一种MOCVD中外延生长的石墨盘制造技术

本实用新型专利技术提供了一种MOCVD中外延生长的石墨盘，包括石墨柱、载片槽和缓冲层，所述载片槽设于石墨柱的中心，所述缓冲层为载片槽外围的石墨柱，所述载片槽的边沿高于缓冲层。本产品通过将载片槽与边缘的石墨柱在平面上设置高度差，相当于在生产加工时在挥发出的P元素和wafer之间增加一个壁垒，抑制了P元素往wafer表面的扩散；通过在生长时导致由边缘石墨传导的热量减少，保证了wafer表面波长均匀性达到阻止P元素的并入和优化小盘wafer边缘和中心温度均匀性的目的，保证wafer表面温度均匀性，从而改善波长均匀性。从而改善波长均匀性。从而改善波长均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD中外延生长的石墨盘


[0001]本技术属于半导体激光器外延生长
，尤其涉及一种MOCVD中外延生长的石墨盘。

技术介绍

[0002]随着MOCVD技术的发展，MOCVD在半导体激光器外延生长上的应用越来越广泛。其中Aixtron G4(12*4)机型以其均匀性和产能的优势，在GaAs和InP半导体材料外延生长方面占据较大的市场份额。随着激光器市场的发展，对于产品性能和成本的要求越来越高，对外延材料生长均匀性提出了更高的要求。外延生长时，基底放置在小盘的porket中。在加工中，InP基光通信激光器通常在InP基底上生长，所涉及的InP体系的材料受温度影响较大。如在生长InAlGaAs多量子阱时，生长buffer时在石墨盘上附着的P元素会挥发，从porket边缘往中心扩散并入InAlGaAs材料中，导致边缘波长偏短。另外，在生长时，现有的小盘porket中wafer与石墨盘在同一平面，wafer边缘由于比较靠近石墨，石墨的热量传导会造成Wafer边缘温度高于中心，造成wafer表面不同区域In的并入效率不一致，出现边缘波长偏短的现象，导致Aixtron G4机型生长InAlGaAs材料多量子阱时出现的波长不均匀，产品性能不佳的问题。

技术实现思路

[0003]本技术提供了一种MOCVD中外延生长的石墨盘，可以有效解决上述问题。
[0004]本技术是这样实现的：
[0005]一种MOCVD中外延生长的石墨盘，包括石墨柱、载片槽和缓冲层，所述载片槽设于石墨柱的中心，所述缓冲层为载片槽外围的石墨柱，所述载片槽的边沿高于缓冲层。
[0006]作为进一步改进的，所述载片槽的底部高于缓冲层的高度。
[0007]作为进一步改进的，所述载片槽的底部与缓冲层顶部的高度差为1.63
‑
1.78mm。
[0008]作为进一步改进的，所述载片槽的边沿厚度为0.8
‑
1mm。
[0009]作为进一步改进的，所述载片槽的深度为0.22
‑
0.37mm。
[0010]作为进一步改进的，所述载片槽的高度为1.8
‑
2mm。
[0011]作为进一步改进的，所述载片槽的半径51.15
‑
51.35mm。
[0012]本技术的有益效果是：本产品通过将载片槽与边缘的石墨柱在平面上设置高度差，相当于在生产加工时在挥发出的P元素和wafer之间增加一个壁垒，抑制了P元素往wafer表面的扩散；通过在生长时导致由边缘石墨传导的热量减少，保证了wafer表面波长均匀性达到阻止P元素的并入和优化小盘wafer边缘和中心温度均匀性的目的，保证wafer表面温度均匀性，从而改善波长均匀性。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要
使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0014]图1是现有石墨盘的立体图和剖视图；
[0015]图2是本技术一种MOCVD中外延生长的石墨盘的结构示意图；
[0016]图3是本技术一种MOCVD中外延生长的石墨盘的剖视图；
[0017]图4是本技术一种MOCVD中外延生长的石墨盘的wafer表面波长的测试实验数据图；
[0018]图5是现有石墨盘wafer表面波长的测试实验数据图。
[0019]附图标记：
[0020]1‑
石墨柱；2
‑
载片槽；21
‑
边沿；22
‑
底部；3
‑
缓冲层；31
‑
顶部。
具体实施方式
[0021]为使本技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施方式。
[0022]在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0023]在本技术的描述中，术语“上”、“中”、“侧”、“侧面”、“上侧”、“端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0024]参照图2
‑
3所示，一种MOCVD中外延生长的石墨盘，包括石墨柱1、载片槽2和缓冲层3，所述载片槽2设于石墨柱1的中心，所述缓冲层3为载片槽2外围的石墨柱1，所述载片槽2的边沿21高于缓冲层3。所述载片槽2的底部22高于缓冲层3的高度，所述载片槽2的底部22与缓冲层3顶部31的高度差为1.63
‑
1.78mm，所述载片槽2的边沿21厚度为0.8
‑
1mm，所述载片槽2的深度为0.22
‑
0.37mm，所述载片槽2的高度为1.8
‑
2mm，所述载片槽的半径51.15
‑
51.35mm。
[0025]以上设计的石墨盘将载片槽2与边缘的石墨柱1在平面上设置高度差，相当于在生产加工时在挥发出的P元素和wafer之间增加一个壁垒，抑制了P元素往wafer表面的扩散；通过在生长时导致由边缘石墨传导的热量减少，保证了wafer表面波长均匀性达到阻止P元素的并入和优化小盘wafer边缘和中心温度均匀性的目的，保证wafer表面温度均匀性，从而改善波长均匀性。
[0026]以上所述仅为本技术的优选实施方式而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOCVD中外延生长的石墨盘，其特征在于，包括石墨柱、载片槽和缓冲层，所述载片槽设于石墨柱的中心，所述缓冲层为载片槽外围的石墨柱，所述载片槽的边沿高于缓冲层，所述载片槽的底部高于缓冲层的高度。2.根据权利要求1所述的一种MOCVD中外延生长的石墨盘，其特征在于，所述载片槽的底部与缓冲层顶部的高度差为1.63
‑
1.78mm。3.根据权利要求1或2所述的一种MOCVD中外延生长的石墨盘，其特征在于，所述载片槽的边沿厚度为0.8

【专利技术属性】
技术研发人员：丁杰，马鹏程，卢伟，叶伟民，陈晓铃，
申请(专利权)人：厦门银科启瑞半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：