一种承载组件和化学机械抛光系统技术方案

技术编号:38127809 阅读:13 留言:0更新日期:2023-07-08 09:33
本发明专利技术公开了一种承载组件和化学机械抛光系统,所述承载组件包括:承载头,其上端设置有连接法兰;驱动件,其下端配置有驱动法兰;所述连接法兰与驱动法兰通过磁吸固定并通过卡接件连接为一体,以将所述驱动件的动力传递至承载头。本发明专利技术提供的承载组件和化学机械抛光系统,承载头与驱动件通过磁吸的方式连接,两者形成的磁吸力部分抵消了承载头的重力,以便于承载头的拆卸及安装;承载头与驱动件之间设置有磁块,以便于一边手托举承载头,一边操作卡接件,有效控制作业人员数量,提升作业效率;在驱动法兰的底部配置电磁吸盘,以通过磁吸力吸合承载头的连接法兰,抵消或部分抵消承载头的自重,提高操作的便捷性。提高操作的便捷性。提高操作的便捷性。

【技术实现步骤摘要】
一种承载组件和化学机械抛光系统


[0001]本专利技术属于化学机械抛光
,具体而言,涉及一种承载组件和化学机械抛光系统。

技术介绍

[0002]集成电路产业是信息技术产业的核心,在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体,芯片制造涉及集成电路设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中,化学机械抛光属于晶圆制造工序中的五大核心制程之一。
[0003]化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。化学机械抛光通常将晶圆吸合于承载头的底面,晶圆具有沉积层的一面抵接抛光垫上表面,承载头在驱动组件的致动下与抛光垫同向旋转并给予晶圆向下的载荷;抛光液供给于抛光垫的上表面并分布在晶圆与抛光垫之间,使得晶圆在化学和机械的共同作用下完成晶圆的化学机械抛光。
[0004]现有技术中,承载头通过卡箍等卡接件连接于驱动装置的下方。由于承载头需要定期开展维护保养作业,因此,操作人员需手动将承载头拆卸。因承载头自身的重量较大,需要两名操作人员配合完成拆卸。即一名操作人员托举承载头,另一名操作人员拆卸卡接件。这在一定程度上影响承载头拆卸的便捷性,影响作业效率。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供了一种承载组件和化学机械抛光系统,旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0006]本专利技术实施例的第一方面提供了一种承载组件,其包括:
[0007]承载头,其上端设置有连接法兰;
[0008]驱动件,其下端配置有驱动法兰;
[0009]所述连接法兰与驱动法兰通过磁吸固定并通过卡接件连接为一体,以将所述驱动件的动力传递至承载头。
[0010]在一些实施例中,所述连接法兰的端面配置有磁块,其数量为多个并间隔设置于连接法兰的端面。
[0011]在一些实施例中,所述驱动法兰的端面配置有磁块,其数量为多个并间隔设置于驱动法兰的端面。
[0012]在一些实施例中,所述连接法兰和驱动法兰的端面配置有磁块,所述磁块的位置相对应,并且,磁块相对面的磁极相反。
[0013]在一些实施例中,所述连接法兰配置有第一通气孔,所述磁块设置于所述第一通气孔的外周侧。
[0014]在一些实施例中,所述驱动法兰配置有第二通气孔,所述磁块设置于所述第二通
气孔的外周侧。
[0015]在一些实施例中,所述连接法兰配置有第一通气孔,所述驱动法兰配置有第二通气孔,所述第一通气孔与所述第二通气孔的位置相匹配,所述磁块设置于第一通气孔及第二通气孔的外周侧。
[0016]在一些实施例中,所述连接法兰和/或驱动法兰由碳钢制成。
[0017]在一些实施例中,所述连接法兰和/或驱动法兰由不锈钢制成。
[0018]在一些实施例中,所述驱动法兰配置有电磁吸盘,所述电磁吸盘设置于驱动法兰的下部,以吸附承载头的连接法兰,所述连接法兰由碳钢制成。
[0019]在一些实施例中,所述电磁吸盘为环状结构或盘状结构,所述驱动法兰配置有第二通气孔,所述电磁吸盘设置于所述第二通气孔的外侧。
[0020]本专利技术实施例的第二方面提供了一种化学机械抛光系统,其包括上面所述的承载组件,其还包括抛光盘、修整器和供液臂;所述承载组件吸附待抛光的晶圆抵压于抛光盘上方的抛光垫,所述修整器用于修整抛光垫的表面,所述供液臂将抛光液供给于抛光垫与待抛光的晶圆之间。
[0021]本专利技术的有益效果包括:
[0022]a.承载头与驱动件通过磁吸的方式连接,两者形成的磁吸力部分抵消了承载头的重力,以便于承载头的拆卸及安装;
[0023]b.承载头与驱动件之间设置有磁块,以便于一边手托举承载头,一边操作卡接件,有效控制作业人员数量,提升作业效率;
[0024]c.在驱动法兰的底部配置电磁吸盘,以通过磁吸力吸合承载头的连接法兰,抵消或部分抵消承载头的自重,提高操作的便捷性。
附图说明
[0025]通过结合以下附图所作的详细描述,本专利技术的优点将变得更清楚和更容易理解,这些附图只是示意性的,并不限制本专利技术的保护范围,其中:
[0026]图1是本专利技术一实施例提供的承载组件的示意图;
[0027]图2是本专利技术一实施例提供的承载头的示意图;
[0028]图3是本专利技术一实施例提供的连接法兰的俯视图;
[0029]图4是图1对应的承载组件另一个视角的示意图;
[0030]图5是本专利技术一实施例提供的驱动件的示意图;
[0031]图6是本专利技术一实施例提供的驱动法兰的仰视图;
[0032]图7是本专利技术另一实施例提供的驱动法兰的仰视图;
[0033]图8是本专利技术另一实施例提供的承载组件的示意图;
[0034]图9是配置有发电模块的承载组件的示意图;
[0035]图10是配置有遮挡板的承载组件的示意图;
[0036]图11是本专利技术一实施例提供的承载头拆卸的流程图;
[0037]图12是本专利技术一实施例提供的一种化学机械抛光系统的示意图。
具体实施方式
[0038]下面结合具体实施例及其附图,对本专利技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本专利技术的特定的具体实施方式,用于说明本专利技术的构思;这些说明均是解释性和示例性的,不应理解为对本专利技术实施方式及本专利技术保护范围的限制。除在此记载的实施例外,本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案,这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。
[0039]本说明书的附图为示意图,辅助说明本专利技术的构思,示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是,为了便于清楚地表现出本专利技术实施例的各部件的结构,各附图之间并未按照相同的比例绘制,相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。
[0040]在本专利技术中,“化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)”也称为“化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)”,晶圆(Wafer,W)也称基板(Substrate),其含义和实际作用等同。
[0041]本公开内容的实施例,总体上涉及在半导体器件制造工业中使用的化学机械抛光(CMP)单元,化学机械抛光时,由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在晶圆与抛光垫之间流动,抛光液在抛光垫的传输和旋转离心力的作用下均匀分布,以在晶圆和抛光垫之间形成一层液体薄膜,液体中的化学成分与晶圆产生化学反应,将不溶物质转化为易溶物质,然后通过磨粒的微机械摩擦将这些化学反应物从晶圆表面去除,溶入流动的液体中带走,即在化学成膜和机械去膜的交替过程中去除表面材料实现表面平坦化处理,从而达到全局平坦化的目的。
[0042]图1是本专利技术一实施例提供的一种承载组件100的示意本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种承载组件,其特征在于,包括:承载头,其上端设置有连接法兰;驱动件,其下端配置有驱动法兰;所述连接法兰与驱动法兰通过磁吸固定并通过卡接件连接为一体,以将所述驱动件的动力传递至承载头。2.如权利要求1所述的承载组件,其特征在于,所述连接法兰的端面配置有磁块,其数量为多个并间隔设置于连接法兰的端面。3.如权利要求1所述的承载组件,其特征在于,所述驱动法兰的端面配置有磁块,其数量为多个并间隔设置于驱动法兰的端面。4.如权利要求1所述的承载组件,其特征在于,所述连接法兰和驱动法兰的端面配置有磁块,所述磁块的位置相对应,并且,磁块相对面的磁极相反。5.如权利要求2所述的承载组件,其特征在于,所述连接法兰配置有第一通气孔,所述磁块设置于所述第一通气孔的外周侧。6.如权利要求3所述的承载组件,其特征在于,所述驱动法兰配置有第二通气孔,所述磁块设置于所述第二通气孔的外周侧。7.如权利要求4所述的承载组件,其特征在于,所述连接法兰配置有第一通气孔,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:马旭刘远航靳凯强路新春赵德文
申请(专利权)人:华海清科股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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