一种去除晶圆表面光刻胶的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种去除晶圆表面光刻胶的方法，所述方法包括：提供上表面覆有光刻胶的待处理晶圆；驱动所述晶圆以第一预设转速旋转45

【技术实现步骤摘要】
一种去除晶圆表面光刻胶的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种去除晶圆表面光刻胶的方法。

技术介绍

[0002]随着信息时代的发展，人工智能、计算机、大数据和集成电路技术也开始迅速发展，故半导体芯片以其高集成度、多功能化和智能化等优良性能被广泛应用。芯片在制程中制作图形是通过光刻制备的，光刻中需要使用光刻胶、光罩、UV光源等；晶圆上涂覆光刻胶，UV光透过光罩打在晶圆上，通过显影、刻蚀、去胶等工序后，晶圆上得到与光罩一样的图形。然而，由于制造条件较差、普通生产人员缺乏专业知识和工艺稳定性较差等原因，导致制程过程中常见不良品的出现，但由于大部分半导体晶圆的价格较高，直接进行报废非常浪费，因此，大多数芯片制造厂商会对不良品进行返工处理。
[0003]目前业内批量式晶圆去胶采用的有槽式浸泡法，使用的浸泡液是去胶液，其主要成分是N甲基吡咯烷酮(NMP)、有机碱、助剂B等，去胶液去胶时需要保持温度在70℃左右，晶圆在药液槽中浸泡反应50
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60分钟，槽式浸泡去胶的方式适用于同时处理多片晶圆的场景，但在实际生产中，有时仅需单片去胶返工，如果采用槽式浸泡去胶的方法就会存在耗时较长、效率较低的情况；现有单片晶圆去胶有采用对旋转的晶圆涂覆光刻胶稀释剂RRC，通过光刻胶稀释剂RRC溶解去除部分厚度的光刻胶层，然后使用等离子体灰化去除剩余的光刻胶层，最后使用湿法清洗晶圆的表面的方法，采用此种方法单片晶圆去胶需耗时3
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6分钟，在实际生产中，对于单片晶圆去胶而言，仍存在耗时较长、去胶效率较低的情况。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种去除晶圆表面光刻胶的方法。
[0005]本专利技术采用以下技术方案：一种去除晶圆表面光刻胶的方法，所述方法包括：
[0006]提供上表面覆有光刻胶的待处理晶圆；
[0007]驱动所述晶圆以第一预设转速旋转45
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50s，同时对所述晶圆上表面中部喷洒溶解剂以溶解光刻胶，所述溶解剂为丙酮与无水乙醇的混合液；
[0008]驱动所述晶圆以第二预设转速旋转23
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30s，分别对所述晶圆上表面及下表面中部喷洒清洗液以对所述晶圆清洗，所述清洗液为丙二醇甲醚与丙二醇甲醚醋酸酯的混合液；
[0009]驱动所述晶圆以第三预设转速旋转5
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10s后停止旋转，并对所述晶圆进行干燥处理，得到表面洁净的晶圆。
[0010]本专利技术提供的一种去除晶圆表面光刻胶的方法，通过驱动晶圆旋转，再对晶圆上表面喷洒以丙酮与无水乙醇为混合液的溶解剂，利用溶解剂与晶圆上的光刻胶反应，旋涂的方式能够使溶解剂与光刻胶充分反应溶解，然后在保持晶圆旋转的情况下，利用以丙二醇甲醚与丙二醇甲醚醋酸酯为混合液的清洗剂将溶解剂及溶解的光刻胶清洗干净，最后直接对清洗干净的晶圆干燥处理，得到洁净的晶圆；整个过程步骤简单，耗时短，有效提高了单片晶圆去胶返工的效率。
[0011]进一步的，所述溶解剂的温度保持在35
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45℃，所述溶解剂中的丙酮与无水乙醇的配比为1:1，其中所述丙酮为EL级，纯度不小于99.7％，所述无水乙醇的纯度不小于99.8％。
[0012]进一步的，所述清洗剂的温度保持在70
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80℃，所述清洗剂中的丙二醇甲醚与丙二醇甲醚醋酸酯的配比为1:1，且所述丙二醇甲醚与所述丙二醇甲醚醋酸酯纯度均不小于99％。
[0013]进一步的，所述溶解剂的流量值为80
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100ml/min。
[0014]进一步的，所述清洗剂的流量值为50～60ml/min。
[0015]进一步的，在驱动所述晶圆以第一预设转速旋转之前，还包括驱动所述晶圆以测试转速旋转3
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5s，所述测试转速为250
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300rpm，所述第一预设转速为30
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50rpm。
[0016]进一步的，对所述晶圆上表面中部喷洒溶解剂的时间为20
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25s，对所述晶圆下表面中部喷洒溶解剂的时间为3
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5s。
[0017]进一步的，所述第二预设转速为900
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1000rpm。
[0018]进一步的，所述第三预设转速为4000
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4500rpm。
[0019]进一步的，对所述晶圆进行干燥处理的步骤具体包括：
[0020]将停止旋转的所述晶圆放至烘盘进行热烘，热烘温度为150
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170℃，热烘时间为25
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30s；
[0021]对热烘后的所述晶圆进行冷却，冷却时间为20
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25s。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本专利技术一实施例的去除晶圆表面光刻胶的方法的流程图；
[0024]图2为本专利技术一实施例中喷洒溶解剂及清洗剂的原理示意图；
[0025]图3为采用本专利技术的去除晶圆表面光刻胶的方法得到的晶圆的良率检测结果示意图。
[0026]附图标记说明：
[0027]10晶圆、11光刻胶、12真空吸盘、13溶解喷嘴、14上喷嘴、15下喷嘴。
具体实施方式
[0028]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术的实施例，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0029]在本专利技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对
本专利技术的限制。
[0030]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0031]在本专利技术实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除晶圆表面光刻胶的方法，其特征在于，所述方法包括：提供上表面覆有光刻胶的待处理晶圆；驱动所述晶圆以第一预设转速旋转45
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50s，同时对所述晶圆上表面中部喷洒溶解剂以溶解光刻胶，所述溶解剂为丙酮与无水乙醇的混合液；驱动所述晶圆以第二预设转速旋转23
‑
30s，分别对所述晶圆上表面及下表面中部喷洒清洗液以对所述晶圆清洗，所述清洗液为丙二醇甲醚与丙二醇甲醚醋酸酯的混合液；驱动所述晶圆以第三预设转速旋转5
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10s后停止旋转，并对所述晶圆进行干燥处理，得到表面洁净的晶圆。2.根据权利要求1所述的去除晶圆表面光刻胶的方法，其特征在于，所述溶解剂的温度保持在35
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45℃，所述溶解剂中的丙酮与无水乙醇的配比为1:1，其中所述丙酮为EL级，纯度不小于99.7％，所述无水乙醇的纯度不小于99.8％。3.根据权利要求1所述的去除晶圆表面光刻胶的方法，其特征在于，所述清洗剂的温度保持在70
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80℃，所述清洗剂中的丙二醇甲醚与丙二醇甲醚醋酸酯的配比为1:1，且所述丙二醇甲醚与所述丙二醇甲醚醋酸酯纯度均不小于99％。4.根据权利要求1所述的去除晶圆表面光刻胶的方法，其特征在于，所述溶解剂的流量值为80
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100ml/min。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卡，曹丹丹，康龙，董国庆，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：