本发明专利技术提供一种自适应环路振荡器结构及信号源包括：振荡器模块基于驱动信号生成振荡信号；第一调节模块通过设置偏置电流进而输出驱动信号，并基于振荡器模块反馈的工作状态对驱动信号进行正向调节；第二调节模块基于振荡器模块反馈的工作状态对驱动信号进行反向调节；其中，基于第一调节模块与第二调节模块的调节操作，使振荡信号的工作频率与环境温度及工艺角弱相关。通过第一调节模块及第二调节模块对振荡器模块的反馈调节，使振荡信号的工作频率与环境温度及工艺角弱相关，改善了传统环路振荡器对工艺角频率偏差以及环境温度变化极为敏感的问题。结构紧凑，易于进行系统集成。易于进行系统集成。易于进行系统集成。
【技术实现步骤摘要】
一种自适应环路振荡器结构及信号源
[0001]本专利技术涉及集成电路设计与应用
，特别是涉及一种自适应环路振荡器结构及信号源。
技术介绍
[0002]环路振荡器具有线路简单、面积紧凑、起振相对容易等优点。但是环路振荡器的工作频率对工艺角频率偏差以及环境温度变化极为敏感，工作频率随着工艺角频率增大而发生偏差、随着温度增加而产生频率漂移，因此，传统的环路振荡器无法满足对频率精度有更高要求的系统中。
[0003]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种自适应环路振荡器结构及信号源，用于解决现有技术中达成环路振荡器的工作频率与环境温度及工艺角弱相关的目标，实现起来较为困难的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种自适应环路振荡器结构，所述自适应环路振荡器结构至少包括：振荡器模块、第一调节模块及第二调节模块，其中：
[0006]所述振荡器模块基于驱动信号生成振荡信号；
[0007]所述第一调节模块与所述振荡器模块连接，通过设置偏置电流进而输出所述驱动信号，并基于所述振荡器模块反馈的工作状态对所述驱动信号进行正向调节；
[0008]所述第二调节模块与所述振荡器模块及所述第一调节模块连接，所述第二调节模块基于所述振荡器模块反馈的工作状态对所述驱动信号进行反向调节；
[0009]其中，基于所述第一调节模块与所述第二调节模块的调节操作，使所述振荡信号的工作频率与环境温度及工艺角弱相关。
[0010]可选地，所述振荡器模块包括n个级联的振荡器单元，其中，n为大于1的自然数，第n级振荡器单元的输出端与第1级振荡器单元的输入端连接。
[0011]可选地，各所述振荡器单元均包括一个PMOS功率管与一个NMOS功率管，其中：所述PMOS功率管的源极与所述驱动信号连接；所述NMOS功率管的漏极与所述PMOS功率管的漏极连接，所述NMOS功率管的栅极与所述PMOS功率管的栅极连接，所述NMOS功率管的源极与参考地连接。
[0012]可选地，述PMOS功率管与所述NMOS功率管的工作电压均位于亚阈值区。
[0013]可选地，各级振荡器单元中PMOS功率管的参数均相同；各级振荡器单元中NMOS功率管的参数均相同。
[0014]可选地，所述第一调节模块包括：第一镜像PMOS管、第二镜像PMOS管、第一基准
NMOS管、第二基准NMOS管、功率控制NMOS管及电流源，其中：所述第一镜像PMOS管的源极与工作电压连接，所述第一镜像PMOS管的栅极与漏极连接；所述第二镜像PMOS管的源极与工作电压连接，所述第二镜像PMOS管的栅极与所述第一镜像PMOS管的栅极连接；所述功率控制NMOS管的漏极与所述第一镜像PMOS管的漏极连接；所述电流源连接于所述第二镜像PMOS管的源极与所述功率控制NMOS管的栅极之间；所述第一基准NMOS管的漏极与所述第二镜像PMOS管的漏极连接，所述第一基准NMOS管的栅极与所述第一基准NMOS管的漏极连接，所述第一基准NMOS管的源极与参考地连接；所述第二基准NMOS管的漏极与所述功率控制NMOS管的栅极连接，所述第二基准NMOS管的栅极与所述第一基准NMOS管的栅极连接，所述第二基准NMOS管的源极与参考地连接。
[0015]可选地，所述第二调节模块包括：反馈NMOS管与反馈PMOS管，其中：所述反馈NMOS管的漏极与所述第一调节模块连接，所述反馈NMOS管的栅极与所述振荡器模块连接；所述反馈PMOS管的源极与所述反馈NMOS管的源极连接，所述反馈PMOS管的栅极及漏极均与参考地连接。
[0016]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种信号源，所述信号源包括所述的自适应环路振荡器结构，用于生成重复的电子信号。
[0017]如上所述，本专利技术的一种自适应环路振荡器结构及信号源，具有以下有益效果：
[0018]1)本专利技术的自适应环路振荡器结构及信号源，通过第一调节模块及第二调节模块对振荡器模块的反馈调节，使振荡信号的工作频率与环境温度及工艺角弱相关，改善了传统环路振荡器对工艺角频率偏差以及环境温度变化极为敏感的问题。
[0019]2)本专利技术的自适应环路振荡器结构及信号源，结构紧凑，易于进行系统集成。
附图说明
[0020]图1显示为本专利技术的自适应环路振荡器结构的示意图。
[0021]附图标记说明
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自适应环路振荡器结构
[0023]11
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振荡器模块
[0024]111
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振荡器单元
[0025]12
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第一调节模块
[0026]121
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电流源
[0027]13
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第二调节模块
具体实施方式
[0028]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0029]请参阅图1。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型
态也可能更为复杂。
[0030]如图1所示，本实施例提供一种自适应环路振荡器结构1，所述自适应环路振荡器结构1包括：振荡器模块11、第一调节模块12及第二调节模块13，其中：
[0031]如图1所示，振荡器模块11基于驱动信号Sig1生成振荡信号Sig2。
[0032]具体地，作为示例，如图1所示，振荡器模块11包括n个级联的振荡器单元111，其中，n为大于1的自然数，第n级振荡器单元的输出端与第1级振荡器单元的输入端连接。更具体地，各振荡器单元111均包括一个PMOS功率管与一个NMOS功率管，其中：所述PMOS功率管的源极与驱动信号Sig1连接；所述NMOS功率管的漏极与所述PMOS功率管的漏极连接，所述NMOS功率管的栅极与所述PMOS功率管的栅极连接，所述NMOS功率管的源极与参考地GND连接；所述PMOS功率管与所述NMOS功率管的工作电压均位于亚阈值区本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种自适应环路振荡器结构，其特征在于，所述自适应环路振荡器结构至少包括：振荡器模块、第一调节模块及第二调节模块，其中：所述振荡器模块基于驱动信号生成振荡信号；所述第一调节模块与所述振荡器模块连接，通过设置偏置电流进而输出所述驱动信号，并基于所述振荡器模块反馈的工作状态对所述驱动信号进行正向调节；所述第二调节模块与所述振荡器模块及所述第一调节模块连接，所述第二调节模块基于所述振荡器模块反馈的工作状态对所述驱动信号进行反向调节；其中，基于所述第一调节模块与所述第二调节模块的调节操作，使所述振荡信号的工作频率与环境温度及工艺角弱相关。2.根据权利要求1所述的自适应环路振荡器结构，其特征在于：所述振荡器模块包括n个级联的振荡器单元，其中，n为大于1的自然数，第n级振荡器单元的输出端与第1级振荡器单元的输入端连接。3.根据权利要求2所述的自适应环路振荡器结构，其特征在于：各所述振荡器单元均包括一个PMOS功率管与一个NMOS功率管，其中：所述PMOS功率管的源极与所述驱动信号连接；所述NMOS功率管的漏极与所述PMOS功率管的漏极连接，所述NMOS功率管的栅极与所述PMOS功率管的栅极连接，所述NMOS功率管的源极与参考地连接。4.根据权利要求3所述的自适应环路振荡器结构，其特征在于：所述PMOS功率管与所述NMOS功率管的工作电压均位于亚阈值区。5.根据权利要求3所述的自适应环路振荡器结构，其特征在于：各级振荡器单元中PMOS功率管的参数均相同；各级振荡器单元中NMOS功率管的参数均相同。6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：周旭东，高夫，
申请(专利权)人：昕原半导体杭州有限公司昕原半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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