喷头护罩制造技术

一种处理室包括上表面和喷头，喷头布置成穿过所述上表面将气体供应至所述处理室中。所述喷头的至少一部分在所述处理室的所述上表面上方延伸。护罩壳布置于所述处理室的所述上表面上。所述护罩壳被布置为围绕所述喷头的在所述处理室的所述上表面上方延伸的所述部分，且被配置成隔离所述喷头所产生的射频干扰。且被配置成隔离所述喷头所产生的射频干扰。且被配置成隔离所述喷头所产生的射频干扰。

【技术实现步骤摘要】
喷头护罩
本申请是申请号为202080025678.9、申请日为2020年3月25日、专利技术名称为“喷头护罩”的申请的分案申请。相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2019年3月28日申请的美国专利申请No.62/825,344的利益。上述引用的申请其全部公开内容通过引用合并于此。


[0002]本公开内容涉及与衬底处理系统中喷头相关的射频(RF)干扰。

技术介绍

[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开内容的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开内容的现有技术。
[0004]衬底处理系统用于在衬底(例如半导体晶片)上执行例如膜的沉积和蚀刻之类的处理。例如，可使用化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、原子层沉积(ALD)和/或其他沉积工艺来执行沉积，以沉积导电膜、介电膜或其他类型的膜。在沉积期间，衬底被布置在衬底支撑件上，且一或更多种前体气体可以在一或更多个工艺步骤期间供应至处理室。在PECVD工艺中，等离子体用于在沉积期间活化处理室内的化学反应。

技术实现思路

[0005]一种处理室包括上表面和喷头，喷头布置成穿过所述上表面将气体供应至所述处理室中。所述喷头的至少一部分在所述处理室的所述上表面上方延伸。护罩壳布置于所述处理室的所述上表面上。所述护罩壳被布置为围绕所述喷头的在所述处理室的所述上表面上方延伸的所述部分，且被配置成隔离所述喷头所产生的射频干扰。
[0006]在其他特征中，所述护罩壳包括多个部件，其各自对应于所述护罩壳的一或更多侧边的一部分。所述多个部件包括底部部件，所述底部部件包括开口以及自所述底部部件的外边缘向上延伸的下凸缘部分，所述开口被布置成接收所述喷头的在所述处理室的所述上表面上方延伸的所述部分。所述多个部件包括一或更多个侧部部件，其在所述下凸缘部分所定义的周边内布置在所述底部部件上。所述多个部件包括布置于所述侧部部件的上边缘上的第一顶部部件和第二顶部部件。所述第一顶部部件和所述第二顶部部件包括从所述第一顶部部件和所述第二顶部部件的外边缘向下延伸的上凸缘部分，并且所述上凸缘部分与所述侧部部件的所述上边缘重叠。
[0007]在其他特征中，所述护罩壳包括多个张力杆，其在所述下凸缘部分所定义的所述周边内布置在所述护罩壳的相应角中。所述多个张力杆布置在从所述底部部件向上延伸的柱上。多个旋钮被布置于所述多个张力杆的上端中，并且所述旋钮配置成使所述第一顶部部件和所述第二顶部部件向下偏置。射频滤波器模被布置成与所述护罩壳相邻。所述射频
滤波器模块和所述护罩壳在所述处理室的外周边内布置于所述上表面上。所述衬底处理系统包括多个所述处理室，且所述处理室中的每一个包括所述护罩壳中的相应护罩壳。
[0008]一种护罩壳包括底部部件，其包括开口以及从所述底部部件的外边缘向上延伸的下凸缘部分，所述开口被布置成接收喷头的在处理室的上表面上方延伸的部分；一或更多个侧部部件，其在所述下凸缘部分所定义的周边内布置在所述底部部件上；以及布置于所述侧部部件的上边缘上的第一顶部部件和第二顶部部件。所述底部部件、所述侧部部件、所述第一顶部部件、以及所述第二顶部部件能相互分离，且组合时则配置成隔离由所述喷头所产生的射频干扰。
[0009]在其他特征中，所述第一顶部部件和所述第二顶部部件包括从所述第一顶部部件和所述第二顶部部件的外边缘向下延伸的上凸缘部分，并且所述上凸缘部分与所述侧部部件的所述上边缘重叠。所述护罩壳包括多个张力杆，其在所述下凸缘部分所定义的所述周边内布置在所述护罩壳的相应角中。所述多个张力杆布置在从所述底部部件向上延伸的柱上。多个旋钮被布置于所述多个张力杆的上端中，并且所述旋钮配置成使所述第一顶部部件和所述第二顶部部件向下偏置。
[0010]在其他特征中，一种组件包括所述护罩壳和射频滤波器模块，其布置成与所述护罩壳相邻。所述射频滤波器模块和所述护罩壳被配置成在所述处理室的外周边内布置于所述上表面上。所述衬底处理系统还包括多个处理室，且所述多个处理室中的每一个包括所述护罩壳中的相应护罩壳。
[0011]根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
[0012]根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
[0013]图1为根据本公开内容的示例性衬底处理系统的功能框图；
[0014]图2A和2B为根据本公开内容的包含有护罩壳的示例性衬底处理系统和衬底处理室；
[0015]图3A和3B为根据本公开内容的示例性护罩壳；
[0016]图4为根据本公开内容的护罩壳与RF滤波器模块的示例性组件。
[0017]在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
[0018]衬底处理系统可以包括气体分布装置，例如喷头。喷头被配置成引入并且分配工艺气体(例如，前体气体、清扫气体等)。例如，喷头可以布置在处理室中的衬底支撑件上方，并且分配工艺气体以在衬底上执行例如沉积和蚀刻之类的处理。在一些示例中，喷头可以用作用于在处理室内产生射频(RF)等离子体的上电极。
[0019]喷头可以包括布置在处理室的上表面中且至少部分在处理室内的基部(例如，对应于面板和气室、上电极等)。喷头的一部分(例如，杆部和/或基部)可延伸穿过处理室的上表面，进入处理室上方的容积中。根据本公开内容的系统和方法是在喷头延伸于处理室上表面上方的部分周围提供护罩壳(例如，RF护罩)。例如，护罩壳配置成用作法拉第笼。护罩
壳配置成抑制并隔离喷头和相关构件所产生的RF干扰。因此，减轻了喷头所引起及其他构件(例如，衬底处理系统内的其他处理室/站的构件)所遭遇的RF噪声。
[0020]在一些示例中，RF滤波器模块(例如，RF滤波器盒)被布置在处理室上方(例如，处理室的上表面上)而与护罩壳相邻。RF滤波器模块配置成将RF噪声从往来于护罩壳内的构件传送的电信号中滤除。
[0021]现在参考图1，其示出根据本公开内容的原理的衬底处理系统100的示例。尽管前述示例涉及PECVD系统，但是可以使用其他基于等离子体的衬底处理室。衬底处理系统100包括处理室104，其包围衬底处理系统100的其他构件。衬底处理系统100包括上电极108和衬底支撑件，例如包括下电极116的基座112。衬底120布置于上电极108与下电极116之间的基座112上。
[0022]仅作为示例，上电极108可包括引入并分配工艺气体的喷头124。替代地，上电极108可包括导电板，且工艺气体可用另一方式引入。下电极116可布置于不导电的基座中。替代地，基座112可包括静电卡盘，其包括作为下电极116的导电板。
[0023]当使用等离子体时，射频(RF)产生系统126产生RF电压并且将RF本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种护罩壳，其包括：至少部分地由底部部件限定的底部，所述底部部件包括：中心通孔，从第一边缘向上延伸的第一底部部件凸缘，从第二边缘向上延伸的第二底部部件凸缘，从第三边缘向上延伸的第三底部部件凸缘，从第四边缘向上延伸的第四底部部件凸缘，至少部分地由多个侧部部件限定的四个侧部，所述第一底部部件凸缘、所述第二底部部件凸缘、所述第三底部部件凸缘、所述第四底部部件凸缘，或其组合；以及至少部分地由第一顶部部件和第二顶部部件限定的顶部，其中：每个侧部部件定位在所述底部部件上并且在由所述第一底部部件凸缘、所述第二底部部件凸缘、所述第三底部部件凸缘和所述第四底部部件凸缘形成的外部边界内，每个底部部件凸缘部分地与一个或多个侧部部件重叠，所述第一顶部部件定位在所述侧部部件中的至少一个上，并且所述第二顶部部件定位在所述侧部部件中的至少另一个上。2.根据权利要求1所述的护罩壳，其中：所述多个侧部部件中的第一侧部部件至少部分地沿所述第一边缘和所述第二边缘延伸，所述多个侧部部件中的第二侧部部件至少部分地沿所述第二边缘、所述第三边缘和所述第四边缘延伸，以及所述多个侧部部件中的第三侧部部件至少部分地沿所述第四边缘和所述第一边缘延伸。3.根据权利要求2所述的护罩壳，其中：所述第一底部部件凸缘与所述第一侧部部件和所述第三侧部部件重叠，所述第二底部部件凸缘与所述第一侧部部件和所述第二侧部部件重叠，所述第三底部部件凸缘与所述第二侧部部件重叠，并且所述第四底部部件凸缘与所述第二侧部部件和所述第三侧部部件重叠。4.根据权利要求2所述的护罩壳，其中：所述第一侧部部件和所述第三侧部部件是L形的，并且所述第二侧部部件是U形的。5.根据权利要求2所述的护罩壳，其中：所述护罩壳的第一侧部至少部分地由所述第一底部部件凸缘、所述第一侧部部件和所述第三侧部部件限定，所述护罩壳的第二侧部至少部分地由所述第二底部部件凸缘、所述第一侧部部件和所述第二侧部部件限定，所述护罩壳的第三侧部至少部分地由所述第三底部部件凸缘和所述第二侧部部件限定，并且所述护罩壳的第四侧部至少部分地由所述第四底部部件凸缘、所述第二侧部部件和所述第三侧部部件限定。
6.根据权利要求2所述的护罩壳，其中：所述第一顶部部件还包含从所述第一顶部部件的第一边缘向下延伸的第一顶部部件凸缘、从所述第一顶部部件的第二边缘向下延伸的第二顶部部件凸缘，以及从所述第一顶部部件的第三边缘向下延伸的第三顶部部件凸缘，所述第二顶部部件还包含从所述第二顶部部件的第一边缘向下延伸的第四顶部部件凸缘、从所述第二顶部部件的第二边缘向下延伸的第五顶部部件凸缘，以及从所述二顶部部件的第三边缘向下延伸的第六顶部部件凸缘，以及每个顶部部件凸缘部分地与一个或多个侧部部件重叠。7.根据权利要求6所述的护罩壳，其中：所述第一顶部部件凸缘与所述第一侧部部件重叠，所述第二顶部部件凸缘与所述第一侧部部件和所述第二侧部部件重叠，所述第三顶部部件凸缘与所述第二侧部部件重叠，所述第四顶部部件凸缘与所述第二侧部部件重叠，所述第五顶部部件凸缘与所述第二侧部部件和所述第三侧部部件重叠，并且所述第六顶部部件凸缘与所述第三侧部部件重叠。8.根据权利要求1所述的护罩壳，其中：所述护罩壳的一个侧部由所述多个侧部部件中的至少部分地沿所述第一边缘延伸的第一侧部部件和所述多个侧部部件中的至少部分地沿所述第一边缘延伸的第二侧部部件限定，并且所述一个侧部包含开口，所述开口至少部分地由...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德鲁，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：