一种LDO电路及LDO芯片制造技术

本发明专利技术提供了一种LDO电路及LDO芯片，电路包括：LDO电路模块和限流电路模块，LDO电路模块与限流电路模块并联；限流电路模块包括：第一限流单元、降功耗单元、第二限流单元和工作电流单元，第一限流单元的一端连接LDO电路模块，第二限流单元的一端连接LDO电路模块，降功耗单元的第一端与第一限流单元的另一端连接，降功耗单元的第二端与第二限流单元的另一端连接，降功耗单元的第三端接地，工作电流单元连接工作电流Iout，第一限流单元包括第一MOS管，第二限流单元包括第二MOS管，工作电流单元包括第三MOS管，第一MOS管分别连接第二MOS管和第三MOS管；本申请的LDO电路具有限流保护功能，且功耗降低。且功耗降低。且功耗降低。

【技术实现步骤摘要】
一种LDO电路及LDO芯片


[0001]本专利技术涉及电子电路
，尤其涉及一种LDO电路及LDO芯片。

技术介绍

[0002]LDO(low dropout regulator)，即低压差线性稳压器，是一种常见的电源管理芯片，因其具有静态功耗低、成本低、无输出波纹等特点，所以在便携及通信设备方面有着广泛的应用，但是，LDO在发生输出短路或者负载电流过大的情况时，LDO可能会损坏，特别是在短路的情况下，LDO存在过大的电流从调整管通过，从而会烧坏调整管导致芯片无法工作，影响LDO的正常使用，因此，通常会为LDO设置限流电路，用于保障LDO的正常使用；而且，传统的LDO电路工作时，如果负载电阻Rout1上的电流较大，那么流过限流电路的电流也很大，从而导致限流电路的功耗较大，使得LDO电路的工作成本较高。

技术实现思路

[0003]为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种LDO电路及LDO芯片，通过在LDO限流电路中设置降功耗单元，即保护了LDO电路，且功耗较低。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种LDO电路，包括：
[0005]LDO电路模块和限流电路模块，所述LDO电路模块与所述限流电路模块并联，所述限流电路模块包括：第一限流单元、降功耗单元、第二限流单元和工作电流单元；
[0006]所述第一限流单元的一端连接所述LDO电路模块，所述第二限流单元的一端连接所述LDO电路模块，所述降功耗单元的第一端与所述第一限流单元的另一端连接，所述降功耗单元的第二端与所述第二限流单元的另一端连接，所述降功耗单元的第三端接地，所述工作电流单元连接工作电流，所述第一限流单元包括第一MOS管，所述第二限流单元包括第二MOS管，所述工作电流单元包括第三MOS管，所述第一MOS管分别连接所述第二MOS管和所述第三MOS管；
[0007]所述工作电流单元用于接收所述工作电流，并将所述工作电流通过所述第三MOS管传输到第二MOS管和第一MOS管，以激活所述第二限流单元和所述第一限流单元；
[0008]所述第一限流单元和所述第二限流单元用于接收所述LDO电路模块的输出电流；
[0009]所述降功耗单元用于将所述第一限流单元和所述第二限流单元接收的所述输出电流进行传输。
[0010]一种实施方式中，所述工作电流单元还包括：第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极连接所述工作电流，所述第三PMOS管的漏极连接所述第三MOS管，所述第三PMOS管的栅极连接工作电平。
[0011]一种实施方式中，所述第二限流单元还包括：第二PMOS管和第七PMOS管，所述第二PMOS管的源极连接工作电压，所述第二PMOS管的栅极连接所述LDO电路模块，所述第二PMOS管的漏极连接所述第七PMOS管，所述第七PMOS管的漏极连接所述第二MOS管。
[0012]一种实施方式中，所述降功耗单元包括第六PMOS管和第五NMOS管，所述第六PMOS
管的源极连接所述第二限流单元，所述第六PMOS管的栅极连接所述第一限流单元，所述第六PMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的漏极，所述第五NMOS管的漏极和栅极连接，所述第五NMOS管的源极接地。
[0013]一种实施方式中，所述第一限流单元还包括第五PMOS管，所述第五PMOS管的源极连接所述LDO电路模块，所述第五PMOS管的栅极连接所述第二限流单元，所述第五PMOS管的漏极分别连接所述第一MOS管和所述降功耗单元。
[0014]一种实施方式中，所述限流电路模块还包括精度控制模块，所述精度控制模块包括：第八PMOS管、第九PMOS管、第四NMOS管和第六NMOS管；
[0015]所述第八PMOS管的源极和第九PMOS管的源极分别连接电源电压，所述第八PMOS管的栅极连接第九PMOS管的栅极，所述第九PMOS管的栅极与漏极连接，所述第九PMOS管的漏极连接第四NMOS管的漏极，所述第八PMOS管的漏极连接第六NMOS管的漏极，所述第六NMOS管的栅极连接所述第五NMOS管的栅极，所述第四NMOS管的栅极连接第一NMOS管的栅极，所述第四NMOS管的源极、第六NMOS管的源极以及第三NMOS管的源极接地。
[0016]一种实施方式中，所述LDO电路模块包括运算放大器、功率管和反馈单元，所述运算放大器的输出端连接所述功率管以及第二限流单元，所述运算放大器的第一输入端连接所述反馈单元，所述功率管的输出端分别与所述反馈单元以及第一限流单元连接。
[0017]一种实施方式中，所述反馈单元包括第一反馈电阻和第二反馈电阻，所述运算放大器的反相输入端输入电源电压，所述运算放大器的输出端连接所述功率管的栅极以及第二限流单元，所述功率管的源极连接电源电压，所述功率管的漏极通过第一反馈电阻与运算放大器的同相输入端连接，所述第二反馈电阻的一端连接第一反馈电阻和运算放大器的同相输入端，所述第二反馈电阻的另一端接地。
[0018]一种实施方式中，所述限流电路模块还包括第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极连接电源电压，所述第四PMOS管的漏极连接所述运算放大器的输出端以及所述功率管的栅极。
[0019]第二方面，本申请实施例还提供了一种LDO芯片，包括第一方面中所提供的LDO电路。
[0020]本专利技术的实施例具有如下优点：
[0021]本申请提供的LDO电路及LDO芯片，其中，LDO电路包括了LDO电路模块和限流电路模块，当LDO电路模块负载电流过大时，通过限流电路模块可以实现对LDO电路模块的限流保护；另外，限流电路模块包括第一限流单元、降功耗单元、第二限流单元和工作电流单元，其中，LDO电路模块的输出电流原来需要从第一限流单元和第二限流单元流过，通过设置工作电流单元为限流电路模块提供工作电路之后，输出电流只需要从降功耗单元流过，从而降低了限流电路模块的功耗，从而使得整个LDO电路的功耗降低。
[0022]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对
范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0024]图1为本申请实施例提供的一种LDO电路框架结构图；
[0025]图2为本申请实施例提供的一种LDO电路结构图。
[0026]主要元件符号说明：
[0027]10
‑
LDO电路模块；20
‑
限流电路模块；21
‑
第一限流单元；22
‑
降功耗单元；23
‑
第二限流单元；24
‑
工作电流单元；25
‑
精度控制模块；R1
‑
第一反馈本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDO电路，其特征在于，包括：LDO电路模块和限流电路模块，所述LDO电路模块与所述限流电路模块并联，所述限流电路模块包括：第一限流单元、降功耗单元、第二限流单元和工作电流单元；所述第一限流单元的一端连接所述LDO电路模块，所述第二限流单元的一端连接所述LDO电路模块，所述降功耗单元的第一端与所述第一限流单元的另一端连接，所述降功耗单元的第二端与所述第二限流单元的另一端连接，所述降功耗单元的第三端接地，所述工作电流单元连接工作电流，所述第一限流单元包括第一MOS管，所述第二限流单元包括第二MOS管，所述工作电流单元包括第三MOS管，所述第一MOS管分别连接所述第二MOS管和所述第三MOS管；所述工作电流单元用于接收所述工作电流，并将所述工作电流通过所述第三MOS管传输到第二MOS管和第一MOS管，以激活所述第二限流单元和所述第一限流单元；所述第一限流单元和所述第二限流单元用于接收所述LDO电路模块的输出电流；所述降功耗单元用于将所述第一限流单元和所述第二限流单元接收的所述输出电流进行传输。2.根据权利要求1所述的LDO电路，其特征在于，所述工作电流单元还包括：第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极连接所述工作电流，所述第三PMOS管的漏极连接所述第三MOS管，所述第三PMOS管的栅极连接工作电平。3.根据权利要求1所述的LDO电路，其特征在于，所述第二限流单元还包括：第二PMOS管和第七PMOS管，所述第二PMOS管的源极连接工作电压，所述第二PMOS管的栅极连接所述LDO电路模块，所述第二PMOS管的漏极连接所述第七PMOS管，所述第七PMOS管的漏极连接所述第二MOS管。4.根据权利要求1所述的LDO电路，其特征在于，所述降功耗单元包括第六PMOS管和第五NMOS管，所述第六PMOS管的源极连接所述第二限流单元，所述第六PMOS管的栅极连接所述第一限流单元，所述第六PMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的漏极，所述第五NMOS管的漏极和栅极连接，所述第五NMOS管的源极接地。5.根据权利要求1所述的LDO电路，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾祺琳，
申请(专利权)人：湖南国科微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：