多层电子组件制造技术

本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括多个介电层；侧边缘部，设置在所述主体上；以及外电极，设置在所述主体上。所述主体包括有效部和覆盖部，所述有效部具有在第一方向上交替布置的内电极，且所述介电层介于所述内电极之间，所述覆盖部设置在所述有效部在所述第一方向上的两个表面上。所述有效部、所述覆盖部和所述侧边缘部包括钼(Mo)。第一维度界面部中的Mo含量高于所述有效部的中央部中的Mo含量，所述第一维度界面部是所述有效部的与所述覆盖部和所述侧边缘部中的一个相邻的区域。所述覆盖部和所述侧边缘部中的所述一个中的Mo含量高于所述第一维度界面部中的Mo含量。面部中的Mo含量。面部中的Mo含量。

【技术实现步骤摘要】
多层电子组件
[0001]本申请要求于2021年12月21日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0184078号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种多层电子组件。

技术介绍

[0003]多层陶瓷电容器(MLCC，一种多层电子组件)是安装在各种类型的电子产品(诸如显示装置(包括液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP))、计算机、智能电话、蜂窝电话等)的印刷电路板上的片型电容器以允许向其中充电和从其中放电。
[0004]这样的MLCC(具有诸如紧凑性、保证的高电容和易于安装的优点)可用作各种电子装置的组件。随着各种电子装置(诸如计算机、移动装置等)已经变得更小并且在功率输出方面变得更高，对于多层陶瓷电容器的小型化和更高电容的需求已经增加。
[0005]另外，由于最近对用于汽车的电子部件的行业关注已经增加，因此MLCC也需要具有高可靠性和高强度特性以用于汽车或信息娱乐系统。因此，预计电动汽车普及率迅速增加的趋势将持续，并且随着这样的趋势，电动汽车和自动驾驶汽车的部件需要具有更高的性能和减小的重量。
[0006]特别地，为了使MLCC小型化和增大MLCC的电容，需要使电极的有效区域最大化(增大实现电容所需的有效体积分数)。
[0007]为了实现如上所述的紧凑且高电容的MLCC，在制造MLCC时，应用了如下方法：通过无边缘设计使内电极在主体的宽度方向上暴露以使内电极的宽度方向面积最大化，并且在生坯片制造完成之后执行烧结之前，将单独的侧边缘部附接到生坯片的暴露的宽度方向电极表面。
[0008]因此，可通过单独附接侧边缘部来改善电容器的每单位体积电容，但是存在由于侧边缘部的厚度减小而导致的可靠性可能劣化的问题。
[0009]另外，通常，湿气可能通过最外内电极与覆盖部之间在堆叠方向上的间隙进入而导致多层电子组件的特性劣化，并且当在防潮可靠性评价之后进行缺陷产品的破坏性分析时，覆盖部中烧焦缺陷的发生率趋高。

技术实现思路

[0010]示例性实施例提供了一种具有改善的防潮可靠性的多层电子组件。
[0011]示例性实施例提供了一种可靠、紧凑、高电容的多层电子组件。
[0012]根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括：主体，包括多个介电层并且包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；侧边缘部，设置在所述第五表面和所述
第六表面上；以及外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面上。所述主体包括有效部和覆盖部，所述有效部具有在所述第一方向上交替布置的内电极，且所述介电层介于所述内电极之间，所述覆盖部设置在所述有效部在所述第一方向上的两个表面上。所述有效部、所述覆盖部和所述侧边缘部包括钼(Mo)。第一维度界面部中的Mo含量高于所述有效部的中央部中的Mo含量，所述第一维度界面部是所述有效部的与所述覆盖部和所述侧边缘部中的一个相邻的区域。所述覆盖部和所述侧边缘部中的所述一个中的Mo含量高于所述第一维度界面部中的Mo含量。
[0013]根据本公开的另一方面，一种多层电子组件包括：主体，包括多个介电层并且包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；侧边缘部，设置在所述第五表面和所述第六表面上；以及外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面上。所述主体包括有效部和覆盖部，所述有效部具有在所述第一方向上交替布置的内电极，且所述介电层介于所述内电极之间，所述覆盖部设置在所述有效部在所述第一方向上的两个表面上。在所述有效部中，钼(Mo)含量在朝向所述有效部的中央部的向内方向上减小。
[0014]根据本公开的另一方面，一种多层电子组件包括：主体，包括多个介电层并且包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；以及外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面上。所述主体包括有效部和覆盖部，所述有效部具有在所述第一方向上交替布置的内电极，且所述介电层介于所述内电极之间，所述覆盖部设置在所述有效部在所述第一方向上的两个表面上。所述覆盖部中的钼(Mo)含量大于所述有效部中的Mo含量。
附图说明
[0015]通过结合附图的以下具体实施方式，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解，在附图中：
[0016]图1是根据本公开中的示例性实施例的多层电子组件的示意性立体图；
[0017]图2是图1的多层电子组件的除了外电极之外的立体图；
[0018]图3是示出图1的多层电子组件的除了外电极和侧边缘部之外的立体图；
[0019]图4是沿图1的线I
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I'截取的截面图；
[0020]图5是沿图1的线II
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II'截取的截面图；
[0021]图6是图5的区域A的放大图；
[0022]图7A是图6的区域Aa的放大图，图7B是样品的对应区域的透射电子显微镜(TEM)图像；
[0023]图8A是图5的区域B的放大图，图8B是样品的对应区域的TEM图像；
[0024]图9A是图6的区域Ab的放大图，图9B是样品的对应区域的TEM图像；以及
[0025]图10A是图8A的区域Bb的放大图，图10B是样品的对应区域的TEM图像。
具体实施方式
[0026]在下文中，将参照附图详细描述本专利技术构思的示例性实施例。然而，本专利技术构思可以以多种不同的形式例证，并且不应被解释为限于这里所描述的具体示例性实施例。更确切地说，提供这些示例性实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分地传达本专利技术构思的范围。在附图中，为了清楚起见，可夸大要素的形状和尺寸，并且相同的附图标号将始终用于指定相同或相似的要素。
[0027]为了阐明本公开，与描述无关的部分被省略，且在整个说明书中相似的附图标号指示相似的要素，并且在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。此外，在附图中，虽然在不同的附图中示出，但是相似的附图标号指示相似的要素。在整个说明书中，除非有明确的相反描述，否则词语“包括”、“包含”、“具有”等将被理解为意味着包括所述的要素但并不排除任何其它要素。
[0028]在附图中，第一方向可被定义为堆叠方向或厚度方向，第二方向可被定义为长度方向，并且第三方向可被定义为宽度方向。
[0029]多层电子组件
[0030]图1是根据本公开中的示例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层电子组件，包括：主体，包括多个介电层并且包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；侧边缘部，设置在所述第五表面和所述第六表面上；以及外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面上，其中，所述主体包括有效部和覆盖部，所述有效部具有在所述第一方向上交替布置的内电极，且所述介电层介于所述内电极之间，所述覆盖部设置在所述有效部在所述第一方向上的两个表面上，所述有效部、所述覆盖部和所述侧边缘部包括Mo，并且第一维度界面部中的Mo含量高于所述有效部的中央部中的Mo含量，所述第一维度界面部是所述有效部的与所述覆盖部和所述侧边缘部中的一个相邻的区域。2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述覆盖部和所述侧边缘部中的所述一个中的Mo含量高于所述第一维度界面部中的Mo含量。3.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，包括在所述覆盖部和所述侧边缘部中的所述一个中的Mo含量大于等于0.1at％且小于等于5.5at％。4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述有效部的所述中央部不包括Mo。5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一维度界面部中的Mo含量大于等于0.05at％且小于等于1.0at％。6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，包括在所述覆盖部和所述侧边缘部中的所述一个的在向外方向上与所述第一维度界面部间隔开500nm的区域中的Mo含量大于等于0.1at％且小于等于5.5at％。7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一维度界面部的在向内方向上与所述覆盖部和所述侧边缘部中的所述一个间隔开20nm的区域中的Mo含量大于等于0.05at％且小于等于1.0at％。8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，包括在所述覆盖部和所述侧边缘部中的所述一个的在向外方向上与所述第一维度界面部间隔开500nm的区域中的Mo含量大于等于0.1at％且小于等于5.5at％，并且包括在所述第一维度界面部的在向内方向上与所述覆盖部和所述侧边缘部中的所述一个间隔开20nm的区域中的Mo含量大于等于0.05at％且小于等于1.0at％。9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极的平均厚度小于等于0.4μm。10.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层的平均厚度小于等于0.4μm。11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述侧边缘部的平均宽度小于等于20μm。12.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述覆盖部的平均厚度小于等于20μm。13.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，第二维度界面部中的Mo含量高于所述有效部的所述中央部中的Mo含量，所述第二维度界面部是所述有效部的与所述覆盖部和所述侧边缘部中的另一个相邻的另一区域。
14.根据权利要求13所述的多层电子组件，其中，所述覆盖部和所述侧边缘部中的所述另一个中的Mo含量高于所述第二维度界面部中的Mo含量。15.根据权利要求14所述的多层电子组件，其中，包括在所述覆盖部和所述侧边缘部中的所述另一个中的Mo含量大于等于0.1at％且小于等于5.5at％。16.根据权利要求13所述的多层电子组件，其中，包括在所述第二维度界面部中的Mo含量大于等于0.05at％且小于等于1.0at％。17.根据权利要求13所述的多层电子组件，其中，包括在所述覆盖部和所述侧边缘部中的所述另一个的在向外方向上与所述第二维度界面部间隔开500nm的区域中的Mo含量大于等于0.1at％且小于等于5.5at％。18.根据权利要求13所述的多层电子组...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜秀智，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：