一种双列直插式封装电子元件用清洗液、其制备方法及其应用技术

本发明专利技术涉及双列直插式封装电子元件用清洗液、其制备方法及其应用。双列直插式封装电子元件用清洗液，其特征在于，所述清洗液由双氧水、冰醋酸、羟基乙叉二膦酸和水组成，其中每升清洗液中各组分含量为：双氧水100～200ml/L，冰醋酸200～300ml/L，羟基乙叉二膦酸50～200ml/L，余量为纯水。这种清洗液中，羟基乙叉二膦酸的加入能延长清洗液的使用寿命，防止出现点状腐蚀。现点状腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种双列直插式封装电子元件用清洗液、其制备方法及其应用


[0001]本专利技术具体涉及一种双列直插式封装电子元件用清洗液、其制备方法及其应用。

技术介绍

[0002]Dual In
‑
line Package(DIP)，双列直插式封装技术，指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式。采用这种封装方式的芯片有两排引脚，是从集成电路芯片内部电路引出与外围电路的接线，所有的引脚构成了芯片的接口，可以直接焊在有DIP结构的芯片插座上，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。因此需要对这种电子元件的引脚电镀，增强其焊接性能。
[0003]在对这种采用DIP封装的电子元件的电镀工艺中，电子元件的散热片上不允许有镀层同时需要有均匀哑光泽，而且还需保证电子元件的引脚的锡镀层有较好的可焊性，但是传统电镀工艺中常用的清洗液一般含有硝酸或硝酸盐的配方，操作时会产生氮氧化物废气，环保性差，而且用这种清洗液腐蚀速度快，容易伤害锡镀层；

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的之一是为了克服现有技术的不足，提供一种既能保证电子元件的散热片的外观不被破坏，又能不伤害锡镀层的双列直插式封装电子元件用清洗液、其制备方法及其应用。
[0005]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案实现：
[0006]一种双列直插式封装电子元件用清洗液，其特征在于，所述清洗液由双氧水、冰醋酸、羟基乙叉二膦酸和水组成，其中每升清洗液中各组分含量为：双氧水100～200ml/L，冰醋酸200～300ml/L，羟基乙叉二膦酸50～200ml/L，余量为纯水。
[0007]双列直插式封装电子元件用清洗液的制备方法，其特征在于，将冰醋酸、羟基乙叉二膦酸和双氧水依次加入水中混合。
[0008]根据本专利技术的一个技术方案，包括步骤，A、准备好容器，放入1/4纯水；B、将冰醋酸加入水中，搅拌；C、将羟基乙叉二膦酸加入步骤B的溶液中，搅拌；D、将双氧水加入步骤C的溶液中，搅拌；E、补充纯水至规定容积，搅拌。
[0009]前述双列直插式封装电子元件用清洗液的应用，其特征在于，应用于对DIP封装的电子元件的清洗。
[0010]根据本专利技术的一个技术方案，清洗方法为：在温度为5～50℃下，将电镀后的所述电子元件置于所述清洗液中，摆动所述电子元件进行1～20min的清洗。
[0011]常用的清洗液有硝酸、硫酸的混合酸和硝酸盐、酸混合等配方，前者清洗液，腐蚀速度快，不易控制，后者需要加温操作，而且二种清洗液均会产生氮氧化物气体，操作环境差，不符合环保要求，本清洗液利用双氧水的在酸性条件的氧化性，配与合适的缓腐剂羟基乙叉二膦酸，同时采用不易伤害锡镀层的酸性介质醋酸，从而达到操作简单、无需温度控
制，时间控制范围宽、清洗溶液稳定，无氮氧化物废气产生的目的。该液控制方便，冬夏天都无需温度控制，维护简单，平时只需用碱滴定分析酸度，按双氧水：醋酸＝2:1补加，定期倒槽。
[0012]本专利技术与现有技术相比的有益效果是：
[0013]1、本专利技术提供的双列直插式封装电子元件用清洗液、其制备方法及其应用。中，在酸性条件下，双氧水会与电子元件的散热片上的铜发生氧化还原反应，氧化铜缓慢的溶解从而使铜片变得均匀近似光亮，保证了在电镀工艺中散热片的外观不会在电镀锡时受到影响。
[0014]2、这种清洗液在不影响散热片的同时也能不伤害到已经镀上的锡镀层，可以放弃手工操作，从而实现整套的自动化电镀工艺。
[0015]3、这种清洗液中，羟基乙叉二膦酸的加入能延长清洗液的使用寿命，防止出现点状腐蚀。
[0016]4、由于冰醋酸可作为食用白醋的主要原料，羟基乙叉二膦酸常用于锅炉用水的软化剂、阻垢剂，并且双氧水的分解产物为水和氧气，因此由其组成的清洗液具有较好的环保性。
具体实施方式
[0017]下面结合实施例对本专利技术进行详细的描述：
[0018]实施例1
[0019]双列直插式封装电子元件用清洗液，由双氧水、冰醋酸、羟基乙叉二膦酸和水组成，其中每升清洗液中各组分含量为100ml/L双氧水、200ml/L冰醋酸、50ml/L羟基乙叉二膦酸，其余为水。
[0020]该清洗液的制备方法为：
[0021]A、准备好容器，放入1/4纯水；B、将冰醋酸加入水中，搅拌；C、将羟基乙叉二膦酸加入步骤B的溶液中，搅拌；D、将双氧水加入步骤C的溶液中，搅拌；E、补充纯水至规定容积，搅拌。
[0022]该清洗液的应用，包括以下步骤：
[0023]将DIP封装的电子元件电镀好后，将所述电子元件置于根据上述方法制得的清洗液中，温度为20℃，摆动所述电子元件进行20min的清洗。
[0024]实施例2
[0025]双列直插式封装电子元件用清洗液，由双氧水、冰醋酸、羟基乙叉二膦酸和水组成，其中每升清洗液中各组分含量为130ml/L双氧水、230ml/L冰醋酸、100ml/L羟基乙叉二膦酸，其余为水。
[0026]该清洗液的制备方法为：
[0027]A、准备好容器，放入1/4纯水；B、将冰醋酸加入水中，搅拌；C、将羟基乙叉二膦酸加入步骤B的溶液中，搅拌；D、将双氧水加入步骤C的溶液中，搅拌；E、补充纯水至规定容积，搅拌。
[0028]该清洗液的应用，包括以下步骤：
[0029]将DIP封装的电子元件电镀好后，将所述电子元件置于根据上述方法制得的清洗
液中，温度为30℃，摆动所述电子元件进行15min的清洗。
[0030]实施例3
[0031]双列直插式封装电子元件用清洗液，由双氧水、冰醋酸、羟基乙叉二膦酸和水组成，其中每升清洗液中各组分含量为170ml/L双氧水、220ml/L冰醋酸、90ml/L羟基乙叉二膦酸，其余为水。
[0032]该清洗液的制备方法为：
[0033]A、准备好容器，放入1/4纯水；B、将冰醋酸加入水中，搅拌；C、将羟基乙叉二膦酸加入步骤B的溶液中，搅拌；D、将双氧水加入步骤C的溶液中，搅拌；E、补充纯水至规定容积，搅拌。
[0034]该清洗液的应用，包括以下步骤：
[0035]将DIP封装的电子元件电镀好后，将所述电子元件置于根据上述方法制得的清洗液中，温度为45℃，摆动所述电子元件进行12min的清洗。
[0036]实施例4
[0037]双列直插式封装电子元件用清洗液，由双氧水、冰醋酸、羟基乙叉二膦酸和水组成，其中每升清洗液中各组分含量为200ml/L双氧水、270ml/L冰醋酸、200ml/L羟基乙叉二膦酸，其余为水。
[0038]该清洗液的制备方法为：
[0039]A、准备好容器，放入1/4纯水；B、将冰醋酸加入水中，搅拌；C、将羟基乙叉二膦酸加入步骤B的溶液中，搅拌；D、将双氧水加入步骤C的溶液中，搅拌；E、补充纯水至规定容积，搅拌。
[0040]该清洗液的应用，包括以下步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双列直插式封装电子元件用清洗液，其特征在于，所述清洗液由双氧水、冰醋酸、羟基乙叉二膦酸和水组成，其中每升清洗液中各组分含量为：双氧水100～200ml/L，冰醋酸200～300ml/L，羟基乙叉二膦酸50～200ml/L，余量为纯水。2.根据权利要求1所述的双列直插式封装电子元件用清洗液的制备方法，其特征在于，将冰醋酸、羟基乙叉二膦酸和双氧水依次加入水中混合。3.根据权利要求2所述的双列直插式封装电子元件用清洗液的制备方法，其特征在于，包括步骤，A、准备好容...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘同华，陈亮，
申请(专利权)人：上海鼎虹电子有限公司，
类型：发明
国别省市：