半导体激光装置制造方法及图纸

在本发明专利技术的半导体激光装置(1)中，在散热器(13)的主体部(41)内设置有：供给路(45)，其将从供给口(32)侧供给的冷却用流体(R)朝向配置区域(P)引导；喷出孔(46)，其使由供给路(45)引导的冷却用流体(R)在配置区域(P)下喷出；和排出路(48)，其将从喷出孔(46)喷出的冷却用流体(R)朝向排出口(34)引导。喷出孔(46)沿着配置于配置区域(P)的半导体激光元件(12)的谐振方向(D)配置，排出路(48)在与配置于配置区域(P)的半导体激光元件(12)的谐振方向(D)交叉的方向上延伸。的方向上延伸。的方向上延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光装置


[0001]本公开涉及半导体激光装置。

技术介绍

[0002]目前，作为具备散热器(heat sink)的半导体激光装置，例如有专利文献1所记载的装置。该专利文献1所记载的散热器具备：导电性的第一平板，具有形成有第一凹部的上表面；导电性的第二平板，具有形成有第二凹部的下表面以及搭载半导体激光元件的上表面；和导电性的隔板，具有：覆盖第一凹部的下表面、覆盖第二凹部的上表面以及使第一凹部与第二凹部连通的一个以上的贯通孔。制冷剂流入口从第一凹部和第二凹部中的一方延伸，使制冷剂流入该散热器。制冷剂流出口从第一凹部和第二凹部中的另一方延伸，使制冷剂从该散热器流出。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2006
‑
352019号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]在上述那样的半导体激光装置中，提高由散热器进行的半导体激光元件的冷却效率成为重要的要素。对于提高半导体激光元件的冷却效率，需要研究散热器中从冷却流体的供给口到排出口的一连串的内部路径的结构。在半导体激光装置中，例如像量子级联激光元件那样，还考虑搭载具有比较长的谐振器长度和比较高的发热量的激光元件。因此，在考虑半导体激光元件的配置方式的基础上，研究散热器中的一连串的内部路径的结构变得重要。
[0008]本公开是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供一种半导体激光装置，其能够实现由散热器进行的半导体激光元件的冷却效率的提高。
[0009]用于解决问题的手段
[0010]本公开的一方面的半导体激光装置具备：半导体激光元件和冷却半导体激光元件的散热器，散热器在表面具有配置有半导体激光元件的配置区域，并且具有：与配置区域分离地设置有供给冷却用流体的供给口和排出冷却用流体的排出口的主体部，在主体部内设置有：供给路，其将从供给口侧供给的冷却用流体朝向配置区域引导；喷出孔，其使由供给路引导的冷却用流体在配置区域下喷出；和排出路，其将从喷出孔喷出的冷却用流体朝向排出口引导，在俯视散热器时，喷出孔沿着配置于配置区域的半导体激光元件的谐振方向配置，在俯视散热器时，排出路在与配置于配置区域的半导体激光元件的谐振方向交叉的方向上延伸。
[0011]在该半导体激光装置中，沿着配置于配置区域的半导体激光元件的谐振方向配置有喷出孔。因此，即使在半导体激光元件的谐振器长度比较长的情况下，也能够以与谐振器
长度对应的长度将来自喷出孔的冷却用流体朝向配置区域喷出。此外，在该半导体激光装置中，排出路在与配置于配置区域的半导体激光元件的谐振方向交叉的方向上延伸。由此，能够抑制从配置区域接收了热的冷却用流体在配置区域下流动的距离。由此，在该半导体激光装置中，能够实现由散热器进行的半导体激光元件的冷却效率的提高。
[0012]也可以为，散热器在俯视时呈具有长边和短边的长方形状，配置于配置区域的半导体激光元件的谐振方向沿着散热器的短边延伸。通过使半导体激光元件的谐振方向沿着散热器的短边，能够简化相对于散热器的半导体激光元件的配置构造。此外，能够在散热器的长边方向确保比较大的空间，即使在半导体激光元件的谐振器长度变长的情况下，也能够容易地确保密封冷却用流体的流路的密封构件等的配置空间。
[0013]也可以为，喷出孔由多个圆孔构成。在这种情况下，能够充分提高从喷出孔喷出的冷却用流体的压力，进一步提高半导体激光元件的冷却效率。
[0014]也可以为，在喷出孔的内壁实施镀金。在这种情况下，能够通过镀金来抑制因冷却用流体而导致的喷出孔的内壁的离子化。由此，能够抑制因喷出孔随时间的推移的直径扩大而导致的从喷出孔喷出的冷却用流体的压力降低。
[0015]也可以为，在俯视散热器时，供给路在与喷出孔的配置方向交叉的方向上延伸。由此，能够实现从喷出孔喷出的冷却用液体的压力的均匀化。
[0016]也可以为，具备与散热器邻接配置的间隔件，在散热器与间隔件之间配置有与半导体激光元件电连接的电极引线。在这种情况下，由于能够与半导体激光元件邻近配置电极引线，因此，能够以低损耗对半导体激光元件输入上升时间较快的电流脉冲。因此，能够实现半导体激光元件的短脉冲动作。
[0017]也可以为，具备：虚设杆，其与配置于配置区域的半导体激光元件排列配置，在半导体激光元件的谐振方向上延伸。在这种情况下，能够提高散热器等的姿态的稳定性。
[0018]也可以为，半导体激光元件是量子级联激光元件。根据该半导体激光装置的结构，即使在将具有比较长的谐振器长度和比较高的发热量的量子级联激光元件配置于配置区域的情况下，也能够高效地实施由散热器进行的冷却。
[0019]专利技术效果
[0020]根据本公开，能够实现由散热器进行的半导体激光元件的冷却效率的提高。
附图说明
[0021]图1是示出本公开的一个实施方式的半导体激光装置的立体图。
[0022]图2是示出包括半导体激光元件和散热器的构造体的分解立体图。
[0023]图3是图2所示的构造体的主视图。
[0024]图4是散热器的立体图。
[0025]图5是示出散热器的第一层的俯视图。
[0026]图6是示出散热器的第二层的俯视图。
[0027]图7是示出散热器的第三层的俯视图。
[0028]图8是示出散热器与半导体激光元件的配置关系的主要部分放大俯视图。
[0029]图9是示出散热器与半导体激光元件的配置关系的主要部分放大截面图。
[0030]图10是示出包括半导体激光元件和散热器的构造体的变形例的主视图。
[0031]图11是示出散热器的变形例的主要部分放大俯视图。
具体实施方式
[0032]以下，参照附图，对本公开的一个方面的半导体激光装置的优选实施方式进行详细说明。
[0033]图1是示出本公开的一个实施方式的半导体激光装置的立体图。如图1所示，半导体激光装置1具有：由支架(holder)2支承包括半导体激光元件12和散热器13的构造体11的结构。在以下的说明中，将来自半导体激光元件12的激光L的出射方向设为X方向，将在图1的水平面内与X方向正交的方向设为Y方向，将构造体11的各结构要素的层叠方向设为Z方向。从Z方向的视点，相当于本公开中的俯视。
[0034]支架2由底板3、侧板4和顶板5构成。作为支架2的形成材料，例如可以列举铝、不锈钢(SUS)等。在从Z方向观察的情况下，底板3和顶板5呈以X方向为短边、以Y方向为长边的长方形状。在底板3设置有：用于将后述的冷却用流体R供给到构造体11的供给口、以及用于将冷却用流体R从构造体11排出的排出口(底板3的供给口和排出口均未图示)。侧板4呈矩形状，以将底板3和顶板5中的一个长边侧的边缘部彼此相连的方式配置。侧板4的高度与构造体11的高度对应。构造体11被底板3和顶板5沿各结构要素的层叠方向夹持。
[0035]侧板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体激光装置，其中，具备：半导体激光元件和冷却所述半导体激光元件的散热器，所述散热器，在表面具有配置有所述半导体激光元件的配置区域，并且具有：与所述配置区域分离地设置有供给冷却用流体的供给口和排出所述冷却用流体的排出口的主体部，在所述主体部内设置有：供给路，其将从所述供给口侧供给的所述冷却用流体朝向所述配置区域引导；喷出孔，其使由所述供给路引导的所述冷却用流体在所述配置区域下喷出；和排出路，其将从所述喷出孔喷出的所述冷却用流体朝向所述排出口引导，在俯视所述散热器时，所述喷出孔沿着配置于所述配置区域的所述半导体激光元件的谐振方向配置，在俯视所述散热器时，所述排出路在与配置于所述配置区域的所述半导体激光元件的谐振方向交叉的方向上延伸。2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，所述散热器在俯视时呈具有长边和短边的长方形状，配置于所述配置区域的所述半导体激...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木伸孝，秋草直大，枝村忠孝，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：