层叠薄膜、第2层叠薄膜的制造方法和应变传感器的制造方法技术

层叠薄膜沿厚度方向依次具备绝缘性的基材树脂薄膜和电阻层。电阻层包含氮化铬。电阻层的电阻温度系数为

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠薄膜、第2层叠薄膜的制造方法和应变传感器的制造方法


[0001]本专利技术涉及层叠薄膜、第2层叠薄膜的制造方法和应变传感器的制造方法，详细地涉及：层叠薄膜、使用该层叠薄膜的第2层叠薄膜的制造方法、使用该层叠薄膜的应变传感器的制造方法。

技术介绍

[0002]以往已知有：具备绝缘性基板、和配置于其表面的经图案化的Cr
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N薄膜的应变传感器(例如参照下述专利文献1。)。
[0003]专利文献1中，首先，在绝缘性基板的表面形成Cr
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N薄膜，制作薄膜层叠薄膜，之后，以300℃进行热处理，将Cr
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N薄膜图案化，制造应变传感器。专利文献1中，通过300℃的热处理，减小Cr
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N薄膜的电阻温度系数(TCR)的绝对值，使应变传感器的稳定性良好。
[0004]另外，作为耐受上述高温的热处理的绝缘性基板，使用了硬质的硅基板。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2015
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31633号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]因而，根据用途和目的，有时使用由耐热性低的树脂形成的基材。然而，无法对由这种树脂形成的基材在上述温度下进行热处理，有时无法减小电阻温度系数的绝对值。
[0010]本专利技术提供：在低温下进行加热也可以形成电阻温度系数的绝对值低的电阻层的层叠薄膜、使用该层叠薄膜的第2层叠薄膜的制造方法和使用该层叠薄膜的应变传感器的制造方法。
[0011]用于解决问题的方案
[0012]本专利技术[1]为一种层叠薄膜，其沿厚度方向依次具备绝缘性的基材树脂薄膜和电阻层，前述电阻层包含氮化铬，前述电阻层的电阻温度系数为
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400ppm/℃以上且
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200ppm/℃以下。
[0013]本专利技术[2]包含上述[1]所述的层叠薄膜，其中，前述电阻层具有体心立方晶格结构。
[0014]本专利技术[3]包含上述[1]或[2]所述的层叠薄膜，其中，前述电阻层不具有A15型结构。
[0015]本专利技术[4]包含上述[1]～[3]中任一项所述的层叠薄膜，其中，前述氮化铬中，相对于铬原子100摩尔份的氮原子的摩尔份为3.0摩尔份以上且低于9摩尔份。
[0016]本专利技术[5]包含上述[1]～[4]中任一项所述的层叠薄膜，其中，前述电阻层的厚度为10nm以上且150nm以下。
[0017]本专利技术[6]包含上述[1]～[5]中任一项所述的层叠薄膜，其中，前述基材树脂薄膜
的厚度为10μm以上且200μm以下。
[0018]本专利技术[7]包含上述[1]～[6]中任一项所述的层叠薄膜，其中，前述基材树脂薄膜的材料为聚酰亚胺。
[0019]本专利技术[8]包含第2层叠薄膜的制造方法，其具备如下工序：准备工序，准备上述[1]～[7]中任一项所述的层叠薄膜；和，加热工序，将前述层叠薄膜以200℃以下进行加热。
[0020]本专利技术[9]包含上述[8]所述的第2层叠薄膜的制造方法，其中，前述加热工序中，使加热后的前述电阻层的电阻温度系数为
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100ppm/℃以上且100ppm/℃以下。
[0021]本专利技术[10]包含应变传感器的制造方法，其具备如下工序：准备工序，准备上述[1]～[7]中任一项所述的层叠薄膜；加热工序，将前述层叠薄膜以200℃以下进行加热；和，图案化工序，将前述层叠薄膜中的前述电阻层图案化。
[0022]专利技术的效果
[0023]本专利技术的层叠薄膜具备具有规定的电阻温度系数的电阻层。因此，在低温下将该层叠薄膜进行加热也可以形成电阻温度系数的绝对值低的电阻层。
[0024]本专利技术的第2层叠薄膜的制造方法使用本专利技术的层叠薄膜来制造第2层叠薄膜。因此，在低温下进行加热也可以形成电阻温度系数的绝对值低的电阻层。
[0025]本专利技术的应变传感器的制造方法使用本专利技术的层叠薄膜来制造应变传感器。因此，可以得到稳定性优异的应变传感器。
附图说明
[0026]图1为本专利技术的层叠薄膜的一实施方式的剖视图。
[0027]图2A和图2B为将图1所示的电阻层图案化的应变传感器，图2A为剖视图、图2B为俯视图。
具体实施方式
[0028]参照图1～图2B，对本专利技术的层叠薄膜和应变传感器的一实施方式进行说明。
[0029][层叠薄膜][0030]层叠薄膜1用于后述的第2层叠薄膜和后述的应变传感器15(图2A～图2B参照)的制造。
[0031]该层叠薄膜1作为第2层叠薄膜和应变传感器15的前体单独流通。
[0032]该层叠薄膜1具有沿与厚度方向正交的面方向延伸的平板形状。具体而言，层叠薄膜1沿厚度方向一侧依次具备：基材树脂薄膜2和电阻层3。具体而言，层叠薄膜1具备：基材树脂薄膜2、和配置于基材树脂薄膜2的一个面的电阻层3。
[0033][基材树脂薄膜][0034]基材树脂薄膜2为绝缘性。基材树脂薄膜2形成层叠薄膜1的厚度方向另一个面。基材树脂薄膜2具有沿面方向延伸的平板形状。
[0035]作为基材树脂薄膜的材料，例如可以举出聚酰亚胺、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂。作为基材树脂薄膜2的材料，优选可以举出聚酰亚胺。基材树脂薄膜2如果为聚酰亚胺，则可以加热至200℃。
[0036]基材树脂薄膜2的线膨胀系数例如为30ppm/℃以下、优选15ppm/℃以下。
[0037]基材树脂薄膜2的厚度没有特别限定，例如为2μm以上，从抑制褶皱的发生的观点出发，优选10μm以上、更优选20μm以上，另外，例如为500μm以下、优选300μm以下，从以辊对辊输送的观点出发，更优选200μm以下。
[0038]可以对基材树脂薄膜2的厚度方向一个面实施例如电晕放电处理、紫外线照射处理、等离子体处理、溅射蚀刻处理等处理以改善与电阻层3的密合性。
[0039]需要说明的是，层叠薄膜1中的基材树脂薄膜2的数量没有特别限定，优选1。
[0040][电阻层][0041]电阻层3是在由层叠薄膜1制造应变传感器15(参照图2A～图2B)时被加热另外经图案化的层。
[0042]电阻层3配置于基材树脂薄膜2的厚度方向一个面。电阻层3形成层叠薄膜1的厚度方向一个面。具体而言，电阻层3与基材树脂薄膜2的厚度方向一个面的全部接触。
[0043]电阻层3包含氮化铬。具体而言，电阻层3的材料含有氮化铬作为主成分。另一方面，电阻层3的材料中例如允许混入不可避免的杂质。电阻层3中的不可避免的杂质的比例例如为1原子％以下、优选0.1原子％以下、更优选0.05原子％以下。优选电阻层3由氮化铬组成。
[0044]氮化铬中，相对于铬原子100摩尔份的氮原子的摩尔份例如为3.0摩尔份以上、优选3.5摩尔份以上，另外，例如为10摩尔份以下、优选低于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种层叠薄膜，其沿厚度方向依次具备绝缘性的基材树脂薄膜和电阻层，所述电阻层包含氮化铬，所述电阻层的电阻温度系数为
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400ppm/℃以上且
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200ppm/℃以下。2.根据权利要求1所述的层叠薄膜，其特征在于，所述电阻层具有体心立方晶格结构。3.根据权利要求1或2所述的层叠薄膜，其特征在于，所述电阻层不具有A15型结构。4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠薄膜，其特征在于，所述氮化铬中，相对于铬原子100摩尔份的氮原子的摩尔份为3.0摩尔份以上且低于9摩尔份。5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠薄膜，其特征在于，所述电阻层的厚度为10nm以上且150nm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠薄膜，其特征在于，所述基材树脂薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：西森才将，中岛一裕，梨木智刚，丹羽英二，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：