用于PVD腔室内的元件的处理方法、挡板和元件技术

本申请涉及仪器设备领域，具体而言，涉及一种用于PVD腔室内的元件的处理方法、挡板和元件。处理方法包括：提供工作表面的表面粗糙度为4.2～8.2μm的元件；于工作表面上形成表面粗糙度为7.0～9.2μm的第一涂层；于第一涂层表面粗糙度为8.3～11.5μm的第二涂层。通过上述方法可以使元件的整个表层结构更加致密，后续材料源不会进入到元件的内部，方便后续对材料源的回收，同时表层结构元件结合强度高，有效降低其因使用场景的温度、湿度变化对表层结构粘附能力的影响。此外，上述的表层结构还可以提供较大的附着力，为材料源提供附着力，增加材料源的回收率，降低浪费，同时也可以增加前述元件的使用周期。加前述元件的使用周期。加前述元件的使用周期。

【技术实现步骤摘要】
用于PVD腔室内的元件的处理方法、挡板和元件


[0001]本申请涉及仪器设备领域，具体而言，涉及一种用于PVD腔室内的元件的处理方法、挡板和元件。

技术介绍

[0002]物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)是指在真空条件下采用物理方法将材料源表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
[0003]异质结电池的工艺流程主要包括制绒清洗、非晶硅镀膜、TCO镀膜以及丝网印刷四步，其中TCO镀膜主要使用ITO(掺锡氧化铟(IndiμmTinOxide))靶材，其在占电池片非硅成本10％左右，ITO成本的降低是异质结电池降本工作的重点。
[0004]TCO(transparent conducting oxide)镀膜常用的是PVD
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物理气相沉积法镀膜，常见的为板式(载板)PVD镀膜，设备在工作过程中，腔室内的ITO分子的随机碰撞，导致ITO分子会溅射到腔室内壁、载板以及其他地方，这部分溅射出去的ITO未被完全收集，会造成ITO浪费；而且当腔室内壁上的ITO积累到一定厚度会掉渣、掉粉等，所以腔室需定期清理，额外增加宕机时间。

技术实现思路

[0005]本申请实施例的目的在于提供一种用于PVD腔室内的元件的处理方法、挡板和元件，其旨在降低PVD过程中材料源的消耗。
[0006]本申请提供一种用于PVD腔室内的元件的处理方法，包括：
[0007]提供工作表面的表面粗糙度为4.2～8.2μm的元件；
[0008]于所述工作表面上形成表面粗糙度为7.0～9.2μm的第一涂层；
[0009]于所述第一涂层远离所述工作表面的一面形成表面粗糙度为8.3～11.5μm的第二涂层；
[0010]工作表面的表面粗糙度小于所述第一涂层的表面粗糙度，所述第一涂层的表面粗糙度小于所述第二涂层的表面粗糙度。
[0011]通过上述方法在元件的工作表面制备表层结构，可以使元件的整个表层结构更加致密，后续材料源(例如ITO)不会进入到元件的内部，方便后续对材料源的回收，同时表层结构元件结合强度高，有效降低其因使用场景的温度、湿度变化对表层结构粘附能力的影响。此外，上述的表层结构还可以提供较大的附着力，为材料源提供附着力，增加材料源(例如ITO)的回收率，降低浪费，同时也可以增加前述元件的使用周期。
[0012]在本申请的一些实施例中，采用第一原料于所述工作表面上形成所述第一涂层，所述第一原料包括按照质量百分比计的以下组分：20％～50％的粒径为500μm～1000μm的类球形钢砂、10％～30％的粒径为500μm～1000μm的圆柱形钢砂以及10％～20％的粒径为400～800μm棱角形钢砂。
[0013]在本申请的一些实施例中，形成第一涂层的工艺为热喷涂工艺。
[0014]在本申请的一些实施例中，采用第二原料与所述第一涂层远离所述工作表面的一面形成所述第二涂层，所述第二原料包括按照质量百分比计的以下组分：
[0015]10％～30％的粒径为200μm～500μm的类球形钢砂、10％～40％的粒径为100μm～500μm的圆柱形钢砂以及10％～40％的粒径为100μm～500μm的棱角形钢砂。
[0016]在本申请的一些实施例中，所述形成第二涂层的工艺为热喷涂工艺。
[0017]在本申请的一些实施例中，所述工作表面的表面粗糙度为4.2～8.2μm的元件通过以下步骤制得：
[0018]采用直径为0.1～0.5mm的颗粒对表面粗糙度为2.0～4.6μm的元件进行珠击；珠击前元件的表面粗糙度小于所述工作表面的表面粗糙度。
[0019]在本申请的一些实施例中，所述表面粗糙度为2.0～4.6μm的元件通过以下步骤制得：
[0020]采用直径为1.0～3.0mm的颗粒对表面对表面粗糙度为0.8
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1.2μm的元件进行珠击。
[0021]在本申请的一些实施例中，形成第二涂层后还包括对第二涂层进行磨砂处理，使磨砂后的粗糙度为10
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12μm。
[0022]一种用于PVD腔室内的挡板，挡板的表面经过上述的用于PVD腔室内的元件的处理方法处理得到。
[0023]本申请还提供一种用于PVD腔室内的元件，用于PVD腔室内的元件的至少一个表面采用上述的用于PVD腔室内的元件的处理方法处理得到。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0025]图1示出了本申请实施例提供的PVD腔室内的元件的处理方法的主要流程图。
具体实施方式
[0026]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0027]下面对本申请实施例的用于PVD腔室内的元件的处理方法、挡板和元件进行具体说明。
[0028]图1示出了本申请实施例提供的PVD腔室内的元件的处理方法的主要流程图，请参阅图1，本实施例提供一种用于PVD腔室内的元件的处理方法，包括：
[0029]步骤S1：提供元件，该元件的工作表面的表面粗糙度为4.2～8.2μm。
[0030]在本申请的实施例中，前述元件为PVD腔室内的载板，载板的形状以及大小可以根
据PVD设备进行设置，本申请不对其进行限定。可以理解的是，在本申请的其他实施例中，前述的元件也可以为置于PVD腔室内的挡板、防尘罩等可拆卸的腔室内的部件。
[0031]上述“工作表面”是指PVD设备在运行过程中，材料源会溅射到的位置；可以理解的是，本申请并不限制元件的除了工作表面之外的表面就不能进行后续的操作工艺；换言之，根据具体的制备工艺和制备成本等进行考虑，元件的所有的表面均可以被设置为表面的粗糙度为4.2～8.2μm，且所有的表面均可以进行后续的操作工艺。
[0032]元件的表面粗糙度为4.2μm～8.2μm，例如可以为4.2μm、4.3μm、4.4μm、4.5μm、5μm、5.2μm、5.8μm、6.2μm、6.5μm、7.4μm、7.6μm、8μm、8.2μm等等。
[0033]在本申请的实施例中，就获取工作表面的表面粗糙度为4.2～8.2μm的元件的方法提供示例，例如，采用直径为0.1～0.5mm的颗粒对表面粗糙度为2.0～4.6μm的元件进行珠击，需要说明的是，在珠击之前表面粗糙度小于工作表面的表面粗糙度。
[0034]换言之，选用表面粗糙本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于PVD腔室内的元件的处理方法，其特征在于，包括：提供工作表面的表面粗糙度为4.2～8.2μm的元件；于所述工作表面上形成表面粗糙度为7.0～9.2μm的第一涂层；于所述第一涂层远离所述工作表面的一面形成表面粗糙度为8.3～11.5μm的第二涂层；所述工作表面的表面粗糙度小于所述第一涂层的表面粗糙度，所述第一涂层的表面粗糙度小于所述第二涂层的表面粗糙度。2.根据权利要求1所述的用于PVD腔室内的元件的处理方法，其特征在于，采用第一原料于所述工作表面上形成所述第一涂层，所述第一原料包括按照质量百分比计的以下组分：20％～50％的粒径为500μm～1000μm的类球形钢砂、10％～30％的粒径为500μm～1000μm的圆柱形钢砂以及10％～20％的粒径为400～800μm棱角形钢砂。3.根据权利要求1所述的用于PVD腔室内的元件的处理方法，其特征在于，形成所述第一涂层的工艺为热喷涂工艺。4.根据权利要求1所述的用于PVD腔室内的元件的处理方法，其特征在于，采用第二原料与所述第一涂层远离所述工作表面的一面形成所述第二涂层，所述第二原料包括按照质量百分比计的以下组分：10％～30％的粒径为200μm～500μm的类球形钢砂、10％～40％的粒径为100μm～500μm的圆柱形钢砂以及10％～40％的粒径为100μm～500μm的棱角形钢砂。5.根据权利要求1所述的用于PVD...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛建锋，徐磊，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：