一种钛钨合金靶板及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种钛钨合金靶板的制备方法，包含以下步骤：S1:Ti

【技术实现步骤摘要】
一种钛钨合金靶板及其制备方法和应用
[0001]本申请是申请日为2021年12月24日、申请号为202111594983.2、专利技术名称为《钛钨合金靶板的加工工艺》的分案申请。


[0002]本专利技术涉及合金靶板加工领域，特别是一种钛钨合金靶板及其制备方法和应用。

技术介绍

[0003]随着溅射技术的日益完善，真空溅射镀膜技术得到了很大的发展。相应的阴极靶材也得到了较大的发展，不断涌现各种纯金属靶板及各种不同配比的合金靶板。真空镀膜行业主要有两种用途：分别为功能镀及装饰镀。钛钨做为一种难熔金属，既可以做为装饰镀，如不同的颜色又可以做为功能镀，如高的反射率。手机、显示屏、半导体等。Ti
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20W钛钨合金靶板做为一种具有特殊功能的阴极靶，广泛应用于LED氧化铝基板的打底镀膜中。它具有高的附着率和高的镀率。钛钨熔点相差很大(钛1668℃，钨3400℃)给合金的制作带来了极大的难度。粉末冶金方法，其烧结温度不容易掌握往往出现钨夹生、偏析等缺陷，使镀膜过程不稳定，膜的良率差。Ti
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20W钛钨合金靶材的制作在国内属于空白。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决上述问题，设计了一种钛钨合金靶板及其制备方法和应用。
[0005]实现上述目的本专利技术的技术方案为，一种钛钨合金靶板的制备方法。
[0006]一种钛钨合金靶板的制备方法，包含以下步骤：
[0007]S1:Ti
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20W钛钨合金靶板采用真空电弧熔炼制作铸锭；
[0008]S2:选取一定厚度的纯度为99.7％的纯钛板，超薄纯钨片，按照81:19的比例分多层配制电极棒；所述电极棒的层数大于30层；所述电极棒的电极尺寸对角线小于280mm；所述超薄纯钨片为纯度为99.95％的超薄纯钨片；
[0009]S3:组焊好电极，采用高真空度，高电流密度的大功率3吨真空自耗电弧炉熔炼；
[0010]S4:钨含量为19～21％，且三处分析钛钨合金板中钨含量相差不超过5％；
[0011]S5:对铸锭锻造开坯，开坯温度1200～1250℃，终锻温度>850℃，制成80～100mm厚板坯，刨面后的板坯进行热轧，所用轧机轧制力大于1000吨；
[0012]S6:靶板轧制后的板退火矫直处理；
[0013]S7:轧制后的靶板下料中断，进行刨面磨面、加工；
[0014]S8:靶板尺寸为15*127*606，其表面粗糙度为1.6微米，对靶材四周加工台阶，得到钛钨合金靶板。
[0015]优选地，所述S3中熔炼次数：3～4次，对锭取样分析，取样点：锭长方向5
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6处。
[0016]优选地，所述S5中热轧温度：1050～1100℃，终轧温度大于800℃。
[0017]优选地，所述S5中的锻造开坯温度1200～1250℃，终锻温度>850℃。
[0018]本专利技术还提供了上述制备方法制备得到的钛钨合金靶板。
[0019]本专利技术还提供了上述制备方法制备得到的钛钨合金靶板或上述钛钨合金靶板在LED阴极靶材中的应用。
[0020]本专利技术的有益效果为：该合金靶板具有较高的反射率，高镀率及很高的良品率，极大的提高了LED品质及产量，是生产高性能LED的基础。具有较大的经济效益。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本专利技术所述合金靶板的结构示意图。
具体实施方式
[0023]一种钛钨合金靶板的加工工艺，包含以下步骤：
[0024]S1:Ti
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20W钛钨合金靶板采用真空电弧熔炼制作铸锭；
[0025]S2:选取一定厚度的纯度为99.7％的纯钛板，超薄纯钨片，按照81:19的比例分多层配制电极棒，其电极尺寸对角线小于280mm；
[0026]S3:组焊好电极，采用高真空度，高电流密度的大功率3吨真空自耗电弧炉熔炼；
[0027]S4:钨含量为19
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21％，且三处分析钛钨合金板中钨含量相差不超过5％；
[0028]S5:对铸锭锻造开坯，制成80
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100mm厚板坯，刨面后的板坯进行热轧，所用轧机轧制力大于1000吨；
[0029]S6:靶板轧制后的板退火矫直处理；
[0030]S7:轧制后的靶板下料中断，进行刨面磨面、加工；
[0031]S8:靶板尺寸为15*127*606，其表面粗糙度为1.6微米，对靶材四周加工台阶；
[0032]S9:加工好的靶材，固定于镀膜机上进行真空溅射镀膜。
[0033]S3中其熔炼次数：3
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4次，对锭取样分析，取样点：锭长方向5
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6处。
[0034]超薄纯钨片为纯度为99.95％的超薄纯钨片。
[0035]S5中轧制温度：1050
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1100℃，终轧温度大于800℃。
[0036]步骤S2中电极棒的层数大于30层；
[0037]S5中的开坯温度1200
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1250℃，终锻温度>850℃。
[0038]上述技术方案仅体现了本专利技术技术方案的优选技术方案，本
的技术人员对其中某些部分所可能做出的一些变动均体现了本专利技术的原理，属于本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钛钨合金靶板的制备方法，包含以下步骤：S1:Ti
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20W钛钨合金靶板采用真空电弧熔炼制作铸锭；S2:选取一定厚度的纯度为99.7％的纯钛板，超薄纯钨片，按照81:19的比例分多层配制电极棒；所述电极棒的层数大于30层；所述电极棒的电极尺寸对角线小于280mm；所述超薄纯钨片为纯度为99.95％的超薄纯钨片；S3:组焊好电极，采用高真空度，高电流密度的大功率3吨真空自耗电弧炉熔炼；S4:钨含量为19～21％，且三处分析钛钨合金板中钨含量相差不超过5％；S5:对铸锭锻造开坯，制成80～100mm厚板坯，刨面后的板坯进行热轧，所用轧机轧制力大于1000吨；S6:靶板轧制后的板退火矫直处理；S7:轧制后的靶板下料中断，进...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉儒，李丽雯，马小红，汪洋，李文儒，
申请(专利权)人：宝鸡市亨信稀有金属有限公司，
类型：发明
国别省市：