微型电阻层的制造方法以及微型电阻器的制造方法技术

一种微型电阻层的制造方法以及微型电阻器的制造方法。此微型电阻层的制造方法包含：提供基材；利用网版印刷工艺或溅射(sputtering)工艺来形成第一电阻层于基材上，其中第一电阻层覆盖基材的复数个产品区域；将第一电阻层切割为复数个第二电阻层，其中每一产品区域包含一个第二电阻层，每一第二电阻层的面积小于0.4*0.2平方毫米；以及根据预设电阻值来修整每一第二电阻层的图案，以使每一第二电阻层的图案对应至预设电阻值。此微型电阻器的制造方法应用上述微型电阻层的制造方法来制造微型电阻器。如此，可提供微型的电阻层以及电阻器。以及电阻器。以及电阻器。

【技术实现步骤摘要】
微型电阻层的制造方法以及微型电阻器的制造方法


[0001]本专利技术是有关于一种微型电阻层的制造方法以及微型电阻器的制造方法。

技术介绍

[0002]随着经济与科技的快速发展，各种电子产品，例如智能型手机、平板电脑以及笔记本电脑需要提供更多的功能来满足用户的需求。例如，智能型手机需要提供照相功能和影像处理功能来满足用户对相片质量的需求。因此，电子产品需要使用体积较小的电子零件，以整合更多的电子零件于电子产品中来满足用户的需求。
[0003]电阻器是制造电子产品所必需的电子元件。为了满足小体积的要求，各种小体积的微型电阻器，例如01005型微型电阻器和0075型微型电阻器，被陆续开发出来以满足小体积电阻器的需求。然而，目前的微型电阻器制造方法需要较高的成本与时间，因此需要一种耗时更小以及成本更低的微型电阻器制造方法。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本专利技术的实施例提出一种微型电阻层的制造方法以及微型电阻器的制造方法，其可大幅减少微型电阻器的制造时间以及降低微型电阻器的制造成本。
[0005]根据本专利技术的一实施例，上述微型电阻层的制造方法包含：提供基材，其中此基材被定义出复数个产品区域，每一产品区域的面积在0.4*0.2平方毫米(mm2)以下；利用网版印刷工艺或溅射(sputtering)工艺来形成第一电阻层于基材上，其中第一电阻层覆盖产品区域；将该第一电阻层切割为复数个第二电阻层，其中每一产品区域包含第二电阻层的一者，每一第二电阻层的面积小于0.4*0.2平方毫米(mm2)；以及根据预设电阻值来修整每一第二电阻层的图案，以使每一第二电阻层的图案对应至预设电阻值。
[0006]在一些实施例中，网版印刷工艺应用全开口网版。
[0007]根据本专利技术的一实施例，上述微型电阻器的制造方法包含：提供基材，其中此基材具有相对的第一表面以及第二表面，此基材被定义出复数个电阻器区域，每一电阻器区域的面积在0.4*0.2平方毫米(mm2)以下；于基材的第一表面上形成复数个第一内电极对，其中每一电阻器区域包含上述第一内电极对的一者；于基材的第二表面上形成复数个第二内电极对，其中每一电阻器区域包含上述第二内电极对的一者；利用网版印刷工艺或溅射工艺来形成第一电阻层于基材的第一表面上，以覆盖电阻器区域；将第一电阻层切割为复数个第二电阻层，其中每一电阻器区域包含上述第二电阻层的一者，每一第二电阻层的面积小于0.4*0.2平方毫米(mm2)；根据预设电阻值来修整每一电阻器区域的该第二电阻层的图案，以使每一电阻器区域的第二电阻层的图案对应至预设电阻值；根据电阻器区域将基材切割成复数个长条基材；形成外电极层于每一长条基材上，其中外电极层包含侧电极层，且电性连接每一电阻器区域的第一内电极对、第二内电极对以及第二电阻层；以及根据电阻器区域来切割每一长条基材，以获得面积在0.4*0.2平方毫米(mm2)以下的复数个微型电阻器。
[0008]在一些实施例中，将第一电阻层切割为第二电阻层的步骤利用激光来进行。
[0009]在一些实施例中，根据预设电阻值来修整每一电阻器区域的第二电阻层的图案的步骤利用激光来进行。
[0010]在一些实施例中，网版印刷工艺应用全开口网版。
[0011]在一些实施例中，其中上述电阻器区域以矩阵的形式来排列，而具有复数个电阻器行和复数个电阻器列。
[0012]在一些实施例中，全开口网版包含复数个开口，每一开口的面积根据矩阵的每一电阻器行的面积来决定。
[0013]根据本专利技术的一实施例，上述微型电阻器的制造方法包含：提供基材，其中此基材具有相对的第一表面以及第二表面，此基材被定义出复数个电阻器区域，每一电阻器区域的面积在0.4*0.2平方毫米(mm2)以下；于基材的第一表面上形成复数个第一内电极对，其中每一电阻器区域包含上述第一内电极对的一者；于基材的第二表面上形成复数个第二内电极对，其中每一电阻器区域包含第二内电极对的一者；利用网版印刷工艺或溅射工艺来形成第一电阻层于基材的第一表面上，以覆盖上述电阻器区域；将第一电阻层切割为复数个第二电阻层，其中每一电阻器区域包含上述第二电阻层的一者，每一第二电阻层的面积小于0.4*0.2平方毫米(mm2)；根据预设电阻值来修整每一电阻器区域的第二电阻层的图案，以使每一电阻器区域的第二电阻层的图案对应至预设电阻值；进行外电极形成步骤，以于每一该些电阻器区域中形成外电极层，其中外电极层包含侧电极层，且电性连接每一电阻器区域的第一内电极对、第二内电极对以及第二电阻层；以及根据电阻器区域来切割基材，以获得面积在0.4*0.2平方毫米(mm2)以下的复数个微型电阻器。
[0014]在一些实施例中，将第一电阻层切割为第二电阻层的步骤利用激光来进行。
[0015]在一些实施例中，根据该预设电阻值来修整每一电阻器区域的第二电阻层的图案的步骤利用激光来进行。
[0016]在一些实施例中，上述电阻器区域以矩阵的形式来排列，而具有复数个电阻器行和复数个电阻器列。
[0017]在一些实施例中，网版印刷工艺应用全开口网版。
[0018]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
[0019]图1为绘示根据本专利技术实施例的微型电阻层的制造方法的流程示意图。
[0020]图2A为绘示根据本专利技术实施例的基材的示意图。
[0021]图2B为绘示根据本专利技术实施例的第一电阻层的示意图。
[0022]图2C为绘示根据本专利技术实施例的第二电阻层的示意图。
[0023]图2D为绘示根据本专利技术实施例的第二电阻层的图案修整的示意图。
[0024]图3A为绘示根据本专利技术实施例的全开口网版的示意图。
[0025]图3B为绘示根据本专利技术实施例的全开口网版的示意图。
[0026]图4为绘示根据本专利技术实施例的微型电阻器的制造方法的流程示意图。
[0027]图5A为绘示根据本专利技术实施例的基材的示意图。
[0028]图5B为绘示根据本专利技术实施例的第一电极对的示意图。
[0029]图5C为绘示根据本专利技术实施例的第二电极对的示意图。
[0030]图5D为绘示根据本专利技术实施例的第一电阻层的示意图。
[0031]图5E为绘示根据本专利技术实施例的第二电阻层的示意图。
[0032]图5F为绘示根据本专利技术实施例的第二电阻层的图案修整的示意图。
[0033]图5G为绘示根据本专利技术实施例的具有第二电阻层的微型电阻器的示意图。
[0034]图6为绘示根据本专利技术实施例的微型电阻层的制造方法的流程示意图。
[0035]图7A为绘示根据本专利技术实施例的基材的示意图。
[0036]图7B为绘示根据本专利技术实施例的第一电阻层的示意图。
[0037]图7C为绘示根据本专利技术实施例的第二电阻层的示意图。
[0038]图7D为绘示根据本专利技术实施例的第二电阻层的图案修整的示意图。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型电阻层的制造方法，其特征在于包含：提供基材，其中该基材被定义出复数个产品区域，每一该些产品区域的面积在0.4*0.2平方毫米(mm2)以下；利用网版印刷工艺或溅射(sputtering)工艺来形成第一电阻层于该基材上，其中该第一电阻层覆盖该些产品区域；将该第一电阻层切割为复数个第二电阻层，其中每一该些产品区域包含该些第二电阻层的一者，每一该些第二电阻层的面积小于0.4*0.2平方毫米(mm2)；以及根据预设电阻值来修整每一该些第二电阻层的图案，以使每一该些第二电阻层的图案对应至该预设电阻值。2.根据权利要求1所述的微型电阻层的制造方法，其特征在于该网版印刷工艺应用全开口网版。3.一种微型电阻器的制造方法，其特征在于包含：提供基材，其中该基材具有相对的第一表面以及第二表面，该基材被定义出复数个电阻器区域，每一该些电阻器区域的面积在0.4*0.2平方毫米(mm2)以下；于该基材的该第一表面上形成复数个第一内电极对，其中每一该些电阻器区域包含该些第一内电极对的一者；于该基材的该第二表面上形成复数个第二内电极对，其中每一该些电阻器区域包含该些第二内电极对的一者；利用网版印刷工艺或溅射(sputtering)工艺来形成第一电阻层于该基材的该第一表面上，以覆盖该些电阻器区域；将该第一电阻层切割为复数个第二电阻层，其中每一该些电阻器区域包含该些第二电阻层的一者，每一该些第二电阻层的面积小于0.4*0.2平方毫米(mm2)；根据预设电阻值来修整每一该些电阻器区域的该第二电阻层的图案，以使每一该些电阻器区域的该第二电阻层的图案对应至该预设电阻值；根据该些电阻器区域将该基材切割成复数个长条基材；形成外电极层于每一该些长条基材上，其中该外电极层包含侧电极层，且电性连接每一该些电阻器区域的该第一内电极对、该第二内电极对以及该第二电阻层；以及根据该些电阻器区域来切割每一该些长条基材，以获得面积在0.4*0.2平方毫米(mm2)以下的复数个微型电阻器。4.根据权利要求3所述的微型电阻器的制造方法，其特征在于将该第一电阻层切割为该些第二电阻层的步骤利用激光来进行。5.根据权利要求3所述的微型电阻器的制造方法，其特征在于根据该预设电阻值来修整每一该些电阻器区域的该第二电阻层的图案的步骤利用...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧胜利，纪智伟，
申请(专利权)人：国巨股份有限公司，
类型：发明
国别省市：