本发明专利技术提供了一种均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，包括：振动单元、下放电单元、控制单元、上放电单元和升降单元；振动单元包括振动基座、弹簧、振动平面和振动电机，振动基座与振动平面通过若干弹簧连接，振动电机驱动振动平面振动；下放电单元包括下放电电极和下介质层，下介质层位于下放电电极的上表面；上放电单元包括上放电电极和上介质层，上介质层位于上放电电极下表面，上介质层与下介质层相对设置；升降单元与上放电单元连接，用于控制上放电单元上下运动；控制单元与振动电机连接，用于控制振动电机的工作，本发明专利技术能够使颗粒料被均匀处理。明能够使颗粒料被均匀处理。明能够使颗粒料被均匀处理。
【技术实现步骤摘要】
一种均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置及方法
[0001]本专利技术涉及颗粒物料加工
，尤其涉及一种均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置及方法。
技术介绍
[0002]介质阻挡放电等离子体(DBD)具有物理蚀刻作用，使用等离子对物料表面进行加工，可以破坏表面致密结构，增加比表面积，提高渗透性。这种蚀刻作用由离子冲击造成，发生在等离子体处理容器正极电极一侧。经文献查询，目前存在的介质阻挡放电等离子体反应容器在处理颗粒料时容器中的颗粒料在处理中处于静止状态，只有靠近放电正极一侧的物料表面能被等离子体处理，无法处理其它侧面，颗粒表面处理极不均匀。
[0003]介质阻挡放电等离子体正负电极的距离与蚀刻作用的强度相关，实际应用中，存在对正负电极距离调节的需要。现存的介质阻挡放电等离子体反应容器上下极板的距离可调节性差，缺少相应的刻度，调节不够精确。
技术实现思路
[0004]针对现有技术中存在不足，本专利技术提供了一种均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，能够使颗粒料被均匀处理。
[0005]本专利技术是通过以下技术手段实现上述技术目的的。
[0006]一种均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，包括：振动单元、下放电单元、控制单元、上放电单元和升降单元；
[0007]所述振动单元包括振动基座、弹簧、振动平面和振动电机，所述振动基座与所述振动平面通过若干弹簧连接，所述振动电机驱动所述振动平面振动；
[0008]所述下放电单元包括下放电电极和下介质层，所述下介质层位于所述下放电电极的上表面；
[0009]所述上放电单元包括上放电电极和上介质层，所述上介质层位于所述上放电电极下表面，所述上介质层与所述下介质层相对设置；
[0010]所述升降单元与所述上放电单元连接，用于控制所述上放电单元上下运动；
[0011]所述控制单元与所述振动电机连接，用于控制振动电机的工作。
[0012]进一步的，所述振动单元还包括弹簧限位柱，所述振动平面的下表面以及所述振动基座的上表面上均设有若干弹簧限位柱，所述弹簧的两端分别于所述弹簧限位柱连接。
[0013]进一步的，所述升降单元包括升降底座、升降台、升降斜面、固定销、固定杆和旋转基座；
[0014]所述旋转基座位于所述升降底座的上表面，所述旋转基座与所述升降底座能够相对转动，所述升降斜面位于所述旋转基座的上表面，所述升降台底部设有第一斜面，所述第一斜面与所述升降斜面的斜面相切，所述升降台固定于固定杆，所述旋转基座旋转能够使
所述升降台上升或者下降。
[0015]进一步的，所述升降单元还包括固定销和升降调节壳，所述升降调节壳与所述旋转基座固连，所述升降底座上设有若干卡槽，所述固定销安装于所述升降调节壳上的滑槽内，所述固定销能够相对于滑槽滑动并伸入至卡槽内，固定所述升降调节壳与所述升降底座的相对位置。
[0016]进一步的，所述上介质层和下介质层均为石英玻璃制成。
[0017]进一步的，所述上放电电极上设置有多层散热片。
[0018]进一步的，所述下放电单元还包括下固定器和下固定胶圈，所述下固定器设置在所述下放电电极和下介质层的外侧，所述下固定胶圈紧套于所述下固定器上。
[0019]进一步的，所述振动电机的激振力通过如下方程确定：
[0020][0021]式中H
D
为所需激振力；f为弹簧阻尼力系数；ω
k
为系统固有频率；ω为振动单元的振动频率。
[0022]进一步的，所述振动电机的个数为两个，两个所述振动电机对称设置于振动平面的下方，且均与所述振动平面连接。
[0023]一种颗粒物料均匀加工的介质阻挡放电等离子体处理方法，包括如下步骤：
[0024]步骤1：根据需求确定振动参数并确定振动单元的振动频率ω；
[0025]步骤2：根据要求选用合适的振动电机和振动弹簧；
[0026]步骤3：将待处理的颗粒物料平铺于下介质板上，通过升降单元调节上放电电极和下放电电极之间的距离；
[0027]步骤4：启动振动电机，使得颗粒物料脱离下介质板发生翻滚；
[0028]步骤5：完成处理后关闭振动电机，取出物料。
[0029]本专利技术的有益效果：
[0030]1)本专利技术通过振动单元使下放电单元上的颗粒物料发生持续的翻滚运动，使得颗粒物料的各表面都有概率暴露于上放电电极，实现颗粒物料各个部位能被均匀处理。同时下放电单元上的固定器可以保证颗粒物始终位于平面内。
[0031]2)本专利技术通过设置的两组相切斜面，能够通过转动升降单元中的旋转面带动其中一组斜面转动，另一组斜面保持固定，通过两组斜面相对位置的改变带动另一组斜面实现上下运动，带动连接于斜面上的上放电单元上下移动，从而改变两放电单元之间的相对位置，通过设置在旋转面上的可滑动固定销，卡槽以及基座上的多个卡槽，固定两斜面相对位置，实现调节放电距离的调整
附图说明
[0032]图1为根据本专利技术实施例的介质阻挡放电等离子体处理装置的结构示意图；
[0033]图2为图1的剖视图；
[0034]图3为图2的A处局部放大图；
[0035]图4为图2的B处局部放大图；
[0036]图5为图2中升降单元的结构示意图；
[0037]图6为图5中的升降台和升降底座示意图；
[0038]图7为图2中的外壳示意图；
[0039]图8为图2中的下固定器示意图；
[0040]附图标记：
[0041]1、控制盒；2、显示器；3、电压调节器；4、正极进线孔；5、顶盖；6、升降调节壳；7、卡槽；8、固定销；9、外壳；10、负极进线孔；11、振动电机固定器；12、弹簧；13、弹簧限位柱；14、振动基座；15、电池；16、控制电路；17、振动电机；18、上固定器；19、上固定胶圈；20、上介质层；21、上放电电极；22、下固定器；23、下放电电极；24、下固定胶圈；25、下介质层；26、振动平面；27、升降台；28、旋转基座；29、升降斜面；30、升降底座；31、定位杆；32、外壳卡槽；33、外壳卡扣；34、凹槽。
具体实施方式
[0042]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0043]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“轴向”、“径向”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，包括：振动单元、下放电单元、控制单元、上放电单元和升降单元；所述振动单元包括振动基座(14)、弹簧(12)、振动平面(26)和振动电机(17)，所述振动基座(14)与所述振动平面(26)通过若干弹簧(12)连接，所述振动电机(17)驱动所述振动平面(26)振动；所述下放电单元包括下放电电极(23)和下介质层(25)，所述下介质层(25)位于所述下放电电极(23)的上表面；所述上放电单元包括上放电电极(21)和上介质层(20)，所述上介质层(20)位于所述上放电电极(21)下表面，所述上介质层(20)与所述下介质层(25)相对设置；所述升降单元与所述上放电单元连接，用于控制所述上放电单元上下运动；所述控制单元与所述振动电机(17)连接，用于控制振动电机(17)的工作。2.根据权利要求1所述的均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，所述振动单元还包括弹簧限位柱(13)，所述振动平面(26)的下表面以及所述振动基座(14)的上表面上均设有若干弹簧限位柱(13)，所述弹簧(12)的两端分别于所述弹簧限位柱(13)连接。3.根据权利要求1所述的均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，所述升降单元包括升降底座(30)、升降台(27)、升降斜面(29)、固定销(8)、固定杆(31)和旋转基座(28)；所述旋转基座(28)位于所述升降底座(30)的上表面，所述旋转基座(28)与所述升降底座(30)能够相对转动，所述升降斜面(29)位于所述旋转基座(28)的上表面，所述升降台(27)底部设有第一斜面，所述第一斜面与所述升降斜面(29)的斜面相切，所述升降台(27)固定于固定杆(31)，所述旋转基座(28)旋转能够使所述升降台(27)上升或者下降。4.根据权利要求3所述的均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，所述升降单元还包括固定销(8)和升降调节壳(6)，所述升降调节壳(...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡健荣，郑经纬，白竣文，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：
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