发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置，所述发光器件包括阳极、阴极、发光层和空穴功能层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间，空穴功能层设置于阳极与发光层之间，空穴功能层的材料包括化合物A和化合物B，化合物A与化合物B能够自组装形成稳定的有序结构，有效地提高了空穴注入，促进了空穴

【技术实现步骤摘要】
发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置。

技术介绍

[0002]发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
[0003]目前，发光器件中存在电子
‑
空穴传输不平衡的问题，该问题在QLED中尤为严重，主要表现为：发光器件的空穴注入水平低于电子注入水平，该问题会导致发光器件的光电性能下降，且缩短发光器件的使用寿命。因此，如何改善电子
‑
空穴传输不平衡的问题对发光器件的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置，改善了发光器件中电子迁移率与空穴迁移率之间差异过大的问题。
[0005]本申请的技术方案如下：
[0006]第一方面，本申请提供了一种发光器件，包括：阳极；
[0007]阴极，与所述阳极相对设置；
[0008]发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
[0009]空穴功能层，设置于所述阳极与所述发光层之间；
[0010]其中，所述空穴功能层的材料包括化合物A和化合物B，所述化合物A为聚(3,4
‑
乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，所述化合物B具有下面通式(Ⅰ)所示的结构：
[0011][0012]在通式(Ⅰ)中，R1和R2彼此独立地选自氢原子、包含碳原子数为1至10的烷基的基团、包含碳原子数为1至8的烷硫基的基团、包含碳原子数为1至8的烷氧基的基团、包含芳基的基团、包含芳氧基的基团、包含
‑
CO
‑
R
s
的基团或包含
‑
CO
‑
O
‑
R
t
的基团，其中，R
s
和R
t
彼此独
立地选自包含碳原子数为1至10的烷基的基团或包含芳基的基团；
[0013]R3至R7彼此独立地选自氢原子、包含碳原子数为1至10的烷基的基团、包含碳原子数为1至8的烷硫基的基团、包含碳原子数为1至8的烷氧基的基团、氰基、硝基或卤素原子；
[0014]R1至R7中的至少一者选自包含碳原子数为1至10的全氟烷基的基团。
[0015]进一步地，所述R1和所述R2彼此独立地选自包含碳原子数为3至6的环烷基的基团、包含碳原子数为1至10的全氟烷基的基团、包含苯基的基团、包含苯氧基的基团、包含
‑
CO
‑
R
s
的基团或包含
‑
CO
‑
O
‑
R
t
的基团，其中，R
s
选自碳原子数为1至10的卤代烷基、碳原子数为3至8的环烷基或苯基中的至少一者，R
t
选自碳原子数为1至10的卤代烷基或苯基中的至少一者。
[0016]进一步地，所述R1或所述R2选自包含全氟烷基的苯基。
[0017]进一步地，所述R3至所述R7彼此独立地选自碳原子数为3至6的环烷基或碳原子数为1至10的全氟烷基中的至少一者。
[0018]进一步地，所述R3至所述R7选自碳原子数为3至6的烷基，且所述R3至所述R7中的至少一者为碳原子数为1至4的全氟烷基。
[0019]进一步地，所述化合物B选自：
[0020][0021][0021]中的至少一者。
[0022]进一步地，在所述空穴功能层中，所述化合物A：所述化合物B的质量比值为1：(1～10)；
[0023]优选地，所述化合物A：所述化合物B的质量比值为1：(5～8)。
[0024]进一步地，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；
[0025]其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生
物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种；
[0026]所述量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe以及HgZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs以及InAlPSb中的至少一种，所述IV
‑
VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe中的至少一种，所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种。
[0027]进一步地，所述发光器件还包括电子传输层，所述电子传输层设置于所述阴极与所述发光层之间，所述电子传输层的材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：阳极；阴极，与所述阳极相对设置；发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及空穴功能层，设置于所述阳极与所述发光层之间；其中，所述空穴功能层的材料包括化合物A和化合物B，所述化合物A为聚(3,4
‑
乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，所述化合物B具有下面通式(Ⅰ)所示的结构：在通式(I)中，R1和R2彼此独立地选自氢原子、包含碳原子数为1至10的烷基的基团、包含碳原子数为1至8的烷硫基的基团、包含碳原子数为1至8的烷氧基的基团、包含芳基的基团、包含芳氧基的基团、包含
‑
CO
‑
R
s
的基团或包含
‑
CO
‑
O
‑
R
t
的基团，其中，R
s
和R
t
彼此独立地选自包含碳原子数为1至10的烷基的基团或包含芳基的基团；R3至R7彼此独立地选自氢原子、包含碳原子数为1至10的烷基的基团、包含碳原子数为1至8的烷硫基的基团、包含碳原子数为1至8的烷氧基的基团、氰基、硝基或卤素原子；R1至R7中的至少一者选自包含碳原子数为1至10的全氟烷基的基团。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述R1和所述R2彼此独立地选自包含碳原子数为3至6的环烷基的基团、包含碳原子数为1至10的全氟烷基的基团、包含苯基的基团、包含苯氧基的基团、包含
‑
CO
‑
R
s
的基团或包含
‑
CO
‑
O
‑
R
t
的基团，其中，R
s
选自碳原子数为1至10的卤代烷基、碳原子数为3至8的环烷基或苯基中的至少一者，R
t
选自碳原子数为1至10的卤代烷基或苯基中的至少一者。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述R1或所述R2选自包含全氟烷基的苯基。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述R3至所述R7彼此独立地选自碳原子数为3至6的环烷基或碳原子数为1至10的全氟烷基中的至少一者。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述R3至所述R7选自碳原子数为3至6的烷基，且所述R3至所述R7中的至少一者为碳原子数为1至4的全氟烷基。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述化合物B选自：
中的至少一者。7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在所述空穴功能层中，所述化合物A：所述化合物B的质量比值为1：(1～10)；优选地，所述化合物A：所述化合物B的质量比值为1：(5～8)。8.根据权利要求1至7任一项中所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS...

【专利技术属性】
技术研发人员：田鹍飞，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：