一种含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物及其应用，属于半导体技术领域，本发明专利技术提供化合物的结构如通式(1)所示：本发明专利技术化合物应用于OLED器件的发光层或电子传输层后，可有效降低器件的电压，提升器件的电流效率及使用寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
一种含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物及其应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件的阳极和发光层之间可以存在空穴传输区域，并且在发光层和阴极之间可以存在电子传输区域。来自阳极的空穴可以通过空穴传输区域向发光层迁移，来自阴极的电子可以通过电子传输区域向发光层迁移，空穴和电子在发光层中复合并产生激子。根据重金属原子的自旋耦合效应，有机金属化合物材料可以直接从三线态发射能量跃迁到基态，理论上可以实现100％的内量子产率。
[0003]尽管如此，对于三线态发光的磷光OLED，在器件电压、电流效率以及寿命方面仍然有改进的需求。发光层中主体材料的性能通常会较大程度地影响有机电致发光器件的上述关键性能。根据现有技术，被用作主体材料的化合物通常包含三嗪基团。而现有的三嗪类衍生物作为主体材料使用时，在器件电压、电流效率，尤其是在启亮电压和器件寿命上均有改善的需求。本专利技术提供具有低电压、高效率，长寿命，尤其是低启亮电压及长高温寿命的主体替代材料。
[0004]对于磷光OLED，发光层通常存在空穴和电子不平衡，高电流密度下器件效率滚降严重的问题。本专利技术还提供两种主体材料的组合，可有效解决上述不足。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的上述问题，本专利技术提供了一种含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物及其应用。本专利技术提供具有低电压及低启亮电压、高效率，尤其是更长寿命及更长高温寿命的主体替代材料。
[0006]本专利技术的技术方案为：
[0007]一种含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物，所述化合物的结构如通式(1)所示：
[0008][0009]通式(1)中，X表示为氧或硫原子；Y每次出现独立地表示为C
‑
H或C
‑
D；
[0010]A1表示为通式(2
‑
1)至(2
‑
3)任一种所示结构：
[0011][0012]通式(2
‑
1)至(2
‑
3)中，X0表示为氧或硫原子；Y每次出现独立地表示为C
‑
H或C
‑
D。优选方案，所述化合物的结构如通式(3
‑
1)至(3
‑
3)中任一种表示：
[0013][0014]所述X、X0、Y的含义同上文中的限定。
[0015]优选方案，所述化合物的结构如通式(4
‑
1)至(4
‑
8)中任一种表示：
[0016][0017]所述X、X0、Y的含义同上文中的限定。
[0018]优选方案，所述化合物的结构如通式(1
‑
1)至(1
‑
4)中任一种表示：
[0019][0020]通式(1
‑
1)至(1
‑
4)中，X表示为氧或硫原子；Y每次出现独立地表示为C
‑
H或C
‑
D；A1表示为通式(2
‑
1)至(2
‑
3)任一种所示结构：
[0021][0022]通式(2
‑
1)至(2
‑
3)中，X0表示为氧或硫原子；Y每次出现独立地表示为C
‑
H或C
‑
D。优选方案，所述A1表示为通式(a
‑
1)至(a
‑
11)中任一种所示结构：
[0023][0024][0025]通式(a
‑
1)至(a
‑
11)中，X0表示为氧或硫原子；Y每次出现独立地表示为C
‑
H或C
‑
D。优选方案，所述的含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物的具体结构为如下化合物中的任一种：
[0026][0027][0028][0029][0030][0031][0032][0033][0034][0035][0036][0037][0038][0039]一种有机电致发光器件，包含阴极、阳极和功能层，所述功能层位于阴极和阳极之间，至少一层功能层含有所述含三嗪和二苯五元环类结构的化合物。
[0040]优选方案，所述功能层包括发光层，所述发光层含有所述的含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物。
[0041]进一步优选，所述发光层的发光主体材料由所述的含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物与化合物GH
‑
1至GH
‑
170中的任意一种或多种混合而成，所述化合物GH
‑
1至GH
‑
170的具体结构为：
[0042][0043][0044][0045][0046][0047][0048][0049][0050]进一步优选，所述功能层包括空穴阻挡层和/或电子传输层，所述空穴阻挡层和/或电子传输层含有所述的含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物。
[0051]一种照明或显示元件，其特征在于，所述照明或显示元件包括所述的有机电致发光器件。
[0052]与现有技术相比，本专利技术有益的技术效果在于：
[0053]1)本专利技术提供的化合物中咔唑基团与二苯并五元环之间的桥连方式使其和现有技术中化合物相比具有更长的的常温寿命和高温寿命，同时发光效率更高，有助于提升器件整体性能。
[0054]2)本专利技术提供的化合物在支链中进一步引入氘原子，应用于发光层有助于改善器件在高电流密度下的效率滚降问题并提升器件寿命。
附图说明
[0055]图1为本专利技术所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图；
[0056]其中，1为透明基板层，2为阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为电子阻挡层，6为发光层，7为电子传输层，8为电子注入层，9为阴极层，10为CPL层。
具体实施方式
[0057]本专利技术合成实施例中涉及到的原料均可从市场购得。
[0058]以下结合附图和实施例对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。
[0059]在本专利技术中，除非另有说明，HOMO意指分子的最高占据轨道，LUMO意指分子的最低
空轨道。此外，在本专利技术中，HOMO和LUMO能级用绝对值表示，并且能级之间的比较也是比较其绝对值的大小，本领域技术人员知晓能级的绝对值越大，则该能级的能量越低。
[0060]本文中所列出的任何数值范围意指包括纳入所列范围内具有相同数值精度的全部子范围。例如，“1.0至10.0”意指包括在所列最小值1.0和所列最大值10.0之间的全部子范围(且包括1.0和10.0)，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的全部子范围。本文所列出的任何最大数值限制意指包括纳入本文的全部更小的数值限制，并且本文所列出的任何最小数值限制意指包括纳入本文的全本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1)所示：通式(1)中，X表示为氧或硫原子；Y每次出现独立地表示为C
‑
H或C
‑
D；A1表示为通式(2
‑
1)至(2
‑
3)任一种所示结构：通式(2
‑
1)至(2
‑
3)中，X0表示为氧或硫原子；Y每次出现独立地表示为C
‑
H或C
‑
D。2.根据权利要求1所述的含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(3
‑
1)至(3
‑
3)中任一种表示：所述X、X0、Y的含义同权利要求1中的限定。3.根据权利要求1所述的含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(4
‑
1)至(4
‑
8)中任一种表示：
所述X、X0、Y的含义同权利要求1中的限定。4.根据权利要求1所述的含三嗪和二苯并五元环类结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1
‑
1)至(1
‑
4)中任一种表示：通式(1
‑
1)至(1
‑
4)中，X表示为氧或硫原子；Y每次出现独立地表示为C
‑
H或C
‑
D；A1表示为通式(2
‑
1)至(2
‑
3)任一种所示结构：
通式(2
‑
1)至(2
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：陈尚千，桑生龙，曹旭东，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：