一种应用于开关电容电路的双自举开关制造技术

本发明专利技术属于数模混合信号集成电路技术领域，具体涉及一种应用于开关电容电路的双自举开关。它由１３个ＭＯＳ管和两个电容组成，相对于传统的自举开关增加了一条自举支路，使得开关开启阶段开关管的栅源电压为２ＶＤＤ，为传统自举开关的两倍，减小了导通电阻的阻值，增加了线性度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种应用于开关电容电路的双自举开关，其特征在于由１３个ＭＯＳ管和２个电容组成，其中第一ＭＯＳ管（Ｍ１）、第二ＭＯＳ管（Ｍ２）的源极分别接电源电压和地，漏极分别接第一电容（Ｃ１）的上下极板第二节点（２）和第一节点节点（１），栅极分别接第六节点（Ｇ）和时钟ＣＫＮ；第三ＭＯＳ管（Ｍ３）、第四ＭＯＳ管（Ｍ４）的源端分别接到电源电压和第一节点（１），栅极都接到时钟ＣＫ，漏极相接，称为第三节点（３）；第五ＭＯＳ管（Ｍ５）的源极、栅极、漏极分别接到第二节点（２）、第三节点（３）、第六节点（Ｇ）；第六ＭＯＳ管（Ｍ６）的源极、栅极、漏极分别接到第一节点（１），第六节点（Ｇ），第三节点（３）；第七ＭＯＳ管（Ｍ７）、第八ＭＯＳ管（Ｍ８）的源极和第十ＭＯＳ管（Ｍ１０）的漏极接在一起，称为第四节点（４）；第七ＭＯＳ管（Ｍ７）的栅极、漏极分别接到电源电压和第六节点（Ｇ）；第八ＭＯＳ管（Ｍ８）的栅极、漏极分别接到时钟ＣＫ和电源电压；第十ＭＯＳ管（Ｍ１０）的栅极、源极分别接到时钟ＣＫＮ和地电压；第九ＭＯＳ管（Ｍ９）的源极、栅极、漏极分别接到第一节点（１）、第六节点（Ｇ）和信号输入节点；开关ＭＯＳ管Ｍｓ的源极、漏极分别接输入、输出信号，栅极接第六节点（Ｇ）；第十一ＭＯＳ管（Ｍ１１）的漏极、栅极、源极分别接到第二电容（Ｃ２）的电极板、时钟ＣＫＮ和地电压；第十二ＭＯＳ管（Ｍ１２）的漏极与第二电容（Ｃ２）的上极板相接，成为第五节点（５），栅极、源极分别接到第六节点（Ｇ）和电源电压；第十三ＭＯＳ管（Ｍ１３）的漏极、栅极、源极分别接到第五节点（５）、第六节点（Ｇ）和第一节点（１）。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许俊，苟曦，叶凡，任俊彦，李宁，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]