膜层穿孔的形成方法、半导体器件及芯片技术

一种膜层穿孔的形成方法、半导体器件及芯片，涉及半导体技术领域。该膜层穿孔的形成方法包括：在膜层上开孔(S1)；在孔内填充铜和锡，以形成铜层和锡层(S2)；对铜层和锡层退火，以使部分铜和部分锡生成金属间化合物，填有铜层和锡层，且具有金属间化合物的孔形成膜层穿孔(S3)。(S3)。(S3)。(S3)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭茂，李珩，王思敏，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：