本发明专利技术提供一种发光性粒子的制造方法，该发光性粒子的分散性及稳定性优异且使用了由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子。一种发光性粒子的制造方法，该发光性粒子在由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的表面具备含Si的表面层，该制造方法具备下述工序：从包含半导体纳米晶体粒子的原料、具有键结性基和水解性甲硅烷基的硅烷化合物A、以及溶剂的溶液形成半导体纳米晶体粒子及聚硅氧烷键，从而获得前驱物粒子的工序；将前驱物粒子、具备含有碱性基的结构单元及亲溶剂性结构单元的聚合物B、以及溶剂进行混合而获得混合物的工序；以及将具有水解性甲硅烷基的硅烷化合物C添加至混合物中，获得在前驱物粒子的表面具备包含聚合物B及硅烷化合物C的聚合物的层的发光性粒子的工序。子的工序。子的工序。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光性粒子及其制造方法、发光性粒子分散体、光转换膜、层叠体、光转换层、滤色器以及发光元件
[0001]本专利技术涉及一种发光性粒子及其制造方法、发光性粒子分散体、光转换膜、层叠体、光转换层、滤色器以及发光元件。
技术介绍
[0002]近年来，发现一种由金属卤化物构成且具有钙钛矿型晶体结构的半导体纳米晶体，其备受关注(例如参照专利文献1)。钙钛矿型半导体纳米晶体例如由CsPbX3(X表示Cl、Br或I)所表示的化合物构成。钙钛矿型半导体纳米晶体除可调整其粒子尺寸以外，还可通过调整卤素原子的存在比例来控制发光波长。由于该调整操作简单易行，因此与核壳型等的半导体纳米晶体相比，钙钛矿型半导体纳米晶体更容易控制发光波长，因此具有生产性较高的特征。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
222851号公报
技术实现思路
[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]然而，由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子有时以分散于分散介质中的状态(例如以油墨组合物的形式)使用。因此，该半导体纳米晶体粒子较理想为良好地分散于分散介质中。此外，该半导体纳米晶体粒子容易因热、水等极性溶剂等而不稳定化，有导致半导体纳米晶体粒子的量子产率降低的可能。因此，要求提高使用了由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的发光性粒子的稳定性。
[0008]因此，本专利技术的目的在于提供一种分散性及稳定性优异且使用了由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的发光性粒子及其制造方法、包含该发光性粒子的发光性粒子分散体、光转换膜、层叠结构体、光转换层、滤色器以及发光元件。
[0009]解决课题的技术手段
[0010]本专利技术的发光性粒子的制造方法是在由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的表面具备含Si的表面层的发光性粒子的制造方法，其特征在于，具备下述工序：从包含半导体纳米晶体粒子的原料化合物、具有能够与半导体纳米晶体粒子表面键结的键结性基和水解性甲硅烷基的硅烷化合物A、以及溶剂的溶液，形成半导体纳米晶体粒子及位于其表面的聚硅氧烷键，从而获得在半导体纳米晶体粒子的表面具备包含硅烷化合物A的聚合物的层的前驱物粒子的工序；将前驱物粒子、具备含有碱性基的第一结构单元及不含碱性基且为亲溶剂性的第二结构单元的聚合物B、以及溶剂进行混合而获得混合物的工序；以及将具有水解性甲硅烷基的硅烷化合物C添加至混合物中，形成聚硅氧烷键，从而获得在前驱物粒子表面具备包含聚合物B及硅烷化合物C的聚合物的层的发光性粒子的工序。
[0011]硅烷化合物A优选为下述式(A1)所表示的化合物。
[0012][0013]式中，R
A1
、R
A2
及R
A3
分别独立地表示氢原子或碳原子数为1～6的烷基，R
A4
表示具有键结性基的1价基。
[0014]键结性基优选为选自由羧基、巯基及氨基组成的组中的至少1种。
[0015]硅烷化合物C优选为下述式(C1)所表示的化合物。
[0016][0017]式中，R
C1
及R
C2
分别独立地表示烷基，R
C3
及R
C4
分别独立地表示氢原子或烷基，n表示0或1，m表示1以上的整数。
[0018]本专利技术的发光性粒子的特征在于，其为通过上述制造方法所获得的粒子。
[0019]本专利技术的发光性粒子分散体的特征在于，含有上述发光性粒子及分散体。在发光性粒子分散体中，上述分散介质优选为溶剂或光聚合性化合物。在发光性粒子分散体中，优选至少含有光聚合性化合物作为上述分散体，且进一步含有光聚合引发剂。
[0020]本专利技术的光转换膜的特征在于，包含上述发光性粒子分散体的聚合物。
[0021]本专利技术的层叠结构体的特征在于，具备上述光转换膜。
[0022]本专利技术的发光元件的特征在于，具备上述层叠结构体。
[0023]本专利技术的光转换层的特征在于，具备多个像素部及设置于该多个像素部间的遮光部，多个像素部具有：包含上述发光性粒子分散体的固化物的发光性像素部。
[0024]本专利技术的滤色器的特征在于，具备上述光转换层。
[0025]本专利技术的发光元件的特征在于，具备上述滤色器。
[0026]专利技术效果
[0027]根据本专利技术的一个方面，可提供一种分散性及稳定性优异且使用了由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的发光性粒子及其制造方法、包含该发光性粒子的发光性粒子分散体、光转换膜、层叠结构体、光转换层、滤色器以及发光元件。
附图说明
[0028][图1]图1为示意性表示本实施方式的层叠结构体的构成的剖面图。
[0029][图2]图2为本专利技术的一个实施方式的滤色器的示意剖面图。
[0030][图3]图3为表示发光性粒子通过STEM
‑
EDS获得的元素分布的图像。
具体实施方式
[0031]以下，对本专利技术的实施方式进行说明。本专利技术不限于以下实施方式。
[0032]＜发光性粒子的制造方法＞
[0033]本专利技术的一个实施方式是在由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的表面具备含Si的表面层的发光性粒子的制造方法。一个实施方式的制造方法具备下述工序：工序S1，通过从包含半导体纳米晶体粒子的原料化合物、具有能够与半导体纳米晶体粒子表面键结的键结性基和水解性甲硅烷基的硅烷化合物A、以及溶剂的溶液，形成半导体纳米晶体粒子及位于其表面的聚硅氧烷键，从而获得在半导体纳米晶体粒子的表面具备包含硅烷化合物A的聚合物的层的前驱物粒子；工序S2，将前驱物粒子、具备含有碱性基的第一结构单元及不含碱性基且为亲溶剂性的第二结构单元的聚合物B、以及溶剂进行混合而获得混合物；以及工序S3，通过将具有水解性甲硅烷基的硅烷化合物C添加至混合物中，形成聚硅氧烷键，从而获得在前驱物粒子表面具备包含聚合物B及硅烷化合物C的聚合物的层的发光性粒子。
[0034]＜＜工序S1＞＞
[0035]工序S1中，例如通过将包含半导体纳米晶体粒子的原料化合物的第1溶液与包含硅烷化合物A的第2溶液进行混合，从而生成由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子，并且使上述硅烷化合物A配位于该半导体纳米晶体粒子的表面。然后，使所配位的上述硅烷化合物A中的水解性甲硅烷基缩合而形成硅氧烷键。通过以上操作，获得在上述半导体纳米晶体的表面具备包含硅烷化合物A的聚合物的层的前驱物粒子。
[0036]工序S1中，在混合第1溶液与第2溶液时，可进行加热，也可不进行加热。在混合第1溶液与第2溶液时进行加热的情况下，例如可以第1溶液包含半导体纳米晶体粒子的原料化合物的一部分，第2溶液除硅烷化合物A以外还包含半导体纳米晶体粒子的原料化合物的剩余部分。接着，将这些溶液在非活性气体气氛下进行混合，在例如130～260℃的温度条件下进行反应。接着，冷却至
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光性粒子的制造方法，该发光性粒子在由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的表面具备含Si的表面层，该制造方法具备下述工序：从包含所述半导体纳米晶体粒子的原料化合物、具有能够与所述半导体纳米晶体粒子的表面键结的键结性基和水解性甲硅烷基的硅烷化合物A、以及溶剂的溶液，形成所述半导体纳米晶体粒子及位于其表面的聚硅氧烷键，从而获得在所述半导体纳米晶体粒子的表面具备包含所述硅烷化合物A的聚合物的层的前驱物粒子的工序；将所述前驱物粒子、具备含有碱性基的第一结构单元和不含碱性基且为亲溶剂性的第二结构单元的聚合物B、以及溶剂进行混合，获得混合物的工序；以及将具有水解性甲硅烷基的硅烷化合物C添加至所述混合物中，形成聚硅氧烷键，从而获得在所述前驱物粒子的表面具备包含所述聚合物B及所述硅烷化合物C的聚合物的层的发光性粒子的工序。2.根据权利要求1所述的发光性粒子的制造方法，其中，所述硅烷化合物A为下述式(A1)所表示的化合物，式中，R
A1
、R
A2
及R
A3
分别独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，R
A4
表示具有所述键结性基的1价基。3.根据权利要求1或2所述的发光性粒子的制造方法，其中，所述键结性基为选自由羧基、巯基及氨基组成的组...
【专利技术属性】
技术研发人员：野中祐贵，林卓央，堀口雅弘，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：
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