一种MiniLED芯片的制备方法，其特征在于：所述空穴注入...

【专利技术属性】
技术研发人员：许伟，肖俊林，
申请(专利权)人：广州彩屏显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：