一种传感器芯片的封装方法和封装结构技术

本发明专利技术公开了一种传感器芯片的封装方法和封装结构，该传感器芯片的封装方法，包括：提供基板，基板包括相对设置的第一表面和第二表面；在第一表面制备凹槽结构和第一连接结构，凹槽结构贯穿部分基板；在凹槽结构内至少贴附传感器芯片，传感器芯片包括芯片衬底以及位于芯片衬底一侧的传感结构和连接电极；连接电极和第一连接结构电连接；在基板的第一表面一侧对基板和传感器芯片进行封装制备封装层；在基板的第二表面一侧对基板和芯片衬底进行减薄，减薄后的芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm。采用本发明专利技术提供的封装方法，可以同时将基板和传感器芯片进一步减薄，使得封装后的结构厚度大大降低，适配客户的需求范围更加广泛。适配客户的需求范围更加广泛。适配客户的需求范围更加广泛。

【技术实现步骤摘要】
一种传感器芯片的封装方法和封装结构


[0001]本专利技术涉及芯片封装的
，尤其涉及一种传感器芯片的封装方法和封装结构。

技术介绍

[0002]目前芯片的封装技术是将传感器芯片贴附在基板表面完成封装。但是采用贴片技术在基板上封装的方法，会因传感器芯片和基板的厚度均有对应的要求，进而导致封装后的产品尺寸厚度过大的问题。
[0003]所以芯片的封装在厚度上和尺寸上均做到轻薄和小巧，仍是现在的主流问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种传感器芯片的封装方法和封装结构，以解决传感器芯片封装后的结构整体厚度大大降低，提升适配客户的需求范围。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种传感器芯片的封装方法，包括：提供基板，所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面；在所述第一表面制备凹槽结构和第一连接结构，所述凹槽结构贯穿部分所述基板；在所述凹槽结构内至少贴附传感器芯片，所述传感器芯片包括芯片衬底以及位于所述芯片衬底一侧的传感结构和连接电极；所述连接电极和所述第一连接结构电连接；在所述基板的第一表面一侧对所述基板和所述传感器芯片进行封装制备封装层；在所述基板的第二表面一侧对所述基板和所述芯片衬底进行减薄，减薄后的所述芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm。
[0006]根据本专利技术的另一方面，提供了一种传感器芯片的封装结构，采用第一方面任一项所述的封装方法制备得到，所述封装结构包括：基板减薄结构，所述基板减薄结构包括开口且所述基板减薄结构表面设置有第一连接结构；所述开口贯穿所述基板减薄结构；传感器芯片，位于所述开口内；所述传感器芯片包括芯片衬底、位于所述芯片衬底一侧的传感结构和连接电极；所述连接电极与所述第一连接结构电连接；所述芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm；透光盖板，位于所述传感器芯片一侧，且所述透光盖板与所述传感结构交叠；封装结构，覆盖所述基板减薄结构且至少围绕所述传感器芯片。
[0007]本专利技术实施例的传感器芯片的封装方法，包括：首先提供基板；进一步的在第一表面制备凹槽结构和第一连接结构；再在凹槽结构内至少贴附传感器芯片；再在基板的第一表面一侧对基板和传感器芯片进行封装制备封装层；最后再在基板的第二表面一侧对基板和芯片衬底进行减薄，并且减薄后的芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm。通过上述的封装方法，可以同时将基板和传感器芯片进一步减薄，使得传感器芯片在封装后的整体结构
厚度大大降低，适配客户的需求范围更加广泛。
[0008]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0009]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1是本专利技术实施例提供的一种传感器芯片的封装方法的流程图；图2是本专利技术实施例提供的一种传感器芯片的封装过程示意图；图3是本专利技术实施例提供的另一种传感器芯片的封装方法的流程图；图4是本专利技术实施例提供的另一种传感器芯片的封装过程示意图；图5是本专利技术实施例提供的另一种传感器芯片的封装方法的流程图；图6是本专利技术实施例提供的另一种传感器芯片的封装过程示意图；图7是本专利技术实施例提供的种透光盖板母板的俯视示意图；图8是本专利技术实施例提供的种传感器晶圆的俯视示意图；图9是本专利技术实施例提供的另一种传感器芯片的封装方法的流程图；图10是本专利技术实施例提供的另一种传感器芯片的封装过程示意图；图11是本专利技术实施例提供的一种封装结构的示意图；图12是本专利技术实施例提供的另一种封装结构的示意图。
具体实施方式
[0011]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0012]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0013]图1是本专利技术实施例提供的一种传感器芯片的封装方法的流程图，图2是本专利技术实施例提供的一种传感器芯片的封装过程示意图，本实施例可适用于芯片封装的情况，该方法可以由封装的装置来执行，该封装的装置可以采用硬件和/或软件的形式实现。如图1所示，该方法包括：
S110、提供基板。
[0014]其中，基板可以是圆形也可以是其他形状，本专利技术实施例对基板的形状不进行具体限定。进一步的，基板的材质可以是硅、碳化硅等半导体材料或者玻璃类的有机和无机材料，本专利技术实施例对基板的材质也不进行具体的限定。
[0015]示例性的，参考图2所示，在图2中的步骤a中，基板100包括第一表面101和第二表面102，其中第一表面101可以认为是基板100的上表面，第二表面102可以认为是基板100的下表面。并且后续在第一表面101处贴合传感器芯片并且进行封装等。
[0016]S120、在第一表面制备凹槽结构和第一连接结构。
[0017]其中，在基板的第一表面制备凹槽结构和第一连接结构，凹槽结构是在基板的第一表面侧进行开槽，用于后续与传感器芯片进行贴合的区域。示例性的，参考图2，在图2中的步骤b中，在基板100的第一表面101处设置凹槽结构103，并且凹槽结构103贯穿部分基板100，保证后续贴合的传感器芯片可以被基板所围绕。
[0018]进一步的，在基板的第一表面还制备第一连接结构，其中第一连接结构可以认为是打线焊盘，通过设置第一连接结构便于基板与后续贴合的传感器芯片实现电连接。示例性的，参考图2，在图2中的步骤b，在基板100的第一表面101处设置第一连接结构104，第一连接结构104可以是金属连接处或金属焊盘。
[0019]S130、在凹槽结构内至少贴附传感器芯片。
[0020]具体的，将传感器芯片贴附在基板的凹槽结构内，即基板的凹槽结构为传感器芯片提供放置空间。示例性的，参考图2，在图2中的步骤c中，凹槽结构103中贴附的结构至少包括传感器芯片200。传感器芯片200包括芯片衬底210、传感结构220和连接电极230，其中传感本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种传感器芯片的封装方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面；在所述第一表面制备凹槽结构和第一连接结构，所述凹槽结构贯穿部分所述基板；在所述凹槽结构内至少贴附传感器芯片，所述传感器芯片包括芯片衬底以及位于所述芯片衬底一侧的传感结构和连接电极；所述连接电极和所述第一连接结构电连接；在所述基板的第一表面一侧对所述基板和所述传感器芯片进行封装制备封装层；在所述基板的第二表面一侧对所述基板和所述芯片衬底进行减薄，减薄后的所述芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述第一表面制备凹槽结构和第一连接结构之前，还包括：在所述第一表面制备导通孔，所述导通孔贯穿部分所述基板；在所述导通孔内制备导通结构，所述导通结构与所述第一连接结构电连接；且所述导通结构靠近所述第二表面的端部与所述第一表面之间的距离为L1，减薄后的所述芯片衬底靠近所述第二表面的表面与所述第一表面之间的距离为L2，其中，5μm≤L1
‑
L2≤100μm。3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在所述基板的第二表面一侧对所述基板和所述传感器芯片进行减薄之后，还包括：在所述第二表面一侧制备第二连接结构和散热结构，所述第二连接结构与所述导通结构电连接，所述散热结构与所述传感器芯片交叠；制备连接焊球，所述连接焊球与所述第二连接结构电连接。4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述凹槽内至少贴附传感器芯片，包括：在所述凹槽结构内贴附包括所述传感器芯片和透光盖板的复合结构。5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，在所述凹槽内贴附传感器芯片和透光盖板的复合结构之前，还包括：提供透光盖板母板，所述透光盖板母板包括多个所述透光盖板；在所述透光盖板母板一侧制备挡墙结构，所述挡墙结构围绕所述透光盖板；提供传感器晶圆，所述传感器芯片包括晶圆衬底以及位于所述晶圆衬底一侧的多个传感结构和连接电极；以所述挡墙结构朝向传感器芯片的方式键合所述透光盖板母板和所述传感器晶圆得到第一键合结构；所述透光盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕军，席建超，陈小龙，
申请(专利权)人：苏州科阳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：