一种优先暴露｛１１１｝面的γ－氧化铝纳米管的制法制造技术

一种γ－氧化铝纳米管，它是具有单晶结构的、长１００－２００纳米，外径８－１０纳米的γ－氧化铝纳米管，它是优先暴露｛１１１｝晶面的γ－氧化铝纳米管，羟基密度达到１．９９ｍｍｏｌ／ｇ，酸密度达到０．４８９ｍｍｏｌ／ｇ。本发明专利技术的有益效果在于：１．利用廉价的表面活性剂的组装作用，将晶化的铝溶胶有序组装得到了优先暴露｛１１１｝面的γ－氧化铝纳，且它具有单晶结构。２．本发明专利技术的优先暴露｛１１１｝面的γ－氧化铝纳米管具有较高的羟基密度和酸密度。３．本发明专利技术方法工艺简单适用于大规模生产且基本没有污染。本发明专利技术公开了其制法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种γ－氧化铝纳米管，其特征是：它是具有单晶结构的、长１００－２００纳米，外径８－１０纳米的γ－氧化铝纳米管，它是优先暴露｛１１１｝晶面的γ－氧化铝纳米管，羟基密度达到１．９９ｍｍｏｌ／ｇ，酸密度达到０．４８９ｍｍｏｌ／ｇ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁维平，郭学锋，吕建刚，杨为民，章浩龙，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]