光半导体装置制造方法及图纸

光半导体装置具备：次安装基板(7)，在表面设置有GND图案(13)、电容器安装图案(14)及信号线路(11)，在背面设置有GND图案(19)；光调制元件(1)，接合于GND图案(13)的表面；匹配电容器(4)，背面接合于电容器安装图案(14)的表面，表面经由引线(2a)与光调制元件(1)的表面电极连接；匹配电阻(3)，连接电容器安装图案(14)与GND图案(13)；以及保护电阻(6)，在板厚方向上经由次安装基板(7)将经由引线(2b)与光调制元件(1)的表面电极连接的信号线路(11)、和GND图案(19)连接起来，将次安装基板小型化。将次安装基板小型化。将次安装基板小型化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光半导体装置


[0001]本申请涉及光半导体装置。

技术介绍

[0002]以往的光半导体装置为了削减消耗电力而采用了在发光元件与接地(GND)之间加入电容器的构造。在该情况下，为了防止电荷的充电，而与电容器并联地连接有保护电阻(例如参照专利文献1)。
[0003]专利文献1：日本特开2012
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88348号公报(段落0010、图1)
[0004]然而，为了采用该结构而需要用于在次安装基板设置保护电阻的面积，因此存在难以在确保设置保护电阻的面积的同时实施次安装基板的小型化的问题。

技术实现思路

[0005]本申请公开用于解决上述那样的课题，目的在于提供具备在设置保护电阻的同时进行了小型化的次安装基板的光半导体装置。
[0006]本申请所公开的光半导体装置的特征在于，具备：基板，在表面设置有第一GND图案、第一导电图案及第二导电图案，在背面设置有第二GND图案；发光元件，接合于上述第一GND图案的表面；电容器，背面接合于上述第二导电图案的表面，表面经由第一引线与上述发光元件的表面电极连接；第一电阻，连接上述第二导电图案与上述第一GND图案；以及第二电阻，在板厚方向上经由上述基板将经由第二引线与上述发光元件的表面电极连接的上述第一导电图案和上述第二GND图案连接起来。
[0007]根据本申请，能够在设置保护电阻的同时将次安装基板小型化。
附图说明
[0008]图1是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的电结构的等效电路图。
[0009]图2的(a)、(b)是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的结构的俯视图及剖视图。
[0010]图3的(a)、(b)是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的其他结构的等效电路图及俯视图。
[0011]图4的(a)、(b)是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的其他结构的俯视图。
[0012]图5是表示衰减量与频率的关系的图。
[0013]图6是表示衰减量与电阻值的关系的图。
[0014]图7是表示衰减量与频率的关系的图。
[0015]图8是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的其他结构的俯视图。
[0016]图9是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的其他结构的俯视图。
[0017]图10的(a)、(b)是表示实施方式2所涉及的光半导体装置的结构的俯视图及剖视图。
[0018]图11是表示衰减量与频率的关系的图。
[0019]图12的(a)、(b)是表示实施方式3所涉及的光半导体装置的结构的俯视图及侧视图。
具体实施方式
[0020]实施方式1
[0021]伴随光半导体装置的多波长化，在一个光半导体装置搭载多个发光元件1的情况逐渐增加。在本实施方式1中，示出在一个光半导体装置搭载有两个发光元件1的例子。
[0022]图1是表示本申请的实施方式1所涉及的光半导体装置101的电结构的等效电路图。如图1所示，光半导体装置101为TOSA(Transmitter Optical Sub
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Assembly：光发射次模块)，具有发光元件1、作为第一电阻的匹配电阻3、电容器4、作为第二电阻的保护电阻6。发光元件1的阳极与驱动电路5连接，阴极与GND连接。匹配电阻3及电容器4、和保护电阻6与发光元件1并联连接。发光元件1例如为EML
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LD(Electro
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absorption Modulator Laser Diode：电吸收调制器激光二极管)。发光元件1根据从驱动电路5供给的高频调制电信号而发光。此外，也可以从驱动电路5侧起配置为匹配电阻3、电容器4。
[0023]图2的(a)及图2的(b)是表示本申请的实施方式1所涉及的光半导体装置101的结构的图。图2的(a)是俯视图，图2的(b)是图2的(a)的AA向视剖视图。如图2的(a)及图2的(b)所示，光半导体装置101在载体基板8之上设置有次安装基板7。载体基板8例如由CuW构成，次安装基板7例如由AlN构成。在载体基板8的两面设置有导电图案21、22。在次安装基板7的背面设置有第二GND图案19。载体基板8的导电图案21与次安装基板7的第二GND图案19通过焊料等而接合。在次安装基板7的表面设置有相互分离的第一导电图案11和第一GND图案13。其中，对第一导电图案11、第一GND图案13的表面实施了镀金。另外，在本实施方式1中未搭载受光元件，但也可以搭载受光元件。
[0024]发光元件1在形成于次安装基板7的表面的第一GND图案13通过焊料等而接合有发光元件1的背面电极(未图示)。发光元件1的表面电极(未图示)分别经由作为第一引线的引线2a、作为第二引线的引线2b与电容器4的表面电极(未图示)及第一导电图案11连接。
[0025]电容器4在形成于次安装基板7的表面的第二导电图案14通过焊料等而接合有电容器4的背面电极(未图示)。电容器4的表面电极(未图示)经由引线2a与发光元件1的表面电极(未图示)连接。电容器4的供其安装的第二导电图案14与第一GND图案13通过匹配电阻3连接，电容器4与发光元件1并联连接，且电容器4与匹配电阻3串联连接。
[0026]匹配电阻3将安装电容器4的第二导电图案14与接合发光元件1的第一GND图案13连接，并与发光元件1并联连接。为了取得阻抗匹配，匹配电阻3的电阻值设定为50Ω，但为了对特性进行微调也可以从50Ω开始变化。
[0027]本申请的实施方式1所涉及的光半导体装置101的特征在于，保护电阻6由在孔中填充有电阻体的第二电阻16a构成。如图2的(a)及图2的(b)所示，第二电阻16a例如通过将电阻膏填充到设置于次安装基板7的孔来形成。填充有电阻体的第二电阻16a贯通次安装基板7而将经由引线2b与发光元件1的表面电极(未图示)连接的第一导电图案11的靠次安装基板7侧面的与外部连接的连接用端部11a、和形成于次安装基板7的背面的第二GND图案19连接起来，并与发光元件1、匹配电阻3及电容器4并联连接。由此，电荷不被充电到电容器4
的表面电极，能够通过填充有电阻体的第二电阻16a向次安装基板7的背面的第二GND图案19逃逸。
[0028]第一导电图案11通过引线17与调制电信号用布线12a连接。第一GND图案13通过引线18与GND布线12b连接。此外，GND布线12b设置在调制电信号用布线12a的两侧，第一GND图案13设置在第一导电图案11的两侧，分别构成共面波导。调制电信号用布线12a及第一导电图案11传递来自驱动电路5的调制电信号。此外，引线2a、2b、17、18例如为金引线，但也可以是带状金线等。
[0029]此外，在本实施方式1中，示出了搭载有两个发光元件的情况，但并不局限于此。发光元件1既可以为一个，另外也可以为三个以上。图3的(a)及图3的(b)表示搭载有一个发光元件的情况的光半导体装置101的例子。图3的(a)为等效电路图，图3的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光半导体装置，其特征在于，具备：基板，在表面设置有第一GND图案、第一导电图案及第二导电图案，在背面设置有第二GND图案；发光元件，接合于所述第一GND图案的表面；电容器，背面接合于所述第二导电图案的表面，表面经由第一引线与所述发光元件的表面电极连接；第一电阻，连接所述第二导电图案与所述第一GND图案；以及第二电阻，在板厚方向上经由所述基板将所述第二GND图案和经由第二引线与所述发光元件的表面电极连接的所述第一导电图案连接起来。2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，所述第二电阻贯通所述基板来连接。3.根据权利要求2所述的光半导体装置，其特征在于，所述第二电阻由填充于设置于所述基板的孔的电阻体形成。4.根据权利要求2所述的光半导体装置，其特征在于，所述第二电阻由涂覆于设置于所述基板的孔的侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：板本裕光，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：