一种立式成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种立式成膜装置，涉及半导体材料生产设备技术领域，主要结构包括进气室、反应室和搬运室；所述进气室设置于所述反应室的顶部，所述搬运室设置于所述反应室一侧，且所述搬运室与所述反应室之间设置有阀门。本发明专利技术中的立式成膜装置，感应热场加热线圈外置，通过交流电流产生交变电磁场，使流道自身升温发热热量传导至气体，同时具有较快的加热速度和局部加热等优点，缩短工艺前段预热时间减少能源损耗。能源损耗。能源损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种立式成膜装置


[0001]本专利技术涉及半导体材料生产设备
，特别是涉及一种立式成膜装置。

技术介绍

[0002]公开号为CN115928049A的专利文献中，公开了一种适用于立式成膜设备的进气结构，涉及半导体生产设备
，主要结构包括进气室内设置的进气组合结构，进气组合结构中包括多个喷淋板，顶部的喷淋板与进气室内顶壁之间以及相邻的喷淋板之间分别设置有一进气层，进气室的侧壁上设置有多个进气口，每个进气层分别与一进气口相连通；每个进气层均独立的与反应室相连通。采用分层进气，反应气具备单独流道并用保护气体隔离的方式可减少反应气于进气室流道内混合反应形成沉积，长期进行薄膜制备仍有可能存在杂质附着和表面破损的情况。组件组合流道可及时更换组件确保进气均匀，使外延膜品质一致。各层流道通道数量和导管安装位置可根据情况进行调整，以满足不同生长工艺需要。
[0003]成膜装置在进行半导体晶片制备时，需要将原料气体和晶片加热至高温，过程中晶片随基座保持高速旋转，气体垂直向下流动与晶片表面接触反应开始外延生长。同时为满足连续生产，外延设备反应室与搬运装置相连，基座内部具有基板升降机构与搬运装置机械臂联动。
[0004]外延生长工艺的加热方式主要为电磁线圈加热和电阻加热。立式外延设备反应室上部进行气体预热，一般采用电阻式发热体加热。气体从顶部进入后沿套筒内部流道向下流动，热场升温产生热量经套筒辐射至气体，保温层防止热量向腔体辐射减少热量流失。反应室上部各组件相互叠加组合，热场由套筒和保温层遮挡。仍有部分反应气体通过间隙扩散进入热场区域，沉积于发热体表面影响发热效率降低热场使用寿命。
[0005]因此，亟需一种立式成膜装置，以缩短工艺前段预热时间减少能源损耗。

技术实现思路

[0006]为解决以上技术问题，本专利技术提供一种立式成膜装置，以缩短工艺前段预热时间减少能源损耗。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0008]本专利技术提供一种立式成膜装置，包括进气室、反应室和搬运室；所述进气室设置于所述反应室的顶部，所述搬运室设置于所述反应室一侧，且所述搬运室与所述反应室之间设置有阀门。
[0009]可选的，所述搬运室内设置有机械臂，所述机械臂用于基板在所述反应室和所述搬运室之间的转移。
[0010]可选的，所述反应室外侧设置有至少一个感应热场，所述感应热场用于对所述反应室内部进行加热。
[0011]可选的，所述反应室内下部设置有电阻热场。
[0012]可选的，所述进气室顶部设置有至少一个辐射温度计，所述辐射温度计用于测量晶片的温度。
[0013]可选的，所述反应室的侧壁包括由内向外依次设置的套筒、保温层、双层石英管和冷却管；所述双层石英管内设置有内喷板和外喷板，所述内喷板和所述外喷板上均设置有具有均布小孔；所述外喷板的外壁上设置有角度调整凸台，所述双层石英管的外层上位于所述角度调整凸台两侧设置有可控进液口。
[0014]可选的，所述反应室底部设置有基座，所述基座顶部用于放置基板，所述基板用于承载晶片。
[0015]可选的，所述反应室底部位于所述基座下方设置有提升机构，所述提升机构用于实现所述基板的升降。
[0016]可选的，所述反应室底部位于所述基座下方设置有旋转提升轴，所述旋转提升轴用于实现所述基板的升降。
[0017]可选的，所述旋转提升轴中部设置有保温组件。
[0018]本专利技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
[0019]本专利技术中的立式成膜装置，感应热场加热线圈外置，通过交流电流产生交变电磁场，使流道自身升温发热热量传导至气体，同时具有较快的加热速度和局部加热等优点，缩短工艺前段预热时间减少能源损耗。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为感应热场和电阻热场共同加热型立式成膜装置结构示意图；
[0022]图2为双感应热场加热型立式成膜装置结构示意图；
[0023]图3为单感应热场加热型立式成膜装置外延生长时结构示意图；
[0024]图4为单感应热场加热型立式成膜装置基板转运时结构示意图；
[0025]图5为石英管夹套内冷却管分布图；
[0026]图6为可调节冷却液进液速率石英管结构示意图；
[0027]图7为可调节冷却液进液速率石英管结构横截面示意图；
[0028]图8为石英管进液口结构局部放大图；
[0029]图9为可旋转外喷板外观结构图。
[0030]附图标记说明：1、进气室；2、反应室；3、冷却管；4、双层石英管；5、上保温层；6、套筒；7、感应热场；8、腔体侧法兰；9、隔断阀；10、搬运室；11、机械臂；12、下保温层；13、导气套筒；14、关断阀；15、真空泵；16、晶片；17、基板；18、电阻式热场；19、保温组件；20、提升机构；21、排气口；22、旋转机构；23、连接法兰；24、基座；25、基板感应热场；26、旋转提升轴；27、波纹管；28、旋转室；29、进水口；30、出水口；31、石英外管；32、外喷板；33、内喷板；34、石英内管；35、角度调整凸台；36、可控进液口；37、外喷液口；38、辐射温度计。
具体实施方式
[0031]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0032]实施例一：
[0033]如图1以及图6至9所示，本实施例提供一种立式成膜装置，包括进气室1、反应室2和搬运室10；进气室1设置于反应室2的顶部，搬运室10设置于反应室2一侧，且搬运室10与反应室2之间设置有阀门。
[0034]于本具体实施例中，反应室2底部设置有基座24，基座24顶部用于放置基板17，基板17用于承载晶片16。
[0035]搬运室10内设置有机械臂11，机械臂11用于基板17在反应室2和搬运室10之间的转移。
[0036]反应室2的侧壁包括由内向外依次设置的套筒6、保温层、双层石英管4和冷却管3；双层石英管4内设置有内喷板33和外喷板32，内喷板33和外喷板32上均设置有具有均布小孔；外喷板32的外壁上设置有角度调整凸台35，双层石英管4的外层上位于角度调整凸台35两侧设置有可控进液口36。更具体的，双层石英管4由外到内分别为石英外管31、外喷板32、内喷板33和石英内管34；内喷板33保持固定，外喷板32的外侧呈180度设置有两个角度调整凸台35，通过一端的调节可控进液口36进液量推动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种立式成膜装置，其特征在于，包括进气室、反应室和搬运室；所述进气室设置于所述反应室的顶部，所述搬运室设置于所述反应室一侧，且所述搬运室与所述反应室之间设置有阀门。2.根据权利要求1所述的立式成膜装置，其特征在于，所述搬运室内设置有机械臂，所述机械臂用于基板在所述反应室和所述搬运室之间的转移。3.根据权利要求1所述的立式成膜装置，其特征在于，所述反应室外侧设置有至少一个感应热场，所述感应热场用于对所述反应室内部进行加热。4.根据权利要求1或3所述的立式成膜装置，其特征在于，所述反应室内下部设置有电阻热场。5.根据权利要求1所述的立式成膜装置，其特征在于，所述进气室顶部设置有至少一个辐射温度计，所述辐射温度计用于测量晶片的温度。6.根据权利要求1所述的立式成膜装置，其特征在于，所述反应室的侧壁包括由内向外依...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，徐文立，阮叶鹏，沈磊，
申请(专利权)人：宁波恒普真空科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：