本发明专利技术属于线路成型技术领域,提供一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法,包括以下步骤:S1、在介质表面进行真空磁控溅射,在介质表面沉积一层晶种层;S2、在晶种层上进行线路电镀,制得精细线路层;S3、将带有精细线路层的介质与LCP基材叠合,并进行高温压合,使得LCP基材填入所述精细线路层的间隙中;S4、去除介质;随后,去除晶种层,获得半埋嵌线路LCP;S5、重复所述步骤S1
【技术实现步骤摘要】
一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法
[0001]本专利技术属于线路成型
,具体涉及一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法。
技术介绍
[0002]信息传输的密集性和实时性使得信号传输急剧走向高频化发展,作为电子产品的基础部件印制板(PCB)必然要快速的向高密度化、精细化、集成化的要求发展,因此对于高频类产品线路的精细度和高频性能提高显得尤为重要。
[0003]对于10μm以下的精细线路制作,现阶段使用的常规mSAP工艺难以实现,而磁控溅射晶种层的加工方式会导致线路的金属界面的损耗增加,且带胶压合产生的介质之间的界面也导致高频损耗。因此,有必要提出一种新的精细化线路结构加工方式,以降低线路的高频损耗。
技术实现思路
[0004]为了克服现有技术的上述缺点,本专利技术的目的是提供一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法,该方法有利于降低精细化线路结构的传输损耗。
[0005]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0006]一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法,包括以下步骤:
[0007]S1、在介质表面进行真空磁控溅射,使在所述介质表面沉积一层导电的晶种层;
[0008]S2、在所述晶种层上进行线路电镀,在所述晶种层上制得精细线路层;
[0009]S3、将带有精细线路层的介质与LCP基材叠合,并进行高温压合处理,使得LCP基材填入所述精细线路层的间隙中;
[0010]S4、去除所述介质,使得所述精细线路层中含有所述晶种层的一侧露出;随后,去除所述晶种层,获得半埋嵌线路LCP;
[0011]S5、通过重复所述步骤S1
‑
所述步骤S4,获取两个所述半埋嵌线路LCP,分别为第一半埋嵌线路LCP和第二半埋嵌线路LCP;
[0012]S6、将所述第一半埋嵌线路LCP和第二半埋嵌线路LCP进行叠合,并进行高温压合处理,从而获得埋嵌入LCP材料中的精细线路结构。
[0013]作为优选,所述步骤S1中,在介质表面进行真空磁控溅射,包括:
[0014](1)在所述介质表面进行镍层溅射,随后通入氩气;
[0015](2)对完成步骤(1)的所述介质表面进行二次溅射,随后通入氩气,形成包含镍层和钛层的晶种层。
[0016]作为优选,所述步骤S2中,在所述介质表面的晶种层上进行线路电镀,包括:
[0017](a)选用高解析度的干膜或光刻胶覆盖所述晶种层,并进行曝光、显影处理;
[0018](b)利用溅射而成的晶种层作为导电层进行图形电镀和线路加成,在所述晶种层上制得电镀线路;
[0019](c)对具有晶种层以及电镀线路的介质进行退膜、闪蚀处理,去除干膜或光刻胶以及干膜或光刻胶遮蔽处的晶种层,从而在介质上制得精细线路层。
[0020]作为优选,在所述步骤(a)中,完成显影处理后,采用等离子清除干膜或光刻胶的残脚。
[0021]作为优选,在所述步骤(c)中,在闪蚀处理时,选用针对钛和镍具有蚀刻作用的药水。
[0022]作为优选,在所述步骤S3中,在将带有精细线路层的介质与LCP基材进行叠合前,对介质上的精细线路层做中粗化处理,以提高高温压合后的可靠性。
[0023]作为优选,在所述步骤S4中,采用等离子蚀刻或化学蚀刻的方式去除所述介质;采用微蚀的方式去除所述晶种层。
[0024]作为优选,在所述步骤S6中,在所述第一半埋嵌线路LCP和所述第二半埋嵌线路LCP之间叠合中层LCP基材,通过对所述第一半埋嵌线路LCP、所述第二半埋嵌线路LCP以及所述中层LCP基材进行高温压合处理,从而获得埋嵌入LCP材料中的精细线路结构;
[0025]所述中层LCP基材的Tg点比所述第一半埋嵌线路LCP以及所述第二半埋嵌线路LCP的Tg点低;
[0026]所述步骤S6中进行高温压合时的所需温度低于所述步骤S3进行高温压合时的所需温度。
[0027]作为优选,所述介质为纯介电材料的介质。
[0028]作为优选,所述介质为铜箔基材;
[0029]在所述步骤(c)中,对具有晶种层以及电镀线路的介质进行退膜、闪蚀处理后,还需对介质上的金属铜层进行蚀刻。
[0030]与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:
[0031]本专利技术通过磁控溅射晶种层和线路电镀工艺制作更精细的线路,并且包含去除晶种层的工序,有利于减小精细线路在高频中趋肤效应导致的损耗;同时,本专利技术选用高频材料LCP并采用高温压合的方式,利用LCP材料的流动性粘合层间线路和填覆线路间隙,实现介质材料的一致性,有利于以减小介质界面导致的损耗,从而有利于降低精细化线路结构的传输损耗。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1为本专利技术一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法的第一个实施例的步骤S1
‑
步骤S2的加工示意图。
[0034]图2为本专利技术一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法的第一个实施例的步骤S3
‑
步骤S4的加工示意图.
[0035]图3为本专利技术一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法的第一个实施例的步骤S6的加工示意图。
[0036]图4为本专利技术一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法的第二个实施例的步
骤S1
‑
步骤S2的加工示意图。
[0037]图5为本专利技术一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法的第二个实施例的步骤S3
‑
步骤S4的加工示意图.
[0038]图6为本专利技术一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法的第二个实施例的步骤S6的加工示意图。
[0039]其中:
[0040]1‑
介质,2
‑
晶种层,3
‑
干膜,4
‑
精细线路层,5
‑
LCP基材,6
‑
第一半埋嵌线路LCP,7
‑
第二半埋嵌线路LCP,8
‑
中层LCP基材,9
‑
精细线路结构。
具体实施方式
[0041]为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点,下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行详细描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术,所描述的实施方式仅仅是本专利技术一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本专利技术保护的范围。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在介质表面进行真空磁控溅射,使在所述介质表面沉积一层导电的晶种层;S2、在所述晶种层上进行线路电镀,在所述晶种层上制得精细线路层;S3、将带有精细线路层的介质与LCP基材叠合,并进行高温压合处理,使得LCP基材填入所述精细线路层的间隙中;S4、去除所述介质,使得所述精细线路层中含有所述晶种层的一侧露出;随后,去除所述晶种层,获得半埋嵌线路LCP;S5、通过重复所述步骤S1
‑
所述步骤S4,获取两个所述半埋嵌线路LCP,分别为第一半埋嵌线路LCP和第二半埋嵌线路LCP;S6、将所述第一半埋嵌线路LCP和第二半埋嵌线路LCP进行叠合,并进行高温压合处理,从而获得埋嵌入LCP材料中的精细线路结构。2.根据权利要求1所述的一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法,其特征在于,所述步骤S1中,在介质表面进行真空磁控溅射,包括:(1)在所述介质表面进行镍层溅射,随后通入氩气;(2)对完成步骤(1)的所述介质表面进行二次溅射,随后通入氩气,形成包含镍层和钛层的晶种层。3.根据权利要求1所述的一种5G高频LCP材料埋嵌精细线路的加工方法,其特征在于,所述步骤S2中,在所述介质表面的晶种层上进行线路电镀,包括:(a)选用高解析度的干膜或光刻胶覆盖所述晶种层,并进行曝光、显影处理;(b)利用溅射而成的晶种层作为导电层进行图形电镀和线路加成,在所述晶种层上制得电镀线路;(c)对具有晶种层以及电镀线路的介质进行退膜、闪蚀处理,去除干膜或光刻胶以及干膜或光刻胶遮蔽处的晶种层,从而在介质上制得精细线路层。4.根据权利要求3所述的一种5G高频L...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵城,潘丽,张江,齐伟,王玲,
申请(专利权)人:安捷利番禺电子实业有限公司,
类型:发明
国别省市:
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