光电器件及其制备方法、光电装置制造方法及图纸

本申请公开一种光电器件及其制备方法、光电装置，该光电器件包括阴极、阳极以及设在所述阴极和所述阳极之间的发光层和空穴传输层，所述空穴传输层含有聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和/或2

【技术实现步骤摘要】
光电器件及其制备方法、光电装置


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种光电器件及其制备方法、光电装置。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dot Light
‑
Emitting Diodes，QLED)是采用量子点作为发光源的一种光电器件。一般基本结构为空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的多层的结构，其发光原理为：在外界电场的驱动下，空穴和电子克服界面障碍分別进入发光层的价带能级和导带能级，当从激发态而回到稳定的基态时，释放出光子从而发光。因具有良好的材料稳定性、发光波长随量子点尺寸大小连续可调、发光光谱窄、荧光量子产率高可全溶液法构筑等优点，受到越来越多科研工作者的关注。
[0003]目前，经过多年的发展，以量子点发光二极管为代表的光电器件技术获得了很大的突破与发展，然而仍存在很多需要解决的问题，尤其是电子和空穴注入的不平衡，对器件寿命和发光效率等影响重大。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提供一种光电器件及其制备方法、光电装置，旨在提升器件的性能。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种光电器件，包括阴极、阳极以及设在所述阴极和所述阳极之间的发光层和空穴传输层，所述空穴传输层靠近所述阳极设置，所述发光层靠近所述阴极设置，所述空穴传输层中含有聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和/或2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷。
[0006]可选的，所述空穴传输层含有聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷，所述聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷的质量比为(1～3)：(1～2)。
[0007]可选的，所述聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷的质量比为(2～3):1。
[0008]可选的，在所述空穴传输层中，所述聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和/或2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷的总质量占比为17％～29％。
[0009]可选的，在所述空穴传输层中，所述聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和/或2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷的总质量占比为17％～20％。
[0010]可选的，所述空穴传输层的厚度为22nm至28nm。
[0011]可选的，所述空穴传输层的厚度为22nm至25nm。
[0012]可选的，所述空穴传输层由第一空穴传输材料，以及聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和/或2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷构成。
[0013]可选的，所述发光层的材料包括量子点，所述量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、
CdTe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、InSb、AlAs、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种；所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种，所述核壳结构的量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；和/或，
[0014]所述第一空穴传输材料选自：N,N'
‑
二萘基
‑
N,N'
‑
二苯基联苯胺、N,N'
‑
双
‑
(3
‑
甲基苯基)
‑
N,N'
‑
双
‑
(苯基)
‑
联苯胺)、4,4',4
”‑
三(N
‑3‑
甲基苯基
‑
N
‑
苯基
‑
氨基)
‑
三苯胺、聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
CO
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4
‑
丁基苯基)
‑
N,N'
‑
双(苯基)联苯胺)或4,4',4
”‑
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺中的至少一种；和/或，
[0015]所述阴极材料选自：Ag电极、Al电极、Au电极、Pt电极或合金电极中的至少一种；和/或，所述阳极材料选自金属氧化物电极或复合电极，所述金属氧化物电极选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、1ZO、MZO及AMO中的至少一种，所述复合电极为AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS中的至少一种。
[0016]可选的，所述阳极与所述空穴传输层之间还设有空穴注入层，所述空穴注入层的材料选自：聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐、聚(9,9
‑
二辛基
‑
芴
‑
共
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)
‑
二苯基胺)、多芳基胺、聚(N
‑
乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'
‑
四(4
‑
甲氧基苯基)
‑
联苯胺、4
‑
双[N
‑
(1
‑
萘基)
‑
N
‑
苯基
‑
氨基]联苯、4,4',4
”‑
三[苯基(间
‑
甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4',4
”‑
三(N
‑
咔唑基)
‑
三苯基胺、1,1
‑
双[(二
‑4‑
甲苯基氨基)苯基环己烷、掺杂有四氟
‑
四氰基
‑
醌二甲烷的4,4',4
”‑
三(二苯基氨基)三苯胺、p
‑
掺杂酞菁、F4
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电器件，包括阴极、阳极以及设在所述阴极和所述阳极之间的发光层和空穴传输层，所述空穴传输层靠近所述阳极设置，所述发光层靠近所述阴极设置，其特征在于，所述空穴传输层中含有聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和/或2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷。2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输层含有聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷，所述聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷的质量比为(1～3)：(1～2)。3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷的质量比为(2～3):1。4.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，在所述空穴传输层中，所述聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和/或2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷的总质量占比为17％～29％。5.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于，在所述空穴传输层中，所述聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和/或2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷的总质量占比为17％～20％。6.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为22nm至28nm。7.根据权利要求6所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为22nm至25nm。8.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输层由第一空穴传输材料，以及聚偏二氟乙烯共六氟丙烯和/或2
‑
氰基乙基三甲氧基硅烷构成。9.根据权利要求8所述的光电器件，其特征在于，所述发光层的材料包括量子点，所述量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、InSb、AlAs、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种；所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种，所述核壳结构的量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；和/或，所述第一空穴传输材料选自：N,N'
‑
二萘基
‑
N,N'
‑
二苯基联苯胺、N,N'
‑
双
‑
(3
‑
甲基苯基)
‑
N,N'
‑
双
‑
(苯基)
‑
联苯胺)、4,4',4
”‑
三(N
‑3‑
甲基苯基
‑
N
‑
苯基
‑
氨基)
‑
三苯胺、聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
CO
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4
‑
丁基苯基)
‑
N,N'
‑
双(苯基)联苯胺)或4,4'...

【专利技术属性】
技术研发人员：田鹍飞，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：