绿光和紫外光激光抛光蓝宝石的复合工艺方法技术

本发明专利技术是一种绿光和紫外光激光抛光蓝宝石的复合工艺方法。包括如下步骤：１）用绿光激光扫描抛光蓝宝石晶片的表面；２）再用紫外光激光抛光绿光激光抛光过的蓝宝石晶片表面。上述绿光激光和紫外光激光为脉冲式激光。本发明专利技术由于采用先用绿光激光抛光、再用紫外光激光精密抛光的复合工艺方法，用脉冲绿光激光抛光代替传统研磨，借助激光辐射的蓝宝石表面产生的光热耦合作用，以蒸发、熔融等形式为主去除材料，并伴有微小破碎和光化学作用机制材料去除，获得微观凸峰以曲面为主的宏观上较平整表面；抛光效率高，抛光后的表面微观不平和缺陷在后续抛光加工过程中容易去除；且可降低甚至消除热对蓝宝石材料的影响，获得低表面粗糙度和亚表面损伤程度的抛光表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种， 属于激光抛光蓝宝石的工艺方法的创新技术。
技术介绍
蓝宝石单晶是一种优秀的多功能材料，具有硬度高、熔点高、 透光性好、电绝缘性优异、化学性能稳定等特点。在光学方面，蓝 宝石单晶以其良好的透光性和耐磨性等特点而用于高能激光器的反射镜窗口，同时，它也是红外制导武器的关键材料之一。在电子学 方面，它能作异质外延生长的半导体材料或金属材料的基片，如用于半导体硅的外延基片以及半导体GaN的外延衬底材料等。作为半 导体衬底材料，蓝宝石晶片表面质量直接影响半导体材料外延质量、 器件性能参数及产品成品率，所以，如何保证蓝宝石表面质量成为 制造
中的关键问题。由于蓝宝石单晶属于三方晶系离子晶 体，是典型的难加工硬脆材料。目前，蓝宝石主要釆用机械抛光、 化学机械抛光等方法进行加工，这些传统的接触式抛光方法，往往 会在材料的去除过程产生脆性破坏等问题，抛光后蓝宝石表面往往 存在表面划痕、凹坑和次表面裂紋等缺陷，化学抛光表面还可能出 现抛光雾斑，难以获得高质量的光学表面，且抛光效率和成品率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于考虑上述问题而提供一种可显著提高抛光效率和提高成品率的。本专利技术的技术方案是本专利技术绿光和紫外光激光抛光蓝宝石的 复合工艺方法，其包括有如下步骤1) 用绿光激光扫描抛光蓝宝石晶片的表面；2) 再用紫外光激光抛光绿光激光抛光过的蓝宝石晶片的表面。 上述绿光激光和紫外光激光为脉冲式激光。 上述绿光激光波长入为532nm,能量密度为3~20 J/cm2,脉宽10ns 。上述紫外光激光波长为266 355nm，能量密度为3~20 J/cm2, 大于等于脉宽10ns。上述绿光激光及紫外光激光的光束入射角为G~80°。 上述光束入射角是光東与蓝宝石晶片表面法线方向的夹角。 本专利技术由于采用先用绿光激光抛光、再用紫外光激光精密抛光的 复合工艺方法，本专利技术采用脉冲绿光激光(波长入为532nm)抛光代 替传统的研磨，借助激光辐射的蓝宝石表面产生的光热耦合作用，以 蒸发、熔融等形式为主去除材料，并伴有微小破碎和光化学作用机制 材料去除，获得微观凸峰以曲面为主的宏观上较平整表面；抛光效率高，抛光后的表面微观不平和缺陷在后续抛光加工过程中容易去除；釆用脉冲紫外光激光(波长入为266-355nm)精密抛光绿光激光抛光 过的蓝宝石表面，利用紫外光光子能量高、材料的吸收率高、加工过 程热影响小等特点，以蓝宝石辐射表面"单光子吸收"或"多光子吸 收"等方式吸收激光光子能量后，其化学键被打断或者晶格结构被破 坏的光化学的为主冷抛光形式，微量去除蓝宝石表面微观不平，获得 微观平整表面，并且可降低甚至消除热对蓝宝石材料的影响，获得低 表面粗糙度和亚表面损伤程度的抛光表面。本专利技术能够实现蓝宝石晶片高效率高质量的抛光，是一种设计巧妙，性能优良，方便实用的绿 光和紫外光激光抛光蓝宝石的复合工艺方法。 具体实施例方式实施例本专利技术，其包括 有如下步骤1) 用绿光激光扫描抛光蓝宝石晶片的表面；2) 再用紫外光激光抛光绿光激光抛光过的蓝宝石晶片的表面。 本实施例中，上述绿光激光和紫外光激光为脉冲式激光。上述绿光激光及紫外光激光的光東入射角为0~80"，光東入射角是光束与蓝 宝石晶片表面法线方向的夹角。上述绿光激光抛光工艺参数为波长入为532nm,能量密度为3~ 20 J/cm2,脉宽10ns 。本实施例中，绿光激光波长入为532nm,能 量密度为7.2 J/cm2,脉宽10ns,激光光東入射角为60°,激光光東 扫描速度为5mm/s。蓝宝石经过绿光激光的一次扫描抛光后，其表面 粗糙度降低为Ra0.54Mm，且抛光表面以熔融去除特征为主，同时存 在少量的蒸发气泡，以及少数的微观断裂裂口和极少数晶格破坏形成 的微小孔。熔融去除材料的区域可见凸峰融化的熔渣填入到波谷，使 表面变得光滑。绿光激光扫描抛光过的蓝宝石表面再釆用紫外光激光扫描抛光 一次。紫外光激光抛光工艺参数为紫外光激光波长为266 355nm， 能量密度为3-20 J/cm2，脉宽大于等于10ns。本实施例中，波长入 为355nm，能量密度为19.1 J/cm2,脉宽25ps,激光光東入射角为 70°，激光光束扫描速度为0.6mm/s。蓝宝石再经过紫外光激光一次扫 描抛光后，其表面粗糙度降低为Ra0. 08)im,蓝宝石表面以晶格破坏导致的组织细化和部分微小孔为主，并伴有少量凸峰融化的熔渣填入 到波谷使表面变得光滑的特征。权利要求1、一种，其特征在于包括有如下步骤1)用绿光激光扫描抛光蓝宝石晶片的表面；2)再用紫外光激光抛光绿光激光抛光过的蓝宝石晶片的表面。2、 根据权利要求1所述的， 其特征在于上述绿光激光和紫外光激光为脉冲式激光。3、 根据权利要求2所述的， 其特征在于上述绿光激光波长入为532nm，能量密度为3 ~ 20 J/cm2，脉宽 10ns 。4、 根据权利要求2所述的， 其特征在于上述紫外光激光波长为266 ~ 355nm，能量密度为3 ~ 20 J/cm2，大于 等于脉宽10ns。5、 根据权利要求1至4任一项所述的绿光和紫外光激光抛光蓝宝石的复 合工艺方法，其特征在于上述绿光激光及紫外光激光的光東入射角为0~80°。6、 根据权利要求5所述的， 其特征在于上述光東入射角是光束与蓝宝石晶片表面法线方向的夹角。全文摘要本专利技术是一种。包括如下步骤1)用绿光激光扫描抛光蓝宝石晶片的表面；2)再用紫外光激光抛光绿光激光抛光过的蓝宝石晶片表面。上述绿光激光和紫外光激光为脉冲式激光。本专利技术由于采用先用绿光激光抛光、再用紫外光激光精密抛光的复合工艺方法，用脉冲绿光激光抛光代替传统研磨，借助激光辐射的蓝宝石表面产生的光热耦合作用，以蒸发、熔融等形式为主去除材料，并伴有微小破碎和光化学作用机制材料去除，获得微观凸峰以曲面为主的宏观上较平整表面；抛光效率高，抛光后的表面微观不平和缺陷在后续抛光加工过程中容易去除；且可降低甚至消除热对蓝宝石材料的影响，获得低表面粗糙度和亚表面损伤程度的抛光表面。文档编号B24B1/00GK101524819SQ20091003705公开日2009年9月9日 申请日期2009年2月3日 优先权日2009年2月3日专利技术者伟 胡, 昕 谢, 谢小柱, 郭晓艳, 昕 魏, 黄加福 申请人:广东工业大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绿光和紫外光激光抛光蓝宝石的复合工艺方法，其特征在于包括有如下步骤：　１）用绿光激光扫描抛光蓝宝石晶片的表面；　２）再用紫外光激光抛光绿光激光抛光过的蓝宝石晶片的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏昕，谢小柱，胡伟，郭晓艳，谢昕，黄加福，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]