体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法技术

本申请涉及谐振器技术领域，公开一种体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法，其中体声波谐振器包括：第一电极结构；第二电极结构；压电层，位于第一电极结构和第二电极结构之间；第一介质层，位于压电层和第二介质层之间；第二介质层，形成位于第一介质层内的第一方形凸起和第二方形凸起；第二介质层通过第一方形凸起和第二方形凸起与压电层围合形成空腔；第二电极结构至少一端位于空腔内部；谐振载体，位于第二介质层远离第一介质层的一侧，连接第二介质层。这样，在刻蚀拥有方形凸起的体声波谐振器的过程中，第二介质层不需要淀积很厚，使得后续在使用CMP工艺时，需要减薄的第二介质层少，从而降低了制作该体声波谐振器的工艺成本。工艺成本。工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法


[0001]本申请涉及谐振器
，例如涉及一种体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法。

技术介绍

[0002]在制作体声波谐振器的过程中，通常会对淀积的材料进行刻蚀形成锥形通孔，再在刻蚀后的材料上通过CVD（ChemicalVapor Deposition，化学气相沉积）工艺或ALD（atomic layerdeposition，原子层沉积）工艺淀积新的材料以填充锥形通孔，然后通过CMP（chemicalmechanical polish，化学机械研磨）工艺对新的材料进行减薄，使其符合体声波谐振器的制作要求。例如：在牺牲层上进行刻蚀形成锥形通孔，再在刻蚀后的牺牲层上通过CVD或ALD工艺淀积截止边界层或键合层以填充锥形通孔，然后通过CMP工艺对截止边界层或键合层进行减薄。但是，在淀积新的材料的过程中，新的材料通常同时淀积在锥形通孔底部、锥形通孔侧壁和锥形通孔所在材料的外表面。而锥形通孔所在材料的外表面的淀积速率大于锥形通孔底部的淀积速率。因此，在新的材料填充满锥形通孔的过程中，锥形通孔所在材料的外表面被淀积了很厚的新材料。导致后续在使用CMP工艺时，需要减薄的新材料多，从而使制作体声波谐振器的工艺成本较高。

技术实现思路

[0003]为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
[0004]本专利技术实施例提供一种体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法，以降低制作体声波谐振器的工艺成本。
[0005]在一些实施例中，所述体声波谐振器，包括：第一电极结构；第二电极结构；压电层，位于所述第一电极结构和所述第二电极结构之间；第一介质层，位于所述压电层和第二介质层之间；第二介质层，形成位于所述第一介质层内的第一方形凸起和第二方形凸起；所述第二介质层通过所述第一方形凸起和所述第二方形凸起与所述压电层围合形成空腔；所述第二电极结构至少一端位于所述空腔内部；谐振载体，位于所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧，连接所述第二介质层；第二介质层厚度大于1/2的凸起宽度；所述第二介质层厚度为第一介质层和谐振载体之间的第二介质层的厚度；所述凸起宽度为空腔与第一介质层之间的第二介质层的厚度。
[0006]在一些实施例中，第一电极结构，包括：第一电极层，位于所述压电层远离第二电极结构的一侧；第一钝化层，位于所述第一电极层远离所述压电层的一侧，连接所述第一电极层。
[0007]在一些实施例中，第二电极结构，包括：第二电极层，位于所述压电层远离第一电极结构的一侧；第二钝化层，位于所述第二电极层远离所述压电层的一侧，连接所述第二电
极层。
[0008]在一些实施例中，谐振载体，包括：键合层，位于衬底和所述第二介质层之间；衬底，通过所述键合层连接所述第二介质层的非连接侧；所述非连接侧为第二介质层未参与围合形成空腔且未连接第一介质层的一侧。
[0009]在一些实施例中，谐振载体，还包括：第三介质层，位于所述第二介质层和所述键合层之间；所述第三介质层的一侧连接所述第二介质层的非连接侧；所述第三介质层的另一侧连接所述键合层。
[0010]在一些实施例中，所述第二介质层由多晶硅、非晶硅、氮化硅、氮化铝、氮化镓和氮化钽中的一种或多种制成。
[0011]在一些实施例中，用于制作上述的体声波谐振器的方法，包括：在预设的待移除层上依次淀积缓冲层、压电层、第二电极层和第二钝化层；刻蚀所述第二电极层和所述第二钝化层，形成第二电极结构；所述第二电极结构暴露出所述压电层；在暴露出的压电层和所述第二电极结构上淀积第一介质层；刻蚀所述第一介质层，形成带有第一方形通孔和第二方形通孔的第一介质层；在刻蚀后的第一介质层上淀积第二介质层，形成位于所述第一介质层内的第一方形凸起和第二方形凸起；将所述第二介质层通过所述第一方形凸起和所述第二方形凸起与所述压电层围合的第一介质层确定为待腐蚀区域；在所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧，形成连接所述第二介质层的谐振载体；在所述压电层远离所述第二电极结构的一侧形成第一电极结构；腐蚀所述待腐蚀区域，形成空腔。
[0012]在一些实施例中，形成连接所述第二介质层的谐振载体，包括：在所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧淀积键合层；将预设的衬底与所述键合层键合。
[0013]在一些实施例中，形成连接所述第二介质层的谐振载体，包括：在所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧淀积第三介质层；在所述第三介质层远离所述第二介质层的一侧淀积键合层；将预设的衬底与所述键合层键合。
[0014]在一些实施例中，在所述压电层远离所述第二电极结构的一侧形成第一电极结构，包括：移除所述待移除层和所述缓冲层；在所述压电层远离所述第二电极层的一侧淀积第一电极层；在所述第一电极层上淀积第一钝化层；刻蚀所述第一电极层和所述第一钝化层，形成第一电极结构。
[0015]本专利技术实施例提供一种体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法。可以实现以下技术效果：通过设置第一电极结构、第二电极结构。将压电层设置于第一电极结构和第二电极结构之间。将第一介质层设置于压电层和第二介质层之间。第二介质层形成位于第一介质层内的第一方形凸起和第二方形凸起，并通过第一方形凸起和第二方形凸起与压电层围合形成空腔。同时使第二电极结构至少一端位于空腔内部。将谐振载体设置于第二介质层远离第一介质层的一侧，连接第二介质层。这样，在刻蚀拥有方形凸起的体声波谐振器的过程中，会先将通孔刻蚀成方形通孔，再在方形通孔中进行物料填充，从而形成方形凸起。而方形通孔所在第一介质层的外表面的淀积速率约等于方形通孔底部的淀积速率。因此，第二介质层不需要淀积很厚，使得后续在使用CMP工艺时，需要减薄的第二介质层少，从而降低了制作该体声波谐振器的工艺成本。
[0016]以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
[0017]一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：图1是本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种体声波谐振器的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种用于制作体声波谐振器的方法示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的选定部分的俯视图；图5是本专利技术实施例提供的一个待移除层的结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的一个在待移除层上淀积缓冲层后的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的一个在缓冲层上淀积压电层和第二电极层后的结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的一个在第二电极层上淀积第二钝化层后的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的一个刻蚀第二电极层和第二钝化层后的结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的一个在第二电极结构和暴露于第二电极结构外的压电层上淀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：第一电极结构；第二电极结构；压电层，位于所述第一电极结构和所述第二电极结构之间；第一介质层，位于所述压电层和第二介质层之间；第二介质层，形成位于所述第一介质层内的第一方形凸起和第二方形凸起；所述第二介质层通过所述第一方形凸起和所述第二方形凸起与所述压电层围合形成空腔；所述第二电极结构至少一端位于所述空腔内部；谐振载体，位于所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧，连接所述第二介质层；第二介质层厚度大于1/2的凸起宽度；所述第二介质层厚度为第一介质层和谐振载体之间的第二介质层的厚度；所述凸起宽度为空腔与第一介质层之间的第二介质层的厚度。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，第一电极结构，包括：第一电极层，位于所述压电层远离第二电极结构的一侧；第一钝化层，位于所述第一电极层远离所述压电层的一侧，连接所述第一电极层。3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，第二电极结构，包括：第二电极层，位于所述压电层远离第一电极结构的一侧；第二钝化层，位于所述第二电极层远离所述压电层的一侧，连接所述第二电极层。4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，谐振载体，包括：键合层，位于衬底和所述第二介质层之间；衬底，通过所述键合层连接所述第二介质层的非连接侧；所述非连接侧为第二介质层未参与围合形成空腔且未连接第一介质层的一侧。5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，谐振载体，还包括：第三介质层，位于所述第二介质层和所述键合层之间；所述第三介质层的一侧连接所述第二介质层的非连接侧；所述第三介质层的另一侧连接所述键合层。6.根据权利要求1至5任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第二介质层由...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：