晶片转移方法技术

本发明专利技术提供了一种晶片转移方法，该晶片转移方法可应用于扇出型面板级封装，该方法包括：将带有粘接层的方形承载基板压在粘接于蓝膜且呈圆形分布的晶片上，使承载基板与晶片粘接；抬起承载基板从而使承载基板覆盖区域内的晶片与蓝膜分离；将承载基板压在设计有粘接层图形的大尺寸目的基板上，目的基板上粘接层图形的间距是晶片间距的n倍，使晶片与目的基板粘接；抬起承载基板，1/n2承载基板数量的晶片转移至目的基板上。承载基板与晶片之间的黏附力大于蓝膜与晶片之间的黏附力，并且小于目的基板与晶片之间的黏附力。该方法通过两次转移将多片晶片同时从蓝膜转移至目的方形基板上，使用该方法能够提高晶圆重构的效率和降低晶圆重构的成本。圆重构的成本。圆重构的成本。

【技术实现步骤摘要】
晶片转移方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种晶片转移方法。

技术介绍

[0002]扇出型晶片级封装(Fan Out Wafer Level Package，FOWLP)以及扇出型面板级封装(Fan Out Panel Level Package，FOPLP)是近年来受到广泛关注的两种封装工艺。FOWLP和FOPLP这两种工艺均包含晶圆重构这一步骤。晶圆重构的大致过程为，将晶圆切割成多个晶片，然后将晶片转移到一个载板上，晶片转移完成之后，在载板上制作RDL层(Redistribution Layer)，将晶片的I/O电极导出。现有技术中，通常是采用真空吸附头或静电吸附头将晶片逐个从蓝膜转移到载板上，这导致晶片转移的效率较低和工艺成本较高。
[0003]FOPLP扇出面板级封装，被视为是延伸FOWLP、并可高整合度IC封装的突破性技术。FOPLP将圆形的wafer载板变更为更大尺寸的方形载板(glass or PCB)，利用率更高，成本更低。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种晶片转移方法，该方法能够简单、高效地转移晶片，并且有利于降低晶圆重构的工艺成本。
[0005]根据本专利技术的实施例的晶片转移方法，该方法通过承载基板将蓝膜上的晶片转移至目的基板上，所述承载基板能够与所述晶片粘接，所述目的基板具有多个第一粘接体，相邻的所述第一粘接体之间具有第一间隙，所述目的基板能够通过所述第一粘接体与所述晶片粘接，所述承载基板与所述晶片之间的黏附力大于所述蓝膜与所述晶片之间的黏附力，所述承载基板与所述晶片之间的黏附力小于所述目的基板与所述晶片之间的黏附力，所述承载基板具有多个第二粘接体，所述承载基板通过所述第二粘接体与所述晶片粘接，每一所述第一粘接体用于与一个所述晶片粘接，每一所述第二粘接体用于与一个所述晶片粘接，相邻的所述第一粘接体之间的距离为L1，相邻的所述第二粘接体之间的距离为L2，满足：L1＝n
·
L2，n≥2且n为整数；
[0006]所述晶片转移方法包括以下步骤：
[0007]S10：将所述承载基板压在粘接于所述蓝膜的所述晶片上，使所述承载基板与m个所述晶片粘接，m为大于1的正整数；
[0008]S20：抬起所述承载基板，从而使粘接于所述承载基板的所述晶片与所述蓝膜分离；
[0009]S30：将所述承载基板压在所述目的基板上，使一部分所述晶片与所述目的基板粘接，并且使其余未粘接于所述目的基板的所述晶片与所述第一间隙相对，其中，共有(m/n2)个所述晶片与所述目的基板粘接，且(m/n2)为正整数；
[0010]S40：抬起所述目的基板，从而使粘接于所述目的基板的所述晶片与所述承载基板
分离；
[0011]S50：判断所述承载基板上的所有所述晶片是否均被转移至所述目的基板上，若否，则依次重复步骤S30和步骤S40。
[0012]根据本专利技术实施例的晶片转移方法，至少具有如下有益效果：
[0013]本专利技术的转移方法，先利用承载基板一次性地将承载基板上的多个晶片取走，然后再使承载基板多次与目的基板压合、分离，从而使多个晶片转移到目的基板上。这样设置有利于减小在承载基板和目的基板之间往返的次数，从而提高将晶片从蓝膜转移至目的基板的效率。而且，由于一次性地将多个晶片进行转移，对于在同一次被压在目的基板上的多个晶片，不同晶片之间的位置偏差较小，这有利于减小重构晶圆上的不同晶片之间的位置偏差。
[0014]本专利技术的晶片转移方法，先通过承载基板将晶片粘起来，然后再通过目的基板将承载基板上的晶片粘下来，从而将晶片从蓝膜转移至目的基板。本专利技术的晶片转移方法主要利用蓝膜、承载基板和目的基板三者对晶片的黏附力差异实现晶片的转移，无需利用现有技术中的成本较高的真空吸盘或静电吸盘吸取晶片在承载基板和目的基板之间往返多次并将蓝膜上的晶片逐个转移至目的基板。此外，本专利技术的晶片转移方法利用不同部件与晶片之间的黏附力的差异，实现晶片的转移，本专利技术无需利用加热、紫外光照射等手段去解除晶片与蓝膜或承载基板之间的粘接。
[0015]综上，本专利技术的晶片转移方法简单、高效，且有利于降低晶圆重构的工艺成本。
[0016]根据本专利技术的一些实施例，所述晶片由晶圆切割而成，所述晶圆具有一正方形区域，所述正方形区域的对角线的长度与所述晶圆的直径相等；
[0017]所述将所述承载基板压在粘接于所述蓝膜的所述晶片上，使所述承载基板与m个所述晶片粘接，是通过以下方式实现的：使所述承载基板覆盖所述正方形区域，使所述承载基板与设置于所述正方形区域内的所有晶片粘接。
[0018]根据本专利技术的一些实施例，所述承载基板呈正方形，且所述承载基板的边长与所述正方形区域的边长相等。
[0019]根据本专利技术的一些实施例，所述晶片由晶圆切割而成，所述晶圆的直径为D，所述目的基板呈矩形，所述目的基板的短边的长度为L3，满足：D≥4inch，L3≥400mm。
[0020]根据本专利技术的一些实施例，所述目的基板包括第一板体和所述第一粘接体，所述第一粘接体粘接于所述第一板体的外表，所述第一板体为玻璃板或PCB。
[0021]根据本专利技术的一些实施例，所述目的基板包括第二板体和多个第二粘接体，所述第二粘接体粘接于所述第二板体的外表，所述目的基板通过所述第二粘接体与所述晶片粘接；所述第二粘接体与所述第二板体之间的黏附力，大于所述第二粘接体与所述晶片之间的黏附力。
[0022]根据本专利技术的一些实施例，所述目的基板包括第一板体和多个所述第一粘接体，所述第一粘接体粘接于所述第一板体的外表；所述第一粘接体与所述第一板体之间的黏附力，大于所述第二粘接体与所述晶片之间的黏附力。
[0023]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0024]下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的说明，其中：
[0025]图1为晶圆的平面示意图；
[0026]图2为图1中的晶圆的横截面示意图；
[0027]图3为本专利技术一实施例中的晶片转移方法的示意图；
[0028]图4为承载基板与蓝膜上的单个晶片粘接时的示意图；
[0029]图5为承载基板使单个晶片与蓝膜分离后的示意图；
[0030]图6为承载基板将单个晶片压在目的基板上的示意图；
[0031]图7为承载基板抬起并使单个晶片保留在目的基板上的示意图；
[0032]图8为n＝2时承载基板第一次压在目的基板上的主视图；
[0033]图9为n＝2时第二实施例中承载基板第一次从目的基板上抬起的主视图；
[0034]图10为n＝2时第二实施例中承载基板第二次压在目的基板上的主视图；
[0035]图11为n＝2时承载基板的平面示意图；
[0036]图12为n＝2时目的基板的平面示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.晶片转移方法，其特征在于，通过承载基板将蓝膜上的晶片转移至目的基板上，所述承载基板能够与所述晶片粘接，所述目的基板具有多个第一粘接体，相邻的所述第一粘接体之间具有第一间隙，所述目的基板能够通过所述第一粘接体与所述晶片粘接，所述承载基板与所述晶片之间的黏附力大于所述蓝膜与所述晶片之间的黏附力，所述承载基板与所述晶片之间的黏附力小于所述目的基板与所述晶片之间的黏附力，所述承载基板具有多个第二粘接体，所述承载基板通过所述第二粘接体与所述晶片粘接，每一所述第一粘接体用于与一个所述晶片粘接，每一所述第二粘接体用于与一个所述晶片粘接，相邻的所述第一粘接体之间的距离为L1，相邻的所述第二粘接体之间的距离为L2，满足：L1＝n
·
L2，n≥2且n为整数；所述晶片转移方法包括以下步骤：S10：将所述承载基板压在粘接于所述蓝膜的所述晶片上，使所述承载基板与m个所述晶片粘接，m为大于1的正整数；S20：抬起所述承载基板，从而使粘接于所述承载基板的所述晶片与所述蓝膜分离；S30：将所述承载基板压在所述目的基板上，使一部分所述晶片与所述目的基板粘接，并且使其余未粘接于所述目的基板的所述晶片与所述第一间隙相对，其中，共有(m/n2)个所述晶片与所述目的基板粘接，且(m/n2)为正整数；S40：抬起所述目的基板，从而使粘接于所述目的基板的所述晶片与所述承载基板分离；S50：判断所述承载基板上的所有所述晶片是否均被转移至所述目的基板上，若否，则依次重复步骤S30和步骤S40。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，张晓军，
申请(专利权)人：深圳市矩阵多元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：