【技术实现步骤摘要】
用于控制夹持力的设备和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0182532的优先权的权益,其公开内容通过引用的方式整体并入本文中。
[0003]本专利技术构思涉及用于控制夹持力的设备和方法。
技术介绍
[0004]可对设置在晶圆台上的晶圆执行半导体处理。一种用于控制夹持力的设备可以完全控制施加到晶圆台的夹持力,以将晶圆固定在半导体处理装备中并保持晶圆的表面的平坦度。同时,随着半导体装置高度集成并且其半导体处理小型化,在通过将晶圆放置在晶圆台的上表面上来执行的半导体处理期间可能出现各种类型的处理缺陷。例如,随着晶圆的表面的平坦度恶化,在晶圆中可能出现重叠缺陷等。
技术实现思路
[0005]本专利技术构思的一些示例实施例基于重叠分布控制施加到基板的夹持力(例如,控制夹持力的大小),以解决重叠恶化的问题、保持基板的表面的平坦度、并进一步提高半导体装置的生产良率。
[0006]根据本专利技术构思的一些示例实施例,一种用于控制夹持力的设备可以包括:卡盘,其具有上表面并且被配置为在所述卡盘的上表面上支撑基板;固定单元,其被配置为产生用于在第一方向上将所述基板固定到所述卡盘的夹持力并且将所述夹持力施加到所述基板,所述第一方向垂直于所述卡盘的上表面;以及控制器,其被配置为:基于与当将所述基板固定到所述卡盘的上表面时所述基板的重叠恶化的程度相对应的参考重叠 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备,包括:卡盘,其具有上表面,所述卡盘被配置为在所述卡盘的上表面上支撑基板;固定单元,其被配置为产生用于在第一方向上将所述基板固定到所述卡盘的夹持力并且将所述夹持力施加到所述基板,所述第一方向垂直于所述卡盘的上表面;以及控制器,其被配置为:基于与当将所述基板固定到所述卡盘的上表面时所述基板的重叠恶化的程度相对应的参考重叠分布,在平面上将所述卡盘划分为多个区域,所述平面垂直于所述第一方向,以及独立地控制施加到所述多个区域中的每一个的夹持力的相应大小,其中,所述多个区域包括具有第一重叠恶化的程度的第一区域和具有小于所述第一重叠恶化的程度的第二重叠恶化的程度的第二区域,并且所述控制器被配置为将施加到所述第一区域的夹持力的第一大小设置为小于施加到所述第二区域的夹持力的第二大小。2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述卡盘是静电卡盘,并且所述固定单元是电极单元,所述电极单元包括与所述多个区域中的每一个相对应的电极。3.根据权利要求2所述的设备,其中,所述控制器被配置为基于所述参考重叠分布来调整施加到与所述多个区域中的每一个相对应的所述电极的电压的大小。4.根据权利要求1所述的设备,其中,所述卡盘是真空卡盘,并且所述固定单元是包括多个孔的抽吸单元,所述多个孔被配置为在所述基板和所述卡盘之间产生真空状态。5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述控制器被配置为基于所述参考重叠分布来通过与所述多个区域中的每一个相对应的所述多个孔调整抽吸强度。6.根据权利要求1所述的设备,其中,所述多个区域包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域,所述第一区域和所述第四区域在所述卡盘的径向上位于不同位置,并且所述第二区域和所述第三区域在所述卡盘的角方向上位于不同位置。7.根据权利要求6所述的设备,其中,所述第一区域被限定在与所述卡盘的中心相对应的位置,所述第四区域被限定在与所述卡盘的外边缘相对应的位置,并且所述第一区域和所述第四区域彼此间隔开。8.根据权利要求7所述的设备,其中,所述控制器被配置为将施加到所述第一区域的夹持力的大小控制为大于施加到所述第四区域的夹持力的大小。9.根据权利要求6所述的设备,其中,所述第一区域至所述第四区域中的至少一个区域包括多个子区域,并且所述控制器被配置为独立地控制所述多个子区域。10.根据权利要求6所述的设备,其中,所述第二区域在第二方向和第三方向上延伸,所述第二方向垂直于所述第一方向,所述第三方向关于所述卡盘的中心垂直于所述第一方向和所述第二方向,其中所述第三区域包括在平行于所述卡盘的上表面的方向上在所述第二区域和所述第四区域之间的多个第三区域。11.根据权利要求10所述的设备,其中,所述控制器被配置为将施加到所述第二区域的夹持力的大小控制为大于施加到所述第三区域的夹持力的大小。12.根据权利要求10所述的设备,其中,所述控制器被配置为将施加到所述第一区域和
所述第四区域的夹持力的大小控制为大于施加到所述第二区域和所述第三区域的夹持力的大小。13.根据权利要求6所述的设备,其中,在...
【专利技术属性】
技术研发人员:金桢枓,金圣协,金贤真,李钟俱,韩东暻,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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