研磨垫、及研磨加工物的制造方法技术

本发明专利技术涉及具备研磨层和缓冲层的研磨垫，在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】研磨垫、及研磨加工物的制造方法


[0001]本专利技术涉及研磨垫、及研磨加工物的制造方法。

技术介绍

[0002]对于透镜、平行平面板、及反射镜这样的光学材料、半导体晶圆、半导体装置、以及硬盘用基板等材料，进行使用了研磨垫的研磨加工。其中，在半导体晶圆上形成有氧化物层及/或金属层等的半导体装置的研磨加工中，特别要求平坦性。
[0003]迄今为止，出于提高被研磨物的研磨表面的平坦性等目的，开发了各种各样的研磨垫。例如，专利文献1中公开了研磨层的储能模量E
’
的30℃时的值与90℃时的值之比为约1～3.6的、用于将半导体装置或其前体的表面平坦化的研磨垫。根据专利文献1，公开了这样的研磨垫具有低弹性回复且同时与大多已知的研磨垫相比呈现显著的非弹性。
[0004]专利文献2中公开了包含具有至少0.1容量％的气孔率、在40℃及1rad/sec(弧度/秒)条件下具有385～750(1/Pa)的能量损失系数KEL并且在40℃及1rad/sec条件下具有100～400(MPa)的弹性模量E
’
的聚合物材料的研磨垫。根据专利文献2，公开了这样的研磨垫对将半导体基材平坦化而言是有用的。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特表2004
‑
507076号公报
[0008]专利文献2：日本特开2005
‑
136400号公报

技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的课题
[0010]平坦性的评价项目中有：被称为凹陷(dishing)的主要起因于宽布线图案中布线断面呈碟状下沉的现象的项目、和被称为侵蚀(erosion)的主要起因于微细布线部中绝缘膜与铜等一同被削去的现象的项目。
[0011]上述专利文献1及2中以改善凹陷及侵蚀(以下，也统称为“平坦性”)为目的而规定了研磨层的构成。然而，经过本申请的专利技术人的研究，探明了在具备缓冲层和研磨层的研磨垫中，即使仅规定了研磨层的构成，根据与缓冲层的组合，有时被研磨物的研磨表面也无法获得充分的平坦性。
[0012]本专利技术是鉴于上述课题而作出的，其目的在于提供能够对被研磨物赋予良好的平坦性的研磨垫及使用了其的研磨加工物的制造方法。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]本申请的专利技术人为了解决上述课题而进行了认真研究，结果发现了，下述研磨垫及使用了其的研磨加工物的制造方法可解决上述课题，从而完成了本专利技术，前述研磨垫具备研磨层和缓冲层，且压缩模式的动态粘弹性测定中的储能模量与弯曲模式的动态粘弹性测定中的储能模量之比在规定范围内、且弯曲模式的动态粘弹性测定中的损耗因子tanδ满
足规定条件。
[0015]即，本专利技术如下所述。
[0016][1][0017]研磨垫，其具备研磨层和缓冲层，
[0018]在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E
’
B40
相对在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的压缩模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E
’
C40
之比E
’
B40
/E
’
C40
为3.0以上15.0以下，
[0019]在前述弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定中的损耗因子tanδ在40℃以上70℃以下的范围内为0.10以上0.30以下。
[0020][2][0021]如[1]所述的研磨垫，其中，
[0022]在前述弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定的30℃时的储能模量E
’
B30
相对90℃时的储能模量E
’
B90
之比E
’
B30
/E
’
B90
为1.0以上8.0以下。
[0023][3][0024]如[1]或[2]所述的研磨垫，其中，
[0025]前述缓冲层的密度为0.10g/cm3以上0.60g/cm3以下，
[0026]前述缓冲层的压缩率为3.0％以上30.0％以下。
[0027][4][0028]如[1]～[3]中任一项所述的研磨垫，其中，
[0029]前述研磨层的密度为0.60g/cm3以上1.1g/cm3以下，
[0030]前述研磨层的压缩率为0.10％以上3.0％以下。
[0031][5][0032]如[1]～[4]中任一项所述的研磨垫，其中，
[0033]前述研磨层的肖氏D硬度为40以上80以下。
[0034][6][0035]如[1]～[5]中任一项所述的研磨垫，其中，
[0036]前述缓冲层的厚度相对前述研磨层的厚度之比为0.50以上2.0以下。
[0037][7][0038]如[1]～[6]中任一项所述的研磨垫，其中，
[0039]前述研磨层含有聚氨酯树脂。
[0040][8][0041]研磨加工物的制造方法，其具有：
[0042]使用[1]～[7]中任一项所述的研磨垫对被研磨物进行研磨的研磨工序。
[0043]专利技术效果
[0044]根据本专利技术，可提供能够对被研磨物赋予良好的平坦性的研磨垫及使用了其的研磨加工物的制造方法。
附图说明
[0045][图1]为示出实施例1中的弯曲模式的动态粘弹性测定的结果的图。
[0046][图2]为示出实施例2中的弯曲模式的动态粘弹性测定的结果的图。
[0047][图3]为示出比较例1中的弯曲模式的动态粘弹性测定的结果的图。
[0048][图4]为示出实施例3中的弯曲模式的动态粘弹性测定的结果的图。
[0049][图5]为示出实施例4中的弯曲模式的动态粘弹性测定的结果的图。
具体实施方式
[0050]以下，对本专利技术的实施方式(以下，也称为“本实施方式”)详细地进行说明，但本专利技术并不限于此，可在不脱离其要旨的范围内进行各种各样的变形。
[0051][研磨垫][0052]本实施方式的研磨垫具备研磨层和缓冲层，在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E
’
B40
相对在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的压缩模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E
’
C40
之比E
’
B40
/E
’
C40
为3.0以上15.0以下，在弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定中的损耗因子tanδ在40℃以上70℃以下的范围内为0.10以上0.30以下。
[0053]以往的研磨垫大多仅针对研磨层控制物性，但几乎没有针对包含缓冲层和研磨层的研磨垫整体的动态粘弹性、与被研磨物的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.研磨垫，其具备研磨层和缓冲层，在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E
’
B40
相对在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的压缩模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E
’
C40
之比E
’
B40
/E
’
C40
为3.0以上15.0以下，在所述弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定中的损耗因子tanδ在40℃以上70℃以下的范围内为0.10以上0.30以下。2.如权利要求1所述的研磨垫，其中，在所述弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定的30℃时的储能模量E
’
B30
相对90℃时的储能模量E
’
B90
之比E<...

【专利技术属性】
技术研发人员：立野哲平，松冈立马，栗原浩，鸣岛早月，高见泽大和，
申请(专利权)人：富士纺控股株式会社，
类型：发明
国别省市：