全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置制造方法及图纸

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置。其中，全彩化显示面板的制备方法包括：提供电路板，电路板的一面键合有阵列排布的蓝光LED芯片；针对不同颜色的子像素，分别进行以下步骤：在电路板上键合有阵列排布的蓝光LED芯片的一面覆盖对应的色转换保护层；去除部分色转换保护层，以对应蓝光LED芯片制备对应的色转换保护结构。本公开的技术方案，可制备满足LED芯片全彩化需求的色转换层图形化，解决了现有技术中通过量子点光刻工艺，由于量子点光刻胶的光刻精度受限造成制备的色转换层容易越界到相邻子像素的范围中，影响显示面板的显示效果的问题。示效果的问题。示效果的问题。

【技术实现步骤摘要】
全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置


[0001]本公开涉及显示
，特别涉及一种全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro
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LED)显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。Micro
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LED芯片尺寸小、集成度高、自发光和稳定性高等特点，与液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）和有机发光二极管(Organic Micro Light Emitting Diode，OLED)相比，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。相关技术中的Micro
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LED全彩化技术是在蓝色或紫色的LED显示阵列上方制备图形化的量子点色转换层，将蓝光（或紫光）转换为红绿蓝三色光，从而将单色的Micro
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LED显示芯片转换为全彩的Micro
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LED显示芯片。
[0003]现有技术中的图形量子点色转换层的制备方法主要采用量子点光刻工艺，将量子点与光刻胶按一定比例混合，采用量子点光刻方法进行像素图案化。由于量子点本身是纳米颗粒，为了提高色转换层的光转换效率，会在量子点光刻胶中添加光散射颗粒，由此造成量子点光刻胶对光的散射作用非常强，这限制了量子点光刻胶的光刻精度。目前的量子点光刻胶的光刻最高精度为5微米，而Micro
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LED的像素尺寸最小可以做到1微米，从而造成制备的色转换层容易越界到相邻子像素的范围中，影响显示面板的显示效果。因此，现有的量子点光刻工艺制备的色转换层图形化无法满足Micro
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LED全彩化的需求。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置，有利于使得制备的色转换层图形化满足LED全彩化的需求，解决了现有技术中通过量子点光刻工艺，由于量子点光刻胶的光刻精度受限造成制备的色转换层容易越界到相邻子像素的范围中，影响显示面板的显示效果的问题。
[0005]第一方面，本公开提供了一种全彩化显示面板的制备方法，包括：提供电路板，所述电路板的一面键合有阵列排布的蓝光LED芯片；针对不同颜色的子像素，进行以下步骤：在电路板上键合有阵列排布的蓝光LED芯片的一面覆盖对应的色转换保护层；去除部分所述色转换保护层，以对应所述蓝光LED芯片制备对应的色转换保护结构；其中，所述色转换保护层包括色转换层和保护层，所述色转换层位于所述蓝光LED芯片和所述保护层之间。
[0006]在一些实施例中，所述在电路板上键合有阵列排布的蓝光LED芯片的一面覆盖对应的色转换保护层，包括：
在电路板上键合有阵列排布的蓝光LED芯片的一面涂布对应的色转换层；在所述色转换层上涂布所述保护层。
[0007]在一些实施例中，所述去除部分所述色转换保护层，以对应所述蓝光LED芯片制备对应的色转换保护结构，包括：去除部分所述保护层，保留对应所述蓝光LED芯片所在位置的保护层；去除未覆盖保护层的所述色转换层，以对应所述蓝光LED芯片制备对应的色转换保护结构。
[0008]在一些实施例中，所述去除部分所述保护层，保留对应LED芯片所在位置的保护层，包括：在所述色转换保护层上覆盖光刻胶层；保留对应所述蓝光LED芯片所在位置对应的所述光刻胶层；去除未覆盖所述光刻胶层的保护层；去除所述光刻胶层。
[0009]在一些实施例中，去除部分所述保护层包括：采用第一等离子体刻蚀部分所述保护层；去除未覆盖保护层的所述色转换层包括：采用第二等离子体刻蚀所述色转换层。
[0010]在一些实施例中，构成所述保护层的材料包括氧化硅或氮化硅。
[0011]第二方面，本公开还提供了一种全彩化显示面板，采用如第一方面所述的全彩化显示面板的制备方法形成。
[0012]在一些实施例中，所述全彩化显示面板包括：电路板和阵列排布在所述电路板上的像素单元；所述像素单元包括不同颜色的子像素单元。
[0013]在一些实施例中，所述子像素单元的上方覆盖有保护层。
[0014]第三方面，本公开还提供了一种显示装置，包括如第二方面所述的全彩化显示面板。
[0015]本公开实施例提供的全彩化显示面板的制备方法包括：提供电路板，电路板的一面键合有阵列排布的蓝光LED芯片；针对不同颜色的子像素，进行以下步骤：在电路板上键合有阵列排布的蓝光LED芯片的一面覆盖对应的色转换保护层；去除部分色转换保护层，以对应蓝光LED芯片制备对应的色转换保护结构。由此，通过阵列排布蓝光LED芯片所在面覆盖对应的色转换保护层，随后去除其他区域位置的色转换保护层，仅保留制备当前子像素对应的蓝光LED芯片所在位置的色转换保护层，从而对应蓝光LED芯片制备对应尺寸的色转换保护结构，有利于使得制备的色转换层图形化满足LED全彩化的需求，解决了现有技术中通过量子点光刻工艺，由于量子点光刻胶的光刻精度受限造成制备的色转换层容易越界到相邻子像素的范围中，影响显示面板的显示效果的问题。
附图说明
[0016]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
[0017]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现
有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本公开实施例提供的一种全彩化显示面板的制备方法的流程示意图；图2为本公开实施例提供的一种全彩化显示面板的具体工艺制备图；图3为本公开实施例提供的一种工艺制备图；图4为本公开实施例提供的一种全彩化显示面板的结构示意图。
具体实施方式
[0019]为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0020]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0021]本公开实施例提供的全彩化显示面板的制备方法，有利于使得制备的色转换层图形化满足LED全彩化的需求，解决了现有技术中通过量子点光刻工艺，由于量子点光刻胶的光刻精度受限造成制备的色转换层容易越界到相邻子像素的范围中，影响显示面板的显示效果的问题。
[0022]下面结合附图，对本公开实施例提供的全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置进行示例性说明。
[0023]图1为本公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全彩化显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供电路板，所述电路板的一面键合有阵列排布的蓝光LED芯片；针对不同颜色的子像素，分别进行以下步骤：在电路板上键合有阵列排布的蓝光LED芯片的一面覆盖对应的色转换保护层；去除部分所述色转换保护层，以对应所述蓝光LED芯片制备对应的色转换保护结构；其中，所述色转换保护层包括色转换层和保护层，所述色转换层位于所述蓝光LED芯片和所述保护层之间。2.根据权利要求1所述的全彩化显示面板的制备方法，其特征在于，所述在电路板上键合有阵列排布的蓝光LED芯片的一面覆盖对应的色转换保护层，包括：在电路板上键合有阵列排布的蓝光LED芯片的一面涂布对应的色转换层；在所述色转换层上涂布所述保护层。3.根据权利要求1所述的全彩化显示面板的制备方法，其特征在于，所述去除部分所述色转换保护层，以对应所述蓝光LED芯片制备对应的色转换保护结构，包括：去除部分所述保护层，保留对应所述蓝光LED芯片所在位置的保护层；去除未覆盖保护层的所述色转换层，以对应所述蓝光LED芯片制备对应的色转换保护结构。4.根据权利要求3所述的全彩化显示面板的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：马兴远，温海键，岳大川，蔡世星，李小磊，伍德民，
申请(专利权)人：深圳市奥视微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：