一种轨到轨放大器驱动电路、芯片和电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种轨到轨放大器驱动电路、芯片和电子设备，设计集成电路技术领域，包括第一放大器和第二放大器，其中第一放大器包括nmos输入结构，且主极点在输出端口；第二放大器包括pmos输入结构，且主极点在输出端口；第一放大器和第二放大器并联连接，第一放大器的正相输入端电连接第二放大器的正相输入端；第一放大器的反相输入端电连接第二放大器的反相输入端；第一放大器和第二放大器的两输出端口电连接，主极点在电连接的两输出端口。本实用新型专利技术在轨到轨的基础上结合主极点在输出端口的特征，实现大电流输出的技术效果，使得负载电容反向增加了放大器本身的稳定性，具有突破性。突破性。突破性。

【技术实现步骤摘要】
一种轨到轨放大器驱动电路、芯片和电子设备


[0001]本技术涉及半导体及集成电路领域，尤其涉及一种轨到轨放大器驱动电路、芯片和电子设备。

技术介绍

[0002]现有方案是使用互补差分对作为输入的折叠共源共栅两级放大器，互补差分对是利于轨到轨的输入，第二级电路的采用才能达到利于轨到轨的输出的效果。如图3所示，其中vbp1，vbp2，vbn1，vbn2是偏置电压；vp是正相输入，vn是反相输入；该种电路结构采用RC密勒补偿的放大器的主极点在第一级输出，于是当输出要驱动大的负载电容时，就可能出现稳定性的问题。

技术实现思路

[0003]本技术针对现有技术中的缺点，提供了一种驱动大负载的，稳定性高的轨到轨放大器电路。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术通过下述技术方案得以解决：
[0005]一种轨到轨放大器驱动电路，包括第一放大器和第二放大器，其中第一放大器包括nmos输入结构，且主极点在输出端口；第二放大器包括pmos输入结构，且主极点在输出端口；
[0006]第一放大器和第二放大器并联连接，具体为，第一放大器的正相输入端电连接第二放大器的正相输入端；第一放大器的反相输入端电连接第二放大器的反相输入端；第一放大器和第二放大器的两输出端口电连接，主极点在电连接的两输出端口。
[0007]作为一种优选项，所述nmos输入结构包括nmos差分对输入电路，nmos差分对输入电路包括第二nmos管和第三nmos管，第二nmos管电连接第三nmos管；
[0008]所述pmos输入结构包括pmos差分对输入电路，pmos差分对输入电路包括第一pmos管和第二pmos管，第一pmos管电连接第二pmos管。
[0009]第一放大器中：
[0010]第二nmos管的源极和第三nmos管的源极电连接；
[0011]第二nmos管的栅极是反相输入端，第三nmos管的栅极是正相输入端；
[0012]第二放大器中：
[0013]第一pmos管的源极和第二pmos管的源极电连接；
[0014]第一pmos管的栅极是反相输入端，第二pmos管的栅极是正相输入端；
[0015]其中，第二放大器的第一pmos管的栅极连接第一放大器的第二nmos管的栅极，第二放大器的第二pmos管的栅极连接第一放大器的第三nmos管栅极。
[0016]作为一种优选项，第一放大器还包括第一偏置电路，第一偏置电路电连接nmos差分对输入电路；
[0017]第二放大器还包括第二偏置电路，第二偏置电路电连接pmos差分对输入电路。
[0018]作为一种优选项，所述第一偏置电路包括第一nmos管，所述第一nmos管的漏极电连接第二nmos管的源极和第三nmos管的源极，第一nmos管的源极电连接驱动电源；
[0019]所述第二偏置包括第三pmos管，所述第三pmos管的漏极电连接第一pmos管的源极和第二pmos管的源极，第三pmos管的源极电连接驱动电源。
[0020]作为一种优选项，第一放大器的电路结构还包括：
[0021]第一放大器的输出驱动级包括第四pmos管和第五nmos管，第四pmos管电连接第五nmos管，第四pmos管和第五nmos管且形成电流镜关系；
[0022]正相输入端一侧电路包括第二pmos管和第四pmos管：
[0023]所述第三nmos管的负载是二极管连接形式的第二pmos管，第二pmos管电连接第四pmos管，且第二pmos管和第四pmos管形成电流镜关系；
[0024]反相输入端一侧电路包括第一pmos管、第三pmos管和第四nmos管：
[0025]所述第二nmos管的负载是二极管连接形式的第一pmos管，第一pmos管电连接第三pmos管，且第一pmos管和第三pmos管形成电流镜关系；
[0026]所述第三pmos管的负载是二极管连接形式的第四nmos管，第四nmos管电连接第五nmos管，且第四nmos管和第五nmos管形成电流镜关系。
[0027]作为一种优选项，第二放大器的电路结构包括：
[0028]第二放大器的输出驱动级包括第三nmos管和第四pmos管，第三nmos管电连接第四pmos管；
[0029]正相输入端一侧电路包括第一nmos管和第三nmos管：
[0030]第二pmos管的负载是二极管连接形式的第一nmos管，第一nmos管电连接第三nmos管，且第一nmos管和第三nmos管形成电流镜关系；
[0031]反相输入端一侧电路包括第二nmos管、第四nmos管和第五pmos管：
[0032]第一pmos管的负载是二极管连接形式的第二nmos管，第二nmos管电连接第四nmos管，且第二nmos管和第四nmos管形成电流镜关系；
[0033]第四nmos管的负载是二极管连接形式的第五pmos管，第五pmos管电连接第四pmos管且第五pmos管和第四pmos管形成电流镜关系。
[0034]其中，第二放大器中，
[0035]第一nmos管的栅极电连接第二pmos管的漏极和第三nmos管的栅极；第一nmos管的漏极电连接第二pmos管的漏极；
[0036]第一pmos管的漏极电连接第二nmos管的漏极；第二nmos管的栅极电连接第四nmos管的栅极，第一pmos管的漏极电连接第二nmos管的栅极和第四nmos管的共栅极；
[0037]第四nmos管的漏极电连接第五pmos管的漏极，第五pmos管的栅极电连接第四pmos管的栅极，且第四nmos管的漏极电连接第五pmos管和第四pmos管的共栅极；
[0038]第五pmos管、第四pmos管的源极电连接驱动电源，第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管和第四nmos管的源极接地；
[0039]第三nmos管的漏极电连接第四pmos管的漏极，共漏极节点为输出端，形成主极点输出。
[0040]其中，第一放大器中，
[0041]第二pmos管的漏极连接第三nmos管的漏极，第三nmos管的漏极电连接第四pmos管
的栅极；第二pmos管的栅极连接第四pmos管的栅极；
[0042]第一pmos管的漏极连接第二nmos管的漏极，第一pmos管的栅极电连接第三pmos管的栅极，且第一pmos管的栅极电连接第二nmos管的漏极；第三pmos管的漏极电连接第四nmos管的漏极，第四nmos管的栅极电连接第五nmos管的栅极，且第四nmos管的栅极电连接第三nmos管的漏极；
[0043]所述第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管的源极电连接驱动电源；第四nmos管和第五nmos管的源极接地；
[0044]第四pmos管和第五nmos管的漏极相连，共漏极节点作为输出端，主极点输出。
[0045]进一步提供一种芯片，包括所述轨到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种轨到轨放大器驱动电路，其特征在于，包括第一放大器和第二放大器，其中第一放大器包括nmos输入结构，且主极点在输出端口；第二放大器包括pmos输入结构，且主极点在输出端口；第一放大器和第二放大器并联连接，具体为，第一放大器的正相输入端电连接第二放大器的正相输入端；第一放大器的反相输入端电连接第二放大器的反相输入端；第一放大器和第二放大器的两输出端口电连接，主极点在电连接的两输出端口。2.根据权利要求1所述的一种轨到轨放大器驱动电路，其特征在于，所述nmos输入结构包括nmos差分对输入电路，nmos差分对输入电路包括第二nmos管和第三nmos管，第二nmos管电连接第三nmos管；所述pmos输入结构包括pmos差分对输入电路，pmos差分对输入电路包括第一pmos管和第二pmos管，第一pmos管电连接第二pmos管。3.根据权利要求2所述的一种轨到轨放大器驱动电路，其特征在于，第一放大器中：第二nmos管的源极和第三nmos管的源极电连接；第二nmos管的栅极是反相输入端，第三nmos管的栅极是正相输入端；第二放大器中：第一pmos管的源极和第二pmos管的源极电连接；第一pmos管的栅极是反相输入端，第二pmos管的栅极是正相输入端；其中，第二放大器的第一pmos管的栅极连接第一放大器的第二nmos管的栅极，第二放大器的第二pmos管的栅极连接第一放大器的第三nmos管栅极。4.根据权利要求1所述的一种轨到轨放大器驱动电路，其特征在于，第一放大器还包括第一偏置电路，第一偏置电路电连接nmos差分对输入电路；第二放大器还包括第二偏置电路，第二偏置电路电连接pmos差分对输入电路。5.根据权利要求4所述的一种放大器驱动电路，其特征在于，所述第一偏置电路包括第一nmos管，所述第一nmos管的漏极电连接第二nmos管的源极和第三nmos管的源极，第一nmos管的源极电连接驱动电源；所述第二偏置包括第三pmos管，所述第三pmos管的漏极电连接第一pmos管的源极和第二pmos管的源极，第三pmos管的源极电连接驱动电源。6.根据权利要求2所述的一种轨到轨放大器驱动电路，其特征在于，第一放大器的电路结构还包括：第一放大器的输出驱动级包括第四pmos管和第五nmos管，第四pmos管电连接第五nmos管，第四pmos管和第五nmos管且形成电流镜关系；正相输入端一侧电路包括第二pmos管和第四pmos管：所述第三nmos管的负载是二极管连接形式的第二pmos管，第二pmos管电连接第四pmos管，且第二pmos管和第四pmos管形成电流镜关系；反相输入端一侧电路包括第一pmos管、第三pmos管和第四nmos管：所述第二nmos管的负载是二极管连接形式的第一pmos管，第一pmos管电连接第三pmos管，且第一pmos管和第三pmos管形成电流镜关系；所述第三pmos管的负载是二极管连接形式的第四nmos管，第四nmos管电连接第五nmos
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘辉，
申请(专利权)人：杭州雄迈集成电路技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：