本发明专利技术提供激光光线照射装置和激光光线照射方法，能够容易地进行激光光线的焦点的设定。激光光线照射装置(1)具有：激光光线照射单元(20)，其对晶片(200)照射激光光线；第1移动单元，其使保持工作台(10)移动；第2移动单元(50)，其使激光光线照射单元与晶片的距离变化；受光单元(70)，其接受等离子体光；和控制单元(100)，控制单元具有：指令部，其发出一边使距离变化一边使保持工作台移动而对晶片照射激光光线的指令；信息获取部，其获取受光单元所接受的等离子体光的光强度；记录部，其将距离与光强度相关联地记录；和焦点检测部，其根据光强度而检测激光光线的焦点(27)对焦于晶片的正面(202)的距离。片的正面(202)的距离。片的正面(202)的距离。
【技术实现步骤摘要】
激光光线照射装置和激光光线照射方法
[0001]本专利技术涉及实施焦点检测步骤的激光光线照射装置和激光光线照射方法，该焦点检测步骤对激光光线的焦点对焦于晶片的被照射激光光线的照射面的激光光线照射单元与晶片的位置关系进行检测。
技术介绍
[0002]以往要想进行激光光线的焦点的设定，一边使晶片与激光光线照射单元之间的间隔相对地变化，一边对晶片照射激光光线而形成加工槽，检测加工槽形成得最细的时刻作为激光光线的焦点对焦于晶片的正面的状态(例如参照专利文献1、专利文献2和专利文献3)。
[0003]专利文献1：日本特开2005
‑
118808号公报
[0004]专利文献2：日本特许第6110136号公报
[0005]专利文献3：日本特许第6600254号公报
[0006]但是，以往，激光光线的焦点的设定方法会产生对所形成的加工槽进行拍摄而检测细小的加工槽的繁琐操作。
技术实现思路
[0007]本专利技术的目的在于提供能够容易地进行激光光线的焦点的设定的激光光线照射装置和激光光线照射方法。
[0008]为了解决上述课题实现目的，本专利技术的激光光线照射装置的特征在于，该激光光线照射装置具有：激光光线照射单元，其对保持工作台的保持面所保持的晶片照射激光光线；第1移动单元，其使该保持工作台和该激光光线照射单元在与该保持面平行的方向上相对地移动；第2移动单元，其使该激光光线照射单元与晶片之间的距离变化；受光单元，其接受通过对晶片照射激光光线而产生的等离子体光或反射光；以及控制单元，该控制单元具有：指令部，其发出如下的指令：一边通过该第2移动单元使该距离变化一边通过该第1移动单元使该保持工作台和该激光光线照射单元相对地移动而对该晶片照射该激光光线；信息获取部，其获取与该受光单元所接受的该等离子体光或该反射光的光强度相关的信息；记录部，其将与照射了该激光光线的时刻的该距离相关的信息和该信息获取部所获取的与该光强度相关的信息相关联地记录；以及焦点检测部，其根据该记录部所记录的与该光强度相关的信息而检测与该激光光线的焦点对焦于晶片的正面的状态的该距离相关的信息，其中，该正面是晶片的被照射激光光线的面。
[0009]在所述激光光线照射装置中，也可以是，该受光单元接受通过对晶片照射该激光光线而产生的等离子体光，该焦点检测部检测该记录部中该等离子体光的光强度最大的时刻的该距离，作为激光光线的焦点对焦于晶片的正面的状态，其中，该正面是晶片的被照射激光光线的面。
[0010]在所述激光光线照射装置中，也可以是，该受光单元检测通过对晶片照射该激光
光线而产生的反射光，该焦点检测部检测该记录部中该反射光的光强度最小的时刻的该距离，作为该激光光线的焦点对焦于晶片的被照射激光光线的面的状态。
[0011]本专利技术的激光光线照射方法的特征在于，该激光光线照射方法具有如下的步骤：保持步骤，将晶片保持于保持工作台的保持面；激光光线照射步骤，一边使晶片与激光光线照射单元之间的距离沿着激光光线的光轴相对地变化一边使该保持工作台和该激光光线照射单元在与该保持面平行的方向上相对地移动而对通过该保持步骤而保持的晶片照射激光光线；受光步骤，使受光单元接受通过对晶片照射该激光光线而产生的等离子体光或反射光；以及焦点检测步骤，根据与所接受的该等离子体光或该反射光的光强度相关的信息而检测与该激光光线的焦点对焦于晶片的被照射激光光线的面的该距离相关的信息。
[0012]在所述激光光线照射方法中，也可以是，该受光单元接受通过对晶片照射该激光光线而产生的等离子体光，该焦点检测步骤检测该等离子体光的光强度最大的时刻的该距离，作为该激光光线的焦点对焦于晶片的被照射激光光线的面的状态。
[0013]在所述激光光线照射方法中，也可以是，该受光单元检测通过对晶片照射该激光光线而产生的反射光，该焦点检测步骤检测该反射光的光强度最小的时刻的该距离，作为该激光光线的焦点对焦于晶片的被照射激光光线的面的状态。
[0014]本专利技术起到能够容易地进行激光光线的焦点的设定的效果。
附图说明
[0015]图1是示出实施方式1的激光光线照射装置的结构例的立体图。
[0016]图2是示意性示出作为图1所示的激光光线照射装置的加工对象的晶片的俯视图。
[0017]图3是示意性示出图1所示的激光光线照射装置的激光光线照射单元和受光单元的结构的图。
[0018]图4是示意性示出被图1所示的激光光线照射装置的指令部指令激光光线的照射的位置的晶片的俯视图。
[0019]图5是示意性示出图1所示的激光光线照射装置的记录部所记录的数据的图。
[0020]图6是示出实施方式1的激光光线照射方法的流程的流程图。
[0021]图7是示出实施方式2的激光光线照射装置的结构例的立体图。
[0022]图8是示意性示出图7所示的激光光线照射装置的激光光线照射单元和受光单元的结构的图。
[0023]图9是示意性示出实施方式2的激光光线照射装置的记录部所记录的数据的图。
[0024]图10是以局部剖面示意性示出实施方式1和实施方式2的变形例的激光光线照射装置的结构例的侧视图。
[0025]图11是示意性示出图10所示的激光光线照射装置的激光光线照射单元和受光单元的结构的图。
[0026]标号说明
[0027]1、1
‑
2、1
‑
3：激光光线照射装置；10、10
‑
3：保持工作台；11：保持面；20、20
‑
2、20
‑
3：激光光线照射单元；21：激光光线；21
‑
1：等离子体光；21
‑
2：反射光；30：第1移动单元；50：第2移动单元；70、70
‑
2、70
‑
3：受光单元；82、82
‑
2：距离；100：控制单元；101：指令部；102：信息获取部；103：记录部；104：焦点检测部；200、200
‑
3：晶片；202：正面(被照射激光光线的面)；
1001：保持步骤；1002：激光光线照射步骤；1003：受光步骤；1004：焦点检测步骤；X：与保持面平行的方向；Y：与保持面平行的方向。
具体实施方式
[0028]参照附图，对用于实施本专利技术的方式(实施方式)进行详细说明。本专利技术并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本专利技术的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[0029][实施方式1][0030]根据附图，对本专利技术的实施方式1的激光光线照射装置进行说明。图1是示出实施方式1的激光光线照射装置的结构例的立体图。图2是示意性示出图1所示的激光光线照射装置的加工对象的晶片的俯视图。图3是示本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光光线照射装置，其特征在于，该激光光线照射装置具有：激光光线照射单元，其对保持工作台的保持面所保持的晶片照射激光光线；第1移动单元，其使该保持工作台和该激光光线照射单元在与该保持面平行的方向上相对地移动；第2移动单元，其使该激光光线照射单元与晶片之间的距离变化；受光单元，其接受通过对晶片照射激光光线而产生的等离子体光或反射光；以及控制单元，该控制单元具有：指令部，其发出如下的指令：一边通过该第2移动单元使该距离变化一边通过该第1移动单元使该保持工作台和该激光光线照射单元相对地移动而对该晶片照射该激光光线；信息获取部，其获取与该受光单元所接受的该等离子体光或该反射光的光强度相关的信息；记录部，其将与照射了该激光光线的时刻的该距离相关的信息和该信息获取部所获取的与该光强度相关的信息相关联地记录；以及焦点检测部，其根据该记录部所记录的与该光强度相关的信息而检测与该激光光线的焦点对焦于晶片的正面的状态的该距离相关的信息，其中，该正面是晶片的被照射激光光线的面。2.根据权利要求1所述的激光光线照射装置，其特征在于，该受光单元接受通过对晶片照射该激光光线而产生的等离子体光，该焦点检测部检测该记录部中该等离子体光的光强度最大的时刻的该距离，作为激光光线的焦点对焦于晶片的正面的状态，其中，该正面是晶片的被照射激光光线的面。3.根据权利要求1所述的激光光线照射装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：本乡智之，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。