一种用于溅射镀膜设备的气路系统以及溅射镀膜设备技术方案

本实用新型专利技术公开了一种用于溅射镀膜设备的气路系统以及溅射镀膜设备，其中，所述气路系统包括真空室、第一气路和第二气路，所述真空室内设有底座，所述底座用于放置硅片；所述第一气路与所述底座连接，用于向所述真空室内输入气体；所述第二气路一端与所述第一气路对接，另一端与所述真空室对接；所述第二气路上设有第一控制阀，所述第一控制阀用于开启或关闭所述第二气路。通过第二气路连接第一气路和真空室，使底座内残留的气体可以通过第二气路部分扩散到真空室中，溅镀过程中真空室和底座内的管路的压差减小，从而减少底座升降过程中发生硅片偏移的情况，有利于提高加工良率。有利于提高加工良率。有利于提高加工良率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于溅射镀膜设备的气路系统以及溅射镀膜设备


[0001]本技术涉及真空镀膜
，特别是涉及一种用于溅射镀膜设备的气路系统以及溅射镀膜设备。

技术介绍

[0002]随着科学技术的发展，真空镀膜技术得到了飞速的发展。镀膜技术可以改变工件表面性能，提高工件耐磨损、抗氧化和耐腐蚀等性能，从而延长工件的使用寿命，镀膜技术也可以实现光学、电学、半导体薄膜器件的制备，具有很高的经济价值。现有的溅射镀膜工艺的工作原理是利用工作气体轰击靶材，使溅射出来的靶材离子或原子与反应气体反应，并沉积在基材上。工作过程中需要保持高真空度，所以实际操作时往往是在一密闭腔室内，通过设置底座抽气形成真空室，另外通过抽气形成的负压使基材稳定放置在底座上，以提高沉积过程的稳定性。
[0003]但是，在溅射镀膜过程中，真空室的内部处于高真空状态，而底座内的管路中往往存在残留气体，也就是说，底座内的环境与真空室内的环境可能产生压差。因此，在底座升降过程中基材的稳定性受到影响，可能发生基材偏移，甚至发生掉落、碰撞，产生碎片的情况，影响溅射镀膜的加工良率。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种用于溅射镀膜设备的气路系统以及溅射镀膜设备，旨在解决现有的溅射镀膜过程中底座升降时基材容易偏移，影响产品的加工良率的问题。
[0006]本技术的技术方案如下：
[0007]一种用于溅射镀膜设备的气路系统，其中，包括真空室、第一气路和第二气路，所述真空室内设有底座，所述底座用于放置硅片；所述第一气路与所述底座连接，用于向所述真空室内输入气体；所述第二气路一端与所述第一气路对接，另一端与所述真空室对接；所述第二气路上设有第一控制阀，所述第一控制阀用于开启或关闭所述第二气路。
[0008]所述的用于溅射镀膜设备的气路系统，其中，所述第二气路包括并联设置的第一分路和第二分路，所述第一分路上设置有所述第一控制阀；所述第二分路上设有调节阀，所述调节阀用于调节所述第二分路的气体流量大小。
[0009]所述的用于溅射镀膜设备的气路系统，其中，所述第二分路上还设有压力计，所述压力计用于测量所述第二分路的管道压力。
[0010]所述的用于溅射镀膜设备的气路系统，其中，所述调节阀包括针阀、球阀、蝶阀、电磁阀中的至少一种。
[0011]所述的用于溅射镀膜设备的气路系统，其中，所述第一气路沿进气体传输的方向包括第一气体管路和第二气体管路，所述第二气路与所述第一气路对接的位置位于所述第
一气体管路与所述第二气体管路连接处；所述第一气体管路上设有第二控制阀，所述第二气体管路上设有第三控制阀。
[0012]所述的用于溅射镀膜设备的气路系统，其中，所述第一气体管路上还设有质量流量控制器和第四控制阀，所述第二控制阀、所述质量流量控制器和所述第四控制阀沿气体传输的方向依次设置。
[0013]所述的用于溅射镀膜设备的气路系统，其中，所述第二控制阀包括气动阀、截止阀、电动阀、真空阀中的至少一种；所述第三控制阀包括气动阀、截止阀、电动阀、真空阀中的至少一种；所述第四控制阀包括气动阀、截止阀、电动阀、真空阀中的至少一种。
[0014]所述的用于溅射镀膜设备的气路系统，其中，所述第二气路与所述真空室的侧壁对接，且所述第二气路的出气口的位置高于所述底座的顶面。
[0015]所述的用于溅射镀膜设备的气路系统，其中，所述第一控制阀包括气动阀、截止阀、电动阀、真空阀中的至少一种。
[0016]本申请还公开了一种溅射镀膜设备，其中，包括如上任一所述的用于溅射镀膜设备的气路系统。
[0017]与现有技术相比，本技术实施例具有以下优点：
[0018]本技术公开的用于溅射镀膜设备的气路系统工作时，将硅片放置在底座上，先关闭第二气路，通过第一气路抽真空，使真空室内达到高真空状态。之后通过第一控制阀开启第二气路，使第一气路中残留的气体扩散到真空室中，使真空室的环境与底座内的环境达到气压平衡，然后再开始溅射镀膜。由于解决了气压差问题，在底座升降过程中硅片可以保持稳定，不会出现偏移问题或者碎片问题，有利于提高最终的产品加工良率。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本技术中现有的溅射镀膜设备的结构示意图；
[0021]图2为本技术一实施例中溅射镀膜设备的结构示意图。
[0022]其中，10、真空室；11、底座；20、第一气路；21、第一气体管路；22、第二气体管路；30、第二气路；31、第一分路；32、第二分路；40、第一控制阀；50、调节阀；60、压力计；70、第二控制阀；80、第三控制阀；90、质量流量控制器；100、第四控制阀。
具体实施方式
[0023]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]如图1所示，现有技术中，溅射镀膜设备一般包括用于抽真空的气路，以及用于输
送工作气体和反应气体的两条进气气路，在真空室10内通过轰击靶材，并沉积到硅片上成膜。但是溅射过程中，抽真空管路中的残留气体导致底座11与真空室10内产生气压差，容易影响底座11上放置的硅片的稳定性，影响加工良率。
[0025]参阅图2，本技术申请的一实施例中，公开了一种用于溅射镀膜设备的气路系统，其中，包括真空室10、第一气路20和第二气路30，所述真空室10内设有底座11，所述底座11用于放置硅片；所述第一气路20与所述底座11连接，用于向所述真空室10内输入气体；所述第二气路30一端与所述第一气路20对接，另一端与所述真空室10对接；所述第二气路30上设有第一控制阀40，所述第一控制阀40用于开启或关闭所述第二气路30。
[0026]本实施例公开的用于溅射镀膜设备的气路系统工作时，将硅片放置在底座11上，先关闭第二气路30，通过第一气路20抽真空，使真空室10内达到高真空状态。之后通过第一控制阀40开启第二气路30，使第一气路20中残留的气体扩散到真空室10中，使真空室10的环境与底座11内的环境达到气压平衡，然后再开始溅射镀膜。由于解决了气压差问题，在底座11升降过程中硅片可以保持稳定，不会出现偏移问题或者碎片问题，有利于提高最终的产品加工良率。
[0027]如图2所示，作为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于溅射镀膜设备的气路系统，其特征在于，包括：真空室，所述真空室内设有底座，所述底座用于放置硅片；第一气路，与所述底座连接，用于向所述真空室内输入气体；以及第二气路，一端与所述第一气路对接，另一端与所述真空室对接；所述第二气路上设有第一控制阀，所述第一控制阀用于开启或关闭所述第二气路。2.根据权利要求1所述的用于溅射镀膜设备的气路系统，其特征在于，所述第二气路包括并联设置的第一分路和第二分路，所述第一分路上设置有所述第一控制阀；所述第二分路上设有调节阀，所述调节阀用于调节所述第二分路的气体流量大小。3.根据权利要求2所述的用于溅射镀膜设备的气路系统，其特征在于，所述第二分路上还设有压力计，所述压力计用于测量所述第二分路的管道压力。4.根据权利要求2所述的用于溅射镀膜设备的气路系统，其特征在于，所述调节阀包括针阀、球阀、蝶阀、电磁阀中的至少一种。5.根据权利要求1所述的用于溅射镀膜设备的气路系统，其特征在于，所述第一气路沿进气体传输的方向包括第一气体管路和第二气体管路，所述第二气路与所述第一气路对接的位置位于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐毓英，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：