【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种染料／氧化物半导体杂化薄膜的制备方法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤： ａ．基底的清洗和活化：首先用去离子水将基底清洗干净后浸泡在滴有盐酸的乙醇溶液中，并超声处理３０分钟，静置２４小时后，用去离子水冲洗，晾干备用；所述的基底材 料为玻璃或ＰＣ片； ｂ．配制反应溶液：配制一定浓度的氧化物前驱体、有机染料以及稳定配合剂硼酸的混合溶液；所述的前驱体为金属氧化物（ＮＨ↓［４］）↓［２］ＴｉＦ↓［６］；有机染料为罗丹明Ｂ、Ｒｕ配体系列染料或酞菁系列染料中的任一种；前驱 体（ＮＨ↓［４］）↓［２］ＴｉＦ↓［６］与稳定配合剂Ｈ↓［３］ＮＯ↓［３］用量的摩尔质量比为１∶１～１∶１．２；有机染料的加入量以前驱体氟钛酸按为计量基准，为氟钛酸铵用量的１～２％； ｃ．染料／氧化物半导体杂化薄膜的制备：采用液相沉积 法结合外场微波辐照低温条件下制备；将上述配制好的混合溶液搅拌均匀后放入套有水溶的聚四氟乙烯溶器中，并将上述洁净的基底放入于装盛有反应混合淀溶液的所述容器中，水溶加热３０～５０分钟，加热温度为６０～８０℃，然后将容器放入特定的微波发生装置中，作为辅助加热，并在微波...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：施利毅，赵尹，袁帅，廖建华，方建慧，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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