触头装置和具有其的继电器制造方法及图纸

本申请公开了一种触头装置和具有其的继电器。触头装置包括：第一触头；第二触头，与第一触头可活动地电连接，第二触头与第一触头之间的接触面积小于第一触头和/或第二触头的横截面面积；磁屏蔽件，磁屏蔽件设于第二触头与第一触头的接触位置的外侧，磁屏蔽件为非封闭的屏蔽件。本申请的触头装置能够通过屏蔽或者减少收缩电流之间的磁场，减少霍姆斥力。减少霍姆斥力。减少霍姆斥力。

【技术实现步骤摘要】
触头装置和具有其的继电器


[0001]本申请涉及继电器
，更具体地，涉及一种触头装置和应用该触头装置的继电器。

技术介绍

[0002]在短路发生时，尤其是大的短路电流发生时，继电器可以用于保持电流导通，让能量积聚到熔断器促使熔断器快速熔断。短路电流在动触头和静触头的接触点界面之间，由于电流收缩会不可避免的产生相互排斥的霍姆力，该力几乎和电流的平方成正比，大小从十几牛到几十牛不等。
[0003]为了克服电斥力带来的不良影响，例如弹开后电流拉弧，引发高温甚至爆炸，现有技术是通过增加一个相反的力来抵消不良影响，例如利用弹簧力。为了维持动触头和静触头的触点闭合的力，外加的弹簧力必须大于排斥的霍姆力，但如果一味增大用于维持闭合的弹簧力，会导致需要极大的增大线圈功率或者产品体积。

技术实现思路

[0004]本申请的一个目的是提供一种触头装置的新技术方案，能够解决现有技术中为了维持触点闭合导致需要极大的增大线圈功率或者产品体积的问题。
[0005]本申请的又一个目的是提供一种继电器的新技术方案，包括上述触头装置。
[0006]根据本申请的一个目的，提供了一种触头装置，包括：第一触头；第二触头，所述第二触头与所述第一触头可活动地电连接，所述第二触头与所述第一触头之间的接触面积小于所述第一触头和/或所述第二触头的横截面面积；磁屏蔽件，所述磁屏蔽件设于所述第二触头与所述第一触头的接触位置的外侧，所述磁屏蔽件为非封闭的屏蔽件。
[0007]可选地，所述磁屏蔽件设于所述第一触头和所述第二触头的接触的位置的外周的一部分。
[0008]可选地，所述磁屏蔽件为具有缺口的环形件。
[0009]可选地，所述环形件的弧度为5π/3～π/2。
[0010]可选地，所述磁屏蔽件为导磁件或永磁件。
[0011]可选地，所述第二触头为板形件，所述板形件具有顶面、底面和侧面，所述顶面与所述第一触头相对设置，所述底面与所述顶面相对设置且位于所述板形件远离所述第一触头的一侧，所述侧面位于所述顶面和所述底面之间，在所述第二触头与所述第一触头导通时，电流经过所述底面和所述侧面中的一个以及所述顶面。
[0012]可选地，所述第一触头靠近所述第二触头的一端的端面为圆弧面。
[0013]可选地，所述磁屏蔽件设置在所述第一触头或所述第二触头上。
[0014]可选地，所述第二触头处于断开状态的条件下，所述磁屏蔽件分别与所述第一触头和所述第二触头分开设置。
[0015]根据本申请的又一个目的，还提供了一种继电器，包括上述任一实施例所述的触
头装置。
[0016]根据本公开的一个实施例，通过将磁屏蔽件设置在第一触头和第二触头之间的内凹处，将磁屏蔽件置于经过第一触头和第二触头的电流的收缩位置的中间，通过屏蔽或者减少收缩电流之间的磁场，减少霍姆斥力。本申请的触头装置具有结构简单、体积小、耗能小等优点。
[0017]通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0018]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本申请的实施例，并且连同其说明一起用于解释本申请的原理。
[0019]图1是根据本申请的一个实施例的触头装置的结构示意图；
[0020]图2是根据本申请的一个实施例的第一触头和第二触头之间的电流收缩示意图；
[0021]图3是根据本申请的一个实施例的触头装置在未应用磁屏蔽件时的磁场示意图；
[0022]图4是根据本申请的一个实施例的触头装置在应用本申请的磁屏蔽件时的磁场示意图；
[0023]图5是根据本申请的一个实施例的触头装置在应用闭环的磁屏蔽件时的磁场示意图；
[0024]图6是根据本申请的又一个实施例的触头装置的示意图；
[0025]图7是根据本申请的又一个实施例的触头装置的磁场示意图；
[0026]图8是根据本申请的又一个实施例的触头装置在应用本申请的磁屏蔽件时的磁场示意图。
[0027]附图标记
[0028]触头装置100；
[0029]第一触头10；第二触头20；磁屏蔽件30。
具体实施方式
[0030]现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。
[0031]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。
[0032]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
[0033]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0034]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0035]下面结合附图对根据本申请实施例的触点装置100进行详细说明。
[0036]如图1至图8所示，根据本申请实施例的触头装置100包括第一触头10、第二触头20和磁屏蔽件30。
[0037]具体而言，第二触头20与第一触头10可活动地电连接，第二触头20与第一触头10之间的接触面积小于第一触头10和/或第二触头20的横截面面积，磁屏蔽件30设于第二触头20与第一触头10的接触位置的外侧，磁屏蔽件30为非封闭的屏蔽件。
[0038]换言之，根据本申请实施例的触头装置100主要由第一触头10、第二触头20和磁屏蔽件30组成，其中第一触头10和第二触头20之间可以发生相对运动，第二触头20可以靠近或者远离第一触头10。
[0039]在第二触头20靠近并接触第一触头10时，第二触头20处于导通状态，电流能够经过第一触头10和第二触头20，即当第一触头10和第二触头20接触时，负载回路导通，电流可以顺利通过第一触头10和第二触头20的接触位置。在需要断开负载切断电流时，第二触头20可以向下移动与第一触头10脱离接触，此时第二触头20处于断开状态，负载回路停止导通。
[0040]其中，当第二触头20处于导通状态，第二触头20和第一触头10之间的接触部位的面积小于第一触头10和第二触头20中的任一个的横截面面积。将从第一触头10向第二触头20的方向定义为第一方向，这里的横截面可以指沿着与第一方向相垂直的第二方向的截面，例如在第一方向为竖直方向时，第二方向为水平方向。也就是说，第一触头10和第二触头20接触时，在第一触头10和第二触头20的接触位置形成有内凹的结构。
[0041]下面结合实施例对第一触头10和第二触头20之间的接触部位的电流和磁场进行详细说明。
[0042]例如，第一触头10位于第二触头20的上方，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种触头装置，其特征在于，包括：第一触头；第二触头，所述第二触头与所述第一触头可活动地电连接，所述第二触头与所述第一触头之间的接触面积小于所述第一触头和/或所述第二触头的横截面面积；磁屏蔽件，所述磁屏蔽件设于所述第二触头与所述第一触头的接触位置的外侧，所述磁屏蔽件为非封闭的屏蔽件。2.根据权利要求1所述的触头装置，其特征在于，所述磁屏蔽件设于所述第一触头和所述第二触头的接触的位置的外周的一部分。3.根据权利要求2所述的触头装置，其特征在于，所述磁屏蔽件为具有缺口的环形件。4.根据权利要求3所述的触头装置，其特征在于，所述环形件的弧度为5π/3～π/2。5.根据权利要求1所述的触头装置，其特征在于，所述磁屏蔽件为导磁件或永磁件。6.根据权利要求1所述的触头装置，其特征在于，所述第二触头...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆涛，雷小勇，黄加坤，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：