一种基板、TO-CAN组件及封装方法技术

本发明专利技术涉及光电通信技术领域，提供了一种基板、TO

【技术实现步骤摘要】
一种基板、TO
‑
CAN组件及封装方法


[0001]本专利技术涉及光电通信
，提供了一种基板、TO
‑
CAN组件及封装方法。

技术介绍

[0002]目前在光电通信领域中，对于带制冷器的立式同轴激光器TO
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CAN(TO
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CAN，镭射二级体模组)组件，一般采用TO
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CAN封装，TO
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CAN封装属于全封闭式封装，由于其制作工艺简单、生产成本低、变故灵活使用等优势而被广泛应用于光电子器件封装中。
[0003]目前带制冷器和激光器的TO
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CAN立式封装方案(单柱/双柱)都是用一排并列金丝连接激光器陶瓷基板和TO(Transistor Outline，晶体管外形)底座信号板，高频信号线路中键合金丝的长度、线形以及工艺一致性难以达到理想的状态，工艺难度大，对金丝键合设备的依赖度较高；而且并排紧密的金丝排布在现有键合工艺下有可能出现个别金丝弹起的情况，从而高频信号线路上的寄生电感值较大，导致高频线路中的寄生参数较大，信号传输质量不是非常理想。
[0004]鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本
亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题是提供一种基板、TO
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CAN组件及封装方法，解决现有技术中，高频信号线路中键合金丝时，工艺难度大，对金丝键合设备的依赖度较高，以及高频信号线路中的寄生参数较大的问题。
[0006]本专利技术采用如下技术方案：
[0007]第一方面，本专利技术实施例提供一种基板，所述基板1上设置有第一导电层11，所述第一导电层11沿所述基板1的正面向所述基板1的侧面延伸，直到所述第一导电层11延伸到所述基板1的背面，所述第一导电层11用于实现高频信号线路之间的连接。
[0008]进一步地，所述基板1上还设置有第二导电层12和第三导电层13，所述第二导电层12和所述第三导电层13用于实现普通线路之间的连接。
[0009]第二方面，本专利技术实施例提供一种TO
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CAN组件，所述TO
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CAN组件包括：信号板2、连接块3以及如第一方面所述的基板1，其中：
[0010]所述基板1的长度大于所述连接块3的长度，所述基板1设置在所述连接块3上，且所述基板1的两端和所述信号板2抵接；
[0011]所述信号板2上设置有第四导电层21，所述第四导电层21和所述第一导电层11通过连接剂连接，以实现所述基板1和所述信号板2之间的高频信号线路连接。
[0012]进一步地，所述信号板2上设置有第五导电层22和第六导电层23，所述第五导电层22和第二导电层12之间通过金丝键合连接，所述第六导电层23和第三导电层13之间通过金丝键合连接，以实现所述基板1和所述信号板2之间的普通线路连接。
[0013]进一步地，所述TO
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CAN组件还包括TO底座4，所述TO底座4上设置有多个TO引脚41，其中：
[0014]所述连接块3设置在所述TO底座4上，所述信号板2设置在所述TO底座4上，且所述信号板2和对应的所述TO引脚41连接，所述连接块3位于两个所述信号板2之间。
[0015]进一步地，所述TO
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CAN组件还包括支架5，所述支架5竖直设置在所述TO底座4上，所述信号板2贴合设置在所述支架5的侧面，所述信号板2位于所述支架5和对应的所述TO引脚41中间，且所述第四导电层21和所述TO引脚41通过连接剂连接。
[0016]进一步地，所述TO
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CAN组件还包括激光器芯片6，其中：
[0017]所述激光器芯片6设置在所述基板1上，所述激光器芯片6和所述基板1之间通过金丝键合连接；
[0018]所述连接块3设置有第一表面31，所述第一表面31和所述第四导电层21位于同一平面，所述基板1设置在所述第一表面31上。
[0019]进一步地，所述TO
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CAN组件还包括制冷器7、热敏电阻8、MPD过渡块91和MPD芯片92，其中：
[0020]所述制冷器7设置在所述TO底座4上，所述连接块3设置在所述制冷器7上，所述制冷器7和两个所述TO引脚41之间通过金丝键合连接，所述制冷器7用于为所述TO
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CAN组件进行散热；
[0021]所述连接块3还设置有第二表面32，所述第二表面32倾斜于所述第一表面31；
[0022]所述热敏电阻8设置在所述第二表面32上，所述热敏电阻8和所述制冷器7之间通过金丝键合连接，所述热敏电阻8用于监测所述TO
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CAN组件的温度；
[0023]所述MPD过渡块91设置在所述第二表面32上，所述MPD芯片92设置在所述MPD过渡块91上，所述MPD芯片92和所述TO引脚41之间通过金丝键合连接，所述MPD芯片92用于监测所述激光器芯片6的工作状态。
[0024]第三方面，本专利技术实施例提供一种TO
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CAN组件的封装方法，应用于封装如第二方面所述的TO
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CAN组件，所述封装方法包括：
[0025]在连接块3和信号板2上的预设位置设置连接剂；
[0026]将所述基板1设置在所述连接块3上，通过连接剂连接所述基板1和所述连接块3，并通过连接剂连接所述第一导电层11和第四导电层21，实现所述基板1和所述信号板2之间的高频信号线路连接。
[0027]进一步地，所述封装方法还包括：
[0028]将激光器芯片6设置在所述基板1上；
[0029]将制冷器7设置在TO底座4上，将所述连接块3设置在所述制冷器7上；
[0030]将MPD过渡块91和热敏电阻8设置到所述连接块3上，将MPD芯片92贴装到所述MPD过渡块91上；
[0031]进行TO引脚41与所述制冷器7、所述MPD芯片92、所述连接块3之间的金丝键合连接，进行所述激光器芯片6和所述基板1之间、所述信号板2和所述基板1之间、所述制冷器7和所述热敏电阻8之间的金丝键合连接。
[0032]本专利技术实施例中，所述基板1上设置有第一导电层11，所述第一导电层11沿所述基板1的正面向所述基板1的侧面延伸，直到所述第一导电层11延伸到所述基板1的背面，所述第一导电层11用于实现高频信号线路连接，以避免通过一排并列金丝进行高频信号线路连接。本专利技术实施例中，通过介质传输线的形式实现了高频信号线路连接，相对于现有技术中
采用一排并列金丝进行高频信号线路连接而言，降低了高频信号线路连接的工艺难度，对金丝键合设备的依赖度低，而且采用介质传输线实现高频信号线路连接，降低了所述高频信号线路中的寄生参数。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板，其特征在于，基板(1)上设置有第一导电层(11)，所述第一导电层(11)沿所述基板(1)的正面向所述基板(1)的侧面延伸，直到所述第一导电层(11)延伸到所述基板(1)的背面，所述第一导电层(11)用于实现高频信号线路之间的连接。2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板(1)上还设置有第二导电层(12)和第三导电层(13)，所述第二导电层(12)和所述第三导电层(13)用于实现普通线路之间的连接。3.一种TO
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CAN组件，其特征在于，所述TO
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CAN组件包括：如权利要求1或2所述的基板(1)、信号板(2)以及连接块(3)，其中：所述基板(1)的长度大于所述连接块(3)的长度，所述基板(1)设置在所述连接块(3)上，且所述基板(1)的两端和所述信号板(2)抵接；所述信号板(2)上设置有第四导电层(21)，所述第四导电层(21)和所述第一导电层(11)通过连接剂连接，以实现所述基板(1)和所述信号板(2)之间的高频信号线路连接。4.根据权利要求3所述的TO
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CAN组件，其特征在于，所述信号板(2)上设置有第五导电层(22)和第六导电层(23)，所述第五导电层(22)和所述基板(1)上的第二导电层(12)之间通过金丝键合连接，所述第六导电层(23)和所述基板(1)上的第三导电层(13)之间通过金丝键合连接，以实现所述基板(1)和所述信号板(2)之间的普通线路连接。5.根据权利要求3所述的TO
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CAN组件，其特征在于，所述TO
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CAN组件还包括TO底座(4)，所述TO底座(4)上设置有多个TO引脚(41)，其中：所述连接块(3)设置在所述TO底座(4)上；所述信号板(2)设置在所述TO底座(4)上，且所述信号板(2)和对应的所述TO引脚(41)连接，所述连接块(3)位于两个所述信号板(2)之间。6.根据权利要求5所述的TO
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CAN组件，其特征在于，所述TO
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CAN组件还包括支架(5)，所述支架(5)竖直设置在所述TO底座(4)上，所述信号板(2)贴合设置在所述支架(5)的侧面，所述信号板(2)位于所述支架(5)和对应的所述TO引脚(41)中间，且所述第四导电层(21)和所述TO引脚(41)通过连接剂连接。7.根据权利要求5所述的TO
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CAN组件，其特征在于，所述TO
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CA...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝文欣，郑庆立，汪钦，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：