字线或立柱状态检测以实现更快读取存取时间制造技术

本公开是针对字线或立柱状态检测以实现更快读取存取时间。存储器装置包含配置成子块的存储器胞元阵列。子块的存储器胞元耦合到所述阵列的立柱，且与多个字线相关联。为执行读取操作，与所述阵列耦合的控制逻辑执行操作，所述操作包含：跟踪选定字线在能够从与所述选定字线相关联的存储器胞元读取数据之前达到通过电压所花费的时间长度；响应于所述时间长度满足第一阈值准则，致使在读取所述数据之前经过第一延迟时间；及响应于所述时间长度满足比所述第一阈值准则长的第二阈值准则，致使在读取所述数据之前经过第二延迟时间，所述第二延迟时间比所述第一延迟时间长。延迟时间比所述第一延迟时间长。延迟时间比所述第一延迟时间长。

【技术实现步骤摘要】
字线或立柱状态检测以实现更快读取存取时间


[0001]本公开的实施例大体来说涉及存储器子系统，且更具体地，涉及存储器子系统的存储器装置中的字线或立柱状态检测以实现更快读取存取时间。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。通常，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储在存储器装置处并从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]在一个方面中，本公开是针对一种存储器装置，其包括：存储器胞元阵列，其包括多个子块，其中子块的存储器胞元耦合到所述阵列的立柱，并与多个字线相关联；及控制逻辑，其可操作地与所述阵列耦合，其中所述控制逻辑在执行读取操作时将执行操作，所述操作包括：跟踪选定字线在能够从与所述选定字线相关联的存储器胞元读取数据之前达到通过电压所花费的时间长度；响应于所述时间长度满足第一阈值准则，致使在从所述存储器胞元读取所述数据之前经过第一延迟时间；及响应于所述时间长度满足比所述第一阈值准则长的第二阈值准则，致使在从所述存储器胞元读取所述数据之前经过第二延迟时间，所述第二延迟时间比所述第一延迟时间长。
[0004]在另一方面中，本公开是针对一种系统，其包括：存储器装置，其包括存储器胞元阵列，所述存储器胞元阵列包括多个子块，其中子块的存储器胞元与多个字线相关联；及处理装置，其与所述存储器装置操作地耦合，所述处理装置将执行操作，所述操作包括：确定对所述子块的存储器胞元执行的读取操作是否为从编程起对所述子块的第一读取存取；及与所述存储器装置的控制逻辑通信以在所述存储器胞元的选定字线已达到通过电压之后且在从所述存储器胞元读取数据之前使用多个延迟时间中的第一延迟时间。
[0005]在另一方面中，本公开是针对一种方法，其包括：通过包含与多个字线相关联的存储器胞元子块的存储器装置的控制逻辑，跟踪选定字线在能够从与所述选定字线相关联的存储器胞元读取数据以执行读取操作之前达到通过电压所花费的时间长度；响应于所述时间长度满足第一阈值准则，通过所述控制逻辑致使在从所述存储器胞元读取数据之前经过第一延迟时间；及响应于所述时间长度满足比所述第一阈值准则长的第二阈值准则，通过所述控制逻辑致使在从所述存储器胞元读取所述数据之前经过第二延迟时间，所述第二延迟时间比所述第一延迟时间长。
附图说明
[0006]从下文给出的详细描述及从本公开的各种实施例的附图将更全面理解本公开。
[0007]图1根据一些实施例说明包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图1B是根据实施例的与存储器子系统的存储器子系统控制器通信的存储器装置
的框图。
[0009]图2A到2C为根据实施例的可用于参考图1B所描述类型的存储器中的存储器胞元阵列的部分的示意图。
[0010]图3A到3D为根据不同实施例的说明在字线向上斜升到通过电压期间与字线电压及立柱电压相关联的波形的一组曲线图。
[0011]图4为根据一些实施例的用于存储器装置检测字线状态并基于存储器状态在读取存储器胞元之前调整延迟时间的方法的流程图。
[0012]图5为根据一些实施例的用于存储器子系统的存储器控制器跟踪耦合的存储器装置中的存储器阵列的立柱的状态并基于所述状态在读取存储器胞元之前指示存储器装置使用特定延迟时间的方法的流程图。
[0013]图6为本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0014]本公开的方面是针对存储器装置中的检测字线或立柱状态以实现更快读取存取时间。在某些存储器装置中，包含例如“与非”(NAND)存储器装置的非易失性存储器装置，读取存取时间(tR)通常由三个阶段读取存取来确定。例如，这些阶段包含其中存储器胞元阵列的字线的电压向上斜升的通过电压(Vpass)时间，对存储在阵列的存储器胞元中的数据执行实际读取的感测时间，及电压电平至少部分地放电或执行从读取操作的其它类型恢复的前序或尾声时间。
[0015]此外，在许多存储器装置中，阵列负载在每节点的基础上增加，因为耦合到与先进的存储器技术相关联的存储器胞元阵列的相同位线及/或源极线的字线的数目增加。此外，在某些多平面存储器装置中，可能同时存取的平面的数目已增加，从而在与字线相关的负载方面进一步加重存储器装置的负担。因此，阵列负载正在成为进一步减少读取存取时间的限制因素。
[0016]在这些存储器装置中，Vpass时间是阵列使用以便使与阵列的存储器胞元相关联的字线斜升到Vpass的时间，例如，其可在不同的装置或应用中介于5到10伏(V)之间。字线的此Vpass电平实现对字线的随后选择以进行实际数据感测。在一些实施方案中，在Vpass时间期间加载存储器胞元阵列的所有子块，以避免热e问题。更具体地，在阵列的立柱浮动之后，字线可在Vpass向上斜升期间升压。虽然本文中大体提及立柱(或三维存储器)，但应理解本公开同样适用于二维存储体的信道，且因此“信道”可理解为与本公开中的“立柱”同义。例如，立柱可为与子块内的一串存储器胞元共享的共用立柱。子块的立柱电势可通过发送到耦合到源极选择及漏极选择线(SGS/SGD)晶体管的SGS/SGD的信号的时间调变。
[0017]然而，挑战在于字线电阻
‑
电容(RC)变化、SGS/SGD晶体管阈值电压(Vt)差及SGS/SGD电阻
‑
容性变化使得难以准确控制立柱电势。无法控制立柱电势导致热载流子注入(或“热e”)到立柱中的情况，例如，归因于选定字线周围的局部电势差，甚至在共享选定字线的未选定子块中。此升压需要时间，如同在等待字线完全达到Vpass时添加到Vpass时间段的延迟时间。因此，内部时序及参数通常通过假设热e的最临界条件(例如，立柱处于更中性状态)来定义且时间是基于假设存在此临界条件来设置。制作此假设意味着添加到Vpass周期的延迟通常太长，且导致存储器胞元的读取存取时间不必要地增加。
[0018]本公开的各方面通过以下操作解决过度延迟Vpass周期的上述及其它缺陷：确定存储器装置中的选定字线的状态并在感测与选定字线相关联的存储器胞元处的实际数据之前动态地选择要添加到Vpass周期的多个延迟时间中的哪一个。以此方式，延迟依与选定字线相关联的存储器胞元的立柱或信道的状态而定制。
[0019]更具体地，热e在立柱处于稳定状态(例如，立柱处于中性线或通常零电压)的情况下更严重，这并非存储器阵列的最常见状况。相比之下，热e在立柱处于瞬时状态(例如，负电压)的情况下通常不太严重，其中升压字线不会明显地将立柱电压升压到与增强热e风险相关联的范围。通常允许立柱在存储器胞元阵列处执行初始读取操作之后保持处于此瞬时状态，因此最通常较短的延迟是适当的，如将更详细地解释。
[0020]因此，根据至少一些实施例，存储器装置的控制逻辑可执行额外操作以定制添加到Vpass时间段的末端的延迟时间。例如，此等操作可包含跟踪选定字线在能够从与选定字线相关联的存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器胞元阵列，其包括多个子块，其中子块的存储器胞元耦合到所述阵列的立柱，并与多个字线相关联；及控制逻辑，其可操作地与所述阵列耦合，其中所述控制逻辑在执行读取操作时将执行操作，所述操作包括：跟踪选定字线在能够从与所述选定字线相关联的存储器胞元读取数据之前达到通过电压所花费的时间长度；响应于所述时间长度满足第一阈值准则，致使在从所述存储器胞元读取所述数据之前经过第一延迟时间；及响应于所述时间长度满足比所述第一阈值准则长的第二阈值准则，致使在从所述存储器胞元读取所述数据之前经过第二延迟时间，所述第二延迟时间比所述第一延迟时间长。2.根据权利要求1所述的存储装置，其进一步包括计数器，其中跟踪所述时间长度包括：在开始使所述选定字线的电压斜升时启动所述计数器；及响应于所述选定字线达到所述通过电压的阈值百分比而停止所述计数器。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括读取所述计数器的值以确定所述时间长度。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括将所述时间长度与查找表中的时间段值进行比较以确定所述时间长度是否满足所述第一阈值准则或所述第二阈值准则中的至少一个。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一阈值准则对应于所述立柱以负电压开始。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二阈值准则对应于所述立柱以大约零电压开始。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括：响应于所述时间长度满足比所述第二阈值准则长的第三阈值准则，致使在从所述存储器胞元读取所述数据之前经过第三延迟时间，所述第三延迟时间比所述第二延迟时间长。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二延迟时间包括响应于在编程之后对所述子块的第一读取存取而所致的延迟。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一延迟时间包括响应于继在编程之后对所述子块的第一读取存取之后对所述子块的读取存取而所致的延迟。10.一种系统，其包括：存储器装置，其包括存储器胞元阵列，所述存储器胞元阵列包括多个子块，其中子块的存储器胞元与多个字线相关联；及处理装置，其与所述存储器装置操作地耦合，所述处理装置将执行操作，所述操作包括：确定对所述子块的存储器胞元执行的读取操作是否为从编程起对所述子块的第一读取存取；及与所述存储器装置的控制逻辑通信以在所述存储器胞元的选定字线已达到通过电压
之后且在从所述存储器胞元读取数据之前使用多个延迟时间中的第一延迟时间。11.根据权利要求10所述的系统，其中所述操作进一步包括：确定对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：