高比表面积花状氢氧化铟粉体的制备方法技术

本发明专利技术涉及高比表面积花状氢氧化铟的制备方法，属于无机材料 制备工艺技术领域。以In3+的水溶性盐为铟源，尿素为碱源，十二烷 基硫酸钠为表面活性剂，采用水热法制备氢氧化铟粉体。在90-105℃ 低温水热条件下恒温反应12-24h，冷却至室温后过滤得到沉淀，洗涤， 离心沉淀，烘干即得到由纳米片层组装而成的花状高比表面积花状氢 氧化铟粉体。本发明专利技术的优点在于：本发明专利技术采用低温水热法制备花状氢 氧化铟，不仅能使晶体在非受限的条件下充分生长，具有比表面积高， 晶体形貌、大小可控，结晶完好等优点，而且获得的粉体的比表面积 在20-40m2/g，XRD衍射表明主晶相为In(OH)3且沿[100]方向择优取 向生长，杂相为InOOH且含量全部小于12％。该体系在微电子、光 电、敏感器件、催化剂、碱性电池等领域拥有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无机材料制备工艺
，特别是涉及高比表面积 花状氢氧化铟的制备方法。
技术介绍
铟(In)是IIIA族元素，为具有四方晶体结构的低熔点金属，它 易于合成例如InN、 InGaN、 InP和InAs的III-V族合金半导体，可用 于制作发光二极管(LED)等光电器件。近年来，随着科技的发展， 铟及其化合物已经被广泛地应用于各种合金的制造、半导体材料的合 成、红外线检测器和震荡器的制造以及临床医学中的肿瘤放射治疗和 放射性核素显影等行业。氢氧化铟作为铟的一种化合物，可以用作苯 等难降解有机物的光降解催化剂以及碱性电池中的高效缓释剂，此外 掺杂锡后制备的铟锡氧化物(ITO)具有高的可见光透过率以及良好 的导电性而应用于以液晶显示器为主的平板显示器行业，因此铟 的化合物在工业生产以及日常生活中中具有广泛的应用。目前国内外制备氧化铟及其氢氧化铟的方法很多，主要有水溶液 法、热分解法、均相共沉淀法、溶胶-凝胶法、水热法等。其中采用 水溶液法(卢信冲等，专利技术专利公开号CN1412117)的工艺特点主要 是利用加入的添加剂来控制铟锡氢氧化物的长大来获得高品质的球 形纳米氧化铟锡粉体，但是用水溶液法制备的样品存在严重的团聚以3及粒径范围分布宽等缺点。采用热分解法(斯蒂潘，卡图希奇等，专利技术专利公开号CN176120)的工艺特点主要是在氧化气氛火焰中燃烧铟和锡的化合物，将其转化为铟锡复合氧化物纳米球形粉体，但这种 方法的操作过程复杂，条件难以控制。另外，采用均相共沉淀法((钟兴文等，专利技术专利公开号CN1305957)、(宋宁等，专利技术专利公开号 CN101214994)、(张建荣等，专利技术专利公开号CN1775693))的工艺 特点在于将金属铟和金属锡的盐溶液分别溶解乳化，充分混合后共沉 淀，洗涤，过滤，再烘干，灼烧，最后淬火磨碎，即成球形粉体，虽 然工艺简单、周期短、操作方便、对设备的要求不高，但是在具体的 制备过程中存在突出的团聚现象，可利用的粒子活性表面受到很大局 限。采用溶胶-凝胶法((胡奇林等，专利技术专利公开号CN101041459)、 (周慧娟等，专利技术专利公开号CN1225898))的工艺特点在于以金属 醇盐为起始原料，利用醇盐的水解縮聚反应形成凝胶网络结构，但由 于铟锡的金属醇盐价格昂贵且不易获得，不适合于大规模低成本的制 备工艺要求。在这些方法中，水热法能使晶体在非受限的条件下充分 生长，具有晶体形貌、大小可控，结晶完好等优点，同时反应条件也 容易控制。目前已报道的利用水热法制备氢氧化铟或氧化铟的研究很 少，如一种氧化铟纳米线有序集体的制备方法(占金华等，专利技术专利专利技术者杨 周, 清 夏, 廖红卫, 李富进, 颖 陈, 陈曙光 申请人:长沙理工大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
高比表面积花状氢氧化铟粉体的制备方法，其特征在于以含Ｉｎ↑［３＋］的水溶性无机盐水溶液为铟源，尿素为碱源，十二烷基硫酸钠为表面活性剂，将以上反应物经超声震荡后，在密封反应器９０－１０５℃低温水热反应１２－２４ｈ；冷却过滤得到沉淀物经洗涤，离心沉淀，烘干后即得花状氢氧化铟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈曙光，周杨，夏清，廖红卫，陈颖，李富进，
申请(专利权)人：陈曙光，周杨，夏清，廖红卫，陈颖，李富进，
类型：发明
国别省市：43