本发明专利技术为一种芯片置中式扇出面板级封装结构及其封装方法，该芯片置中式扇出面板级封装结构包含一绕线层、一形成于该绕线层上并包含多个柱状开口及一芯片开口的聚酰亚胺层、多个分别穿经对应的该柱状开口设置于该绕线层上的金属柱、一穿经该芯片开口设置于该绕线层上的芯片及一形成于该聚酰亚胺层上并包覆该些金属柱及该芯片的封胶层；其中该聚酰亚胺层用于消除该封装的翘曲，由于该聚酰亚胺层形成于该封胶体内，且该芯片穿经该芯片开口直接设置于该绕线层上，因此，额外增加一聚酰亚胺层并不会增加该芯片置中式扇出面板级封装结构的高度。的高度。的高度。
【技术实现步骤摘要】
芯片置中式扇出面板级封装结构及其封装方法
[0001]本专利技术是有关于一种封装结构，特别指一种芯片置中式扇出面板级封装结构。
技术介绍
[0002]请参阅图6及图7，其为现有的两芯片置中式扇出面板级封装结构93、93
’
，如图6所示的该芯片置中式扇出面板级封装结构93包含一上绕线层931、一下绕线层932、一封胶层933以及多个芯片94，其中该些芯片94由该封胶层933包覆；该些芯片94及该封胶层933由该上及下绕线层931、932包夹；因此，该些芯片94设置于该芯片置中式扇出面板级封装结构93的中间位置。
[0003]如图6所示，各该芯片94的一主动面941朝下并电连接该下绕线层932，故该下绕线层932(例如5P4M重布线层)的层数多于该上绕线层931(例如2P1M重布线层)；因此，该下绕线层932的收缩力F1大于该上绕线层的收缩力F2，此一收缩力的差异造成该芯片置中式扇出面板级封装结构93向下弯曲；另一方面，如图7所示，各该芯片94的该主动面941朝上并电连接该上绕线层931，故该上绕线层931(例如3P2M重布线层)的层数多于该下绕线层932(例如1P1M重布线层)，因此，该上绕线层931的收缩力F2大于该下绕线层932的收缩力F1，此一收缩力的差异造成该芯片置中式扇出面板级封装结构93
’
向上弯曲。
[0004]综上所述，该上绕线层及该下绕线层之间的层数差异会造成该芯片置中式扇出面板级封装结构的翘曲。当该芯片置中式扇出面板级封装结构的高度必须维持不变时，也无法通过在较少层数的绕线层中增加胶层的方式来克服翘曲问题；因此，现有的该芯片置中式扇出面板级封装结构有必要进行改良。
技术实现思路
[0005]有鉴于上述芯片置中式扇出面板级封装结构的翘曲的问题，本专利技术的主要目的是提出一种消除双绕线层的层数差异所造成的翘曲的芯片置中式扇出面板级封装结构及其封装方法。
[0006]为达上述目的，本专利技术所使用的主要技术手段为令上述芯片置中式扇出面板级封装结构包含：
[0007]一第一绕线层；
[0008]一第一聚酰亚胺层，形成于该第一绕线层上，并包含：
[0009]一第一芯片开口；以及
[0010]多个柱状开口；
[0011]多个金属柱，形成于该第一绕线层上，并分别穿经该些柱状开口；
[0012]一芯片，穿经该第一芯片开口并设置于该第一绕线层上，其包含：
[0013]一主动面；
[0014]一背面，相对于该主动面；
[0015]多个金属凸块，形成于该主动面上；以及
[0016]一黏着层，形成于该背面及该第一绕线层之间；
[0017]一第一封胶层，形成于该第一聚酰亚胺层上，并包覆该些金属柱以及该芯片；以及
[0018]一第二绕线层，形成于该第一封胶层上，并分别电连接至该些金属柱以及该芯片的该些金属凸块，其中该第二绕线层的层数多于该第一绕线层。
[0019]由上述说明可知，该第一聚酰亚胺层用于消除该芯片置中式扇出面板级封装结构的翘曲；该第一聚酰亚胺层形成于该芯片置中式扇出面板级封装结构内部，且该芯片穿经该第一芯片开口并直接设置于该第一绕线层上；如此，本专利技术额外增加该第一聚酰亚胺层，可有效地消除该芯片置中式扇出面板级封装结构的翘曲，且不会使该芯片置中式扇出面板级封装结构的高度增加。
[0020]为达上述目的，本专利技术所使用的主要技术手段为令上述芯片置中式扇出面板级封装方法包含以下步骤：
[0021](a)于一第一载板上形成一第一绕线层；
[0022](b)于该第一绕线层上形成一第一聚酰亚胺层；
[0023](c)于该第一聚酰亚胺层贯穿形成多个第一芯片开口及多个柱状开口；
[0024](d)于该第一绕线层上形成多个金属柱，该些金属柱分别穿经该些柱状开口，并与该第一绕线层电连接；
[0025](e)将多个芯片分别穿经该些第一芯片开口设置于该第一绕线层上，其中各该芯片的一背面由一黏着层设置于该第一绕线层上，且各该芯片的一主动面形成多个金属凸块；
[0026](f)于该第一聚酰亚胺层上形成一第一封胶层以包覆该些金属柱及该些芯片；
[0027](g)对该第一封胶层进行一减薄制程，直至该些金属柱及各该芯片的该些金属凸块自该第一封胶层外露；
[0028](h)于该第一封胶层上形成一第二绕线层，并令该第二绕线层分别与该些金属柱及该些芯片的该些金属凸块电连接；以及
[0029](i)进行一切割步骤，以分离各该芯片置中式扇出面板级封装结构。
[0030]由上述说明可知，该第一聚酰亚胺层于设置该些芯片前形成于该第一绕线层上，因此，该第一聚酰亚胺层形成于该芯片置中式扇出面板级封装结构内以消除其翘曲；此外，由于该些芯片同样穿经各该第一芯片开口并直接设置于该第一绕线层上，于该芯片置中式扇出面板级封装结构内额外增加该第一聚酰亚胺层时，该芯片置中式扇出面板级封装结构的高度维持不变，可于消除翘曲的同时维持电子元件尺寸。
[0031]为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下，但不作为对本专利技术的限定。
附图说明
[0032]图1为本专利技术芯片置中式扇出面板级封装结构的第一实施例的一剖面图。
[0033]图2为本专利技术芯片置中式扇出面板级封装结构的第二实施例的一剖面图。
[0034]图3为本专利技术芯片置中式扇出面板级封装结构的第三实施例的一剖面图。
[0035]图4A至4H为本专利技术第一实施例封装方法的各步骤的一剖面图。
[0036]图5A至5J为本专利技术第三实施例封装方法的各步骤的一剖面图。
[0037]图6为现有技术的芯片置中式扇出面板级封装结构的一剖面图。
[0038]图7为现有技术的另一芯片置中式扇出面板级封装结构的一剖面图。
[0039]其中，附图标记：
[0040]10:芯片置中式扇出面板级封装结构
[0041]10
’
:芯片置中式扇出面板级封装结构
[0042]10”:芯片置中式扇出面板级封装结构
[0043]20:第一绕线层
[0044]201:底部
[0045]21:聚酰亚胺压合层
[0046]22:金属层
[0047]221:金属垫
[0048]30:第一聚酰亚胺层
[0049]30a:第二聚酰亚胺层
[0050]31:柱状开口
[0051]32:第一芯片开口
[0052]33:接垫开口
[0053]34:第二芯片开口
[0054]40:芯片
[0055]41:堆叠芯片组
[0056]411:主动面
[0057]412:背面
[0058]42:金属柱
[0059]421:突出端
[0060]422:平端
[0061]43:金属本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片置中式扇出面板级封装结构，其特征在于，包含：一第一绕线层；一第一聚酰亚胺层，形成于该第一绕线层上，并包含：一第一芯片开口；以及多个柱状开口；多个金属柱，形成于该第一绕线层上，并分别穿经该些柱状开口；一芯片，穿经该第一芯片开口并设置于该第一绕线层上，其包含：一主动面；一背面，相对于该主动面；多个金属凸块，形成于该主动面上；以及一黏着层，形成于该背面及该第一绕线层之间；一第一封胶层，形成于该第一聚酰亚胺层上，并包覆该些金属柱以及该芯片；以及一第二绕线层，形成于该第一封胶层上，并分别电连接至该些金属柱以及该芯片的该些金属凸块，其中该第二绕线层的层数多于该第一绕线层的层数。2.如权利要求1所述的芯片置中式扇出面板级封装结构，其特征在于，其中各该金属柱包含：一突出端，具有一第一直径，其中该第一直径匹配该第一聚酰亚胺层中与该突出端相对应的该柱状开口的一直径；以及一平端，具有一第二直径，其中该第二直径大于该第一直径。3.如权利要求1所述的芯片置中式扇出面板级封装结构，其特征在于，其中：该芯片小于其对应的该第一芯片开口；以及该芯片与其对应的该第一芯片开口之间形成有一间隙，且该间隙由该第一封胶层填满。4.如权利要求1所述的芯片置中式扇出面板级封装结构，其特征在于，其中该第一绕线层包含：一金属层，包含多个金属垫；以及一聚酰亚胺压合层，形成于该金属层及该第一聚酰亚胺层之间，其中各该金属垫外露于该聚酰亚胺压合层。5.如权利要求4所述的芯片置中式扇出面板级封装结构，其特征在于，进一步包含多个锡球，其中该些锡球分别设置于各该金属垫上。6.如权利要求5所述的芯片置中式扇出面板级封装结构，其特征在于，进一步包含一第二聚酰亚胺层，其形成于该第一绕线层上，以部份包覆该些金属垫，其中该第二聚酰亚胺层的厚度小于各该锡球的高度。7.如权利要求4所述的芯片置中式扇出面板级封装结构，其特征在于，进一步包含：一第三绕线层，形成于该第一绕线层上，并电连接该第一绕线层的该些金属垫，其中该第三绕线层包含多个接垫；一第二聚酰亚胺层，形成于该第三绕线层上，并包含：多个接垫开口，对应该些接垫；以及一第二芯片开口；
一堆叠芯片组，穿经该第二芯片开口并设置于该第三绕线层上，并通过连接线通过该接垫开口，以电连接至相对应的该第三...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤岛浩幸，张简上煜，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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