半导体装置及电力变换装置制造方法及图纸

得到能够小型化的半导体装置及电力变换装置。多个主端子(3)从封装树脂(1)的第2侧面(1b)引出。多个主端子(3)的每一者在封装树脂(1)的内部具有与多个半导体芯片(5

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及电力变换装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置及电力变换装置。

技术介绍

[0002]半导体装置的封装树脂具有彼此相对的第1侧面和第2侧面。信号端子等施加微电压的多个控制端子从第1侧面引出，输出端子等施加高电压的多个主端子从第2侧面引出(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1：日本特开2019
‑
114640号公报
[0004]在相邻的主端子之间，在封装树脂的第2侧面设置凹部，从而能够确保相邻的主端子间的沿面距离。但是，半导体芯片与被导线键合的主端子的键合部以在相邻的主端子之间与第2侧面相对的方式存在于封装树脂的内部。由于无法将进行导线键合的键合部设得小，因此在端子间区域无法确保设置凹部的空间。

技术实现思路

[0005]本专利技术就是为了解决上述那样的课题而提出的，其目的在于，得到能够小型化的半导体装置及电力变换装置。
[0006]本专利技术涉及的半导体装置的特征在于具有：多个半导体芯片；多个控制端子，它们与所述多个半导体芯片连接；多个主端子，它们与所述多个半导体芯片连接，具有比所述控制端子宽的宽度；以及封装树脂，其对所述多个半导体芯片、所述多个控制端子的一部分及所述多个主端子的一部分进行封装，所述封装树脂在俯视观察时呈矩形，具有彼此相对的第1侧面和第2侧面，所述多个控制端子从所述封装树脂的所述第1侧面引出，所述多个主端子从所述封装树脂的所述第2侧面引出，所述多个主端子的每一者在所述封装树脂的内部具有与所述多个半导体芯片中的一者进行导线连接的键合部、与所述键合部相邻的导热部、安装有所述多个半导体芯片中的另一者的安装部，在相邻的所述主端子之间，在所述第2侧面设置凹部，所述导热部的侧面与所述凹部相对，所述键合部的侧面不与所述凹部相对。
[0007]专利技术的效果
[0008]在本专利技术中，在相邻的主端子之间在与第2侧面相对的区域没有配置键合部而是配置导热部。由于能够将没有进行导线键合的导热部的宽度设得窄，因此在相邻的主端子之间能够确保设置凹部的空间。即使在第2面以凹部的深度的量缩小相邻的主端子的间隔，也能够确保沿面距离。因此，能够通过窄间距化而将产品小型化。
附图说明
[0009]图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。
[0010]图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的内部的俯视图。
[0011]图3是表示对比例涉及的半导体装置的内部的俯视图。
[0012]图4是将P端子放大的图。
[0013]图5是表示实施方式2涉及的半导体装置的内部的俯视图。
[0014]图6是表示电力变换系统的结构的框图，该电力变换系统应用了实施方式3涉及的电力变换装置。
具体实施方式
[0015]参照附图，对实施方式涉及的半导体装置及电力变换装置进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同标号，有时省略重复说明。
[0016]实施方式1
[0017]图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。该半导体装置为三相逆变器。封装树脂1在俯视观察时呈矩形，具有彼此相对的第1侧面1a和第2侧面1b。多个控制端子2从封装树脂1的第1侧面1a引出。多个主端子3从封装树脂1的第2侧面1b引出。主端子3具有比控制端子2宽的宽度。具体而言，优选在从封装树脂1凸出的根部，控制端子2的宽度为0.65
±
0.2mm，主端子3的宽度为2
±
0.2mm。
[0018]多个控制端子2具有多个高电位侧控制端子2
H
、多个低电位侧控制端子2
L
。在高电位侧控制端子2
H
施加比低电位侧控制端子2
L
高的电位。多个主端子3具有P主端子3
P
、3个高电位侧主端子3
HU
、3
HV
、3
HW
、3个低电位侧主端子3
LU
、3
LV
、3
LW
。在高电位侧主端子3
HU
、3
HV
、3
HW
施加比低电位侧主端子3
LU
、3
LV
、3
LW
高的电位。P主端子3
P
、高电位侧主端子3
HU
、3
HV
、3
HW
、低电位侧主端子3
LU
、3
LV
、3
LW
在第2侧面1b依次排列地配置。
[0019]高电位侧主端子3
HU
、3
HV
、3
HW
各自与三相逆变器的U相、V相、W相对应。低电位侧主端子3
LU
、3
LV
、3
LW
各自与U相、V相、W相对应。上述3相的端子的排列顺序是自由的，例如，可以是UVW相的排列顺序，可以是UWV相的排列顺序，也可以是WVU相的排列顺序。优选以相同的排列顺序配置高电位侧主端子3
HU
、3
HV
、3
HW
和低电位侧主端子3
LU
、3
LV
、3
LW
，但并非必须以相同的排列顺序配置。
[0020]图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的内部的俯视图。控制芯片4
H
与多个高电位侧控制端子2
H
进行导线连接。半导体芯片5
HU
、5
HV
、5
HW
的栅极电极各自与控制芯片4
H
进行导线连接。控制芯片4
H
与从高电位侧控制端子2
H
输入的信号对应地，对半导体芯片5
HU
、5
HV
、5
HW
分别进行控制。控制芯片4
L
与多个低电位侧控制端子2
L
进行导线连接。半导体芯片5
LU
、5
LV
、5
LW
的栅极电极各自与控制芯片4
L
连接。控制芯片4
L
与从低电位侧控制端子2
L
输入的信号对应地，对半导体芯片5
LU
、5
LV
、5
LW
分别进行控制。此外，也能够将控制芯片4
H
、4
L
构成为一个控制芯片。也可以将控制芯片4
H
、4
L
接合于与多个控制端子2一体地形成的引线框的安装部。
[0021]封装树脂1对控制芯片4
H
、4
L
、半导体芯片5
HU
、5
HV
、5
HW
、5
LU
、5
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：多个半导体芯片；多个控制端子，它们与所述多个半导体芯片连接；多个主端子，它们与所述多个半导体芯片连接，具有比所述控制端子宽的宽度；以及封装树脂，其对所述多个半导体芯片、所述多个控制端子的一部分及所述多个主端子的一部分进行封装，所述封装树脂在俯视观察时呈矩形，具有彼此相对的第1侧面和第2侧面，所述多个控制端子从所述封装树脂的所述第1侧面引出，所述多个主端子从所述封装树脂的所述第2侧面引出，所述多个主端子的每一者在所述封装树脂的内部具有与所述多个半导体芯片中的一者进行导线连接的键合部、与所述键合部相邻的导热部、安装有所述多个半导体芯片中的另一者的安装部，在相邻的所述主端子之间，在所述第2侧面设置凹部，所述导热部的侧面与所述凹部相对，所述键合部的侧面不与所述凹部相对。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述导热部没有进行导线键合。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在与所述第2侧面垂直的方向上，所述键合部的宽度比所述导热部的宽度宽。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述键合部配置于所述主端子从所述封装树脂的外部延伸至内部的延长线之上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述多个主端子具有P主端子、多个高电位侧主端子、多个低电位侧主端子，相邻的所述P主端子与所述高电位侧主端子的间隔及相邻的所述高电位侧主端子的间隔比相邻的所述低电位侧主端子的间隔宽，所述凹部设置于相邻的所述P主端子与所述高电位侧主端子之间及相邻的所述高电位侧主端子之间。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置的工作电压为560～630V，所述凹部的深度大于或等于0.5mm，相邻的所述高电位侧主端子的间隔小于4mm。7.一种半导体装置，其特征在于，具有：多个半导体芯片；多个控制端子，它们与所述多个半导体芯片连接；多个主端子，它们与所述多个半导体芯片连接，具有比所述控制端子宽的宽度；以及封装树脂，其对所述多个半导体芯片、所述多个控制端子的一部分及所述多个主端子的一部分进行封装，所述封装树脂在俯视观察时呈矩形，具有彼此相对的第1侧面和第2侧面，所述多个控制端子从所述封装树脂的所述第1侧面引出，所述多个主端子从所述封装树脂的所述第2侧面引出，
在相邻的所述主端子之间，在所述第2侧面设置有凸部。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述多个主端子的每一者在所述封装树脂的内部具有与所述多个半导体芯片中的一者进行导线连接的键合部、安装有所述多个半导体芯片中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田祥吾，横山脩平，池田直辉，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：