资料读取的方法及资料储存装置制造方法及图纸

技术编号:3819319 阅读:263 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种资料读取的方法及资料储存装置,可在读取存储器时一并校正感测电压的值,以保持读出资料的正确性。根据该资料读取的方法,首先,依据至少一感测电压判读储存在一存储器的一储存单元的一训练序列。接着,决定是否该训练序列的读出资料正确无误。当该训练序列的读出资料有错误时,调整该感测电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系有关于存储器,特别是有关于存储器的资料读取。
技术介绍
一存储器包括多个储存单元以供资料储存。举例来说,闪存包括多个区块 (block),每一区块包括多个页(page),这些页或这些区块均是闪存的储存单元。当存储 器自控制器接收写入命令时,便依控制器的指示将资料储存至这些储存单元。当存储器自 收到读取命令时,再依控制器的指示自这些储存单元读出资料而回传资料至控制器。一般 的存储器的资料读取是以感测放大器进行。感测放大器的一端耦接至一感测电压(sense voltage),一端耦接至被读取的储存单元的输出端。当资料被读取时,感测放大器比较被读 取的储存单元的输出端的电压与感测电压,以决定被读取的资料位的值为0或1。存储器再 将被读取的资料位的值传送至控制器,而完成读取动作。当存储器的多个储存单元分别被读取时,各储存单元依据其内储存的资料所输出 的电压值可能随储存单元而有不同。举例来说,在储存相同资料的情况下,距离存储器的电 压源较近的储存单元所输出的电压可能较高,而距离存储器的电压源较远的储存单元所输 出的电压可能较低。另外,即使同一储存单元亦可能因邻近的储存单元受不同程度的读取 所影响而导致该储存单元所输出的电压有所变动。当存储器依据同一感测电压比较存储器 的多个储存单元所输出的电压而判断这些储存单元的资料值时,便可能误判这些储存单元 的资料值,而导致读取过程发生错误。图IA是一多层单元(multi-level cell,MLC)存储器的一正常储存单元所输出的 电压的机率分布图。假设该多层单元存储器的正常储存单元可输出4种电压,分别对应其 储存位值00、01、10、11,而该4种输出电压的机率分布分别为101、102、103、104。此时,存 储器利用一组正常感测电压值Vthl、Vth2、Vth3、Vth4为基准(实际用来比较的感测电压值可能 为Vthl、Vth2> Vth3, Vth4平移Vshift,以使各感测电压值能区隔4种输出电压的机率分布分别为 101、102、103、104)与此正常储存单元所输出的电压的相对大小可判断此正常储存单元所 储存的资料位值为00、01、10、或11。图IB是一多层单元存储器的一异常储存单元所输出 的电压的机率分布图。该异常储存单元可输出4种电压的机率分布分别为111、112、113、 114,分别对应其储存位值00、01、10、11。与图IA相比较,图IB的异常储存单元所输出的电压值明显较低。若存储器于读 取此异常储存单元的资料时,仍沿用该组正常感测电压值Vthl、Vth2, Vth3, Vth4,以供与异常储 存单元所输出的电压比较从而判断异常储存单元所储存的资料位值,则会产生错误的输出 资料值。因此,需要一种方法,可在读取存储器时一并校正感测电压的值,以保持读出资料 的正确性。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种资料读取的方法,以解决已知技术存在的问题。首先,依据至少一感测电压(sense voltage)判读储存在一存储器的一储存单元的 一训练序列(training sequence)。接着,决定是否该训练序列的读出资料正确无误。当该 训练序列的读出资料有错误时,调整该感测电压本专利技术提供一种资料储存装置。于一实施例中,该资料储存装置包括一存储器 及一控制器。该存储器包括多个储存单元,每一这些储存单元储存一训练序列(training sequence)。当该控制器被要求读取这些储存单元中的一目标储存单元时,该控制器指示该 存储器依据至少一感测电压(sense voltage)判读储存在该目标储存单元的该训练序列, 决定是否该训练序列的读出资料正确无误,以及当该训练序列的读出资料有错误时,指示 该存储器调整该感测电压。由于本专利技术有预先于存储器的储存单元中储存训练序列,当控制器自存储器中读 取资料时,控制器便可依据所读出的训练序列的正确性,以供是否调整存储器用以读取资 料的感测电压。若读出的训练序列有误,控制器便可持续调整感测电压,直到读出的训练序 列正确无误为止。如此便可使感测电压可随存储器的每一储存单元的特性而调整,从而确 保资料读取的正确性。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂,以下结合附图对本专利技术的具 体实施方式作详细说明,其中图IA为一多层单元存储器的一正常储存单元所输出的电压的机率分布图;图IB为一多层单元存储器的一异常储存单元所输出的电压的机率分布图;图2为依据本专利技术的资料储存装置的区块图;图3为依据本专利技术的存储器的一储存单元所储存的资料的示意图;以及图4为依据本专利技术的存储器的资料读取方法的流程图。主要元件符号说明(图 2)200 资料储存装置;202 控制器;204 存储器;212 感测电压修正电路;214 储存单元阵列;221-22M 储存单元;(图 3)300 储存单元储存的资料;301 训练序列;311、312、…、31N 导引序列。具体实施例方式图2为依据本专利技术的资料储存装置200的区块图。资料储存装置200耦接至一主 机(未示于图2中),并为该主机储存资料。于一实施例中,资料储存装置200包括一控制器202及一存储器204。于一实施例中,存储器204包括一感测电压修正电路212及一储存 单元阵列214。储存单元阵列214包括多个储存单元221 22M以供储存资料。于一实施 例中,存储器204为一闪存,而储存单元221 22M可为闪存的区块(block)或页(page), 但不以此为限。存储器204是以区块为抹除单位,以页为写入单位。当控制器202自主机 收到写入命令及资料时,便指示存储器204将资料写入储存单元221 22M。当控制器202 自主机收到读取命令时,便指示存储器204自储存单元221 22M读出资料,而控制器202 再将资料回传至主机,以完成读取动作。当控制器212储存资料至存储器204的储存单元221 22M时,会先将一预定的 训练序列(training sequence)储存于储存单元221 22M的开头,然后再储存资料至该 储存单元。除此之外,控制器212还会在储存资料时,一并穿插一至多个预定的导引序列 (pilot sequence)于储存单元中的预定位置。图3为依据本专利技术的存储器的一储存单元 300所储存的资料的示意图。储存单元300的开头储存了训练序列301,而储存单元300的 其他部分则储存了一般资料。此外,储存单元300中尚储存了多个导引序列311、312、…、 31N穿插于一般资料之间。训练序列301的资料量较导引序列311 31N的资料量为大。 于一实施例中,训练序列301包括两位字节资料,而导引序列311、312、…、31N各包括一位 字节资料。训练序列为一串具有固定格式(预定内容)的资料,是预先储存于储存单元中以 供粗调整用以读取该储存单元的感测电压,例如二字节资料的0011001101010101,但不以 此为限。同样的,导引序列亦为一串具有固定格式(预定内容)的资料,是预先储存于储存 单元中以供细调整用以读取该储存单元的感测电压。于一实施例中,图3的储存单元300为 存储器的一区块,该区块包括多个页,储存单元300的区块开头储存训练序列本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种资料读取的方法,包括下列步骤:依据至少一感测电压判读储存在一存储器的一储存单元的一训练序列;决定是否该训练序列的读出资料正确无误;当该训练序列的读出资料有错误时,调整该感测电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨宗杰
申请(专利权)人:慧国上海软件科技有限公司慧荣科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:31

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