本发明专利技术公开了一种半导体废水处理方法及系统。该半导体废水处理方法包括：分类收集：将半导体废水分为酸性废水、碱性废水、含氟废水、含砷废水和有机废水进行收集；分质预处理：中和酸性废水和碱性废水，去除含砷废水中的三价砷和单质磷，去除含氟废水中的氟离子；MBR膜处理：将分质预处理后的酸性废水、碱性废水、含砷废水、含氟废水和有机废水进入MBR膜生物反应器，初步去除废水中的污染物；RO分离净化：将经MBR膜生物反应器处理后的废水进入RO分离净化器，去除废水中残余的杂质，得到干净的回收水。本发明专利技术先将各种废水进行分质预处理，实现各类污染物的分级去除，再依次经MBR膜处理、RO分离净化处理，产水回用率达90％。产水回用率达90％。产水回用率达90％。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体废水处理方法及系统
[0001]本专利技术属于工业废水处理
，具体涉及一种半导体废水处理方法及系统。
技术介绍
[0002]随着电动汽车、智能电子设备的迅速发展，半导体产业需求量日趋增加，其部件生产清洗和电镀产生大量废水，水中含有大量重金属成分，对生态环境和人类健康会产生极大危害，造成环境污染，半导体行业生产企业急需解决废水处理问题。
[0003]半导体生产废水主要分为高浓废水和低浓度污水，高浓废水主要来源于半导体生产线，分为除臭系统酸碱废液，含砷废液，含氟废液，含磷废水，含有机废水，低浓污水主要来源于冲洗污水、清洗污水以及生活污水。其中有机废水的主要来源为光刻、光刻胶除去以及晶片清洗工序，主要的污染物为：COD
Cr
、BOD5等；含砷废水主要来源于湿蚀刻、干蚀刻和晶圆减薄工序，主要的污染物为：PO
43
‑
、AsO
33
‑
、SS等；含氟废水的主要来源是化学气相沉积和干法蚀刻，主要的污染物为：F
‑
、NH3等；酸性废水的主要来源是金属膜蒸发和湿法蚀刻,主要的污染物为Cl
‑
等。
[0004]综上所述，半导体废水种类多，成分复杂，废水量大，产水量波动大，且为连续排放，处理难度大。因此，亟需一种针对半导体废水的处理方法和处理系统。
技术实现思路
[0005]针对上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体废水处理方法及系统。本专利技术先将各种废水进行分质预处理，实现各类污染物的分级去除，再依次经过MBR膜处理、RO分离净化处理，产水回用率可达90％，实现了半导体废水的净化再生。
[0006]为实现上述目的，本专利技术通过如下技术方案实现：
[0007]一种半导体废水处理方法，包括以下步骤：
[0008]分类收集：将半导体废水分为酸性废水、碱性废水、含氟废水、含砷废水和有机废水进行收集；
[0009]分质预处理：中和酸性废水和碱性废水，去除含砷废水中的三价砷和单质磷，去除含氟废水中的氟离子；
[0010]MBR膜处理：将分质预处理后的酸性废水、碱性废水、含砷废水、含氟废水和有机废水混合后进入MBR膜生物反应器，去除废水中的COD、有机物、氨氮、总氮、总磷和部分重金属；
[0011]RO分离净化：将经过MBR膜生物反应器处理后的废水进入RO分离净化器，去除废水中残余的杂质，得到干净的回收水。
[0012]进一步地，上述半导体废水处理方法还包括将经RO分离净化器处理后的不满足回收标准的废水进入DTRO分离净化器进行分离浓缩得到浓缩液，并将不满足回收标准的浓缩液进入蒸发结晶系统或RO分离净化器进行处理。
[0013]进一步地，分质预处理过程中，去除含砷废水中的三价砷和单质磷的方法为：以次
氯酸钠或双氧水为氧化剂将三价砷氧化为五价砷，将单质磷氧化成磷酸盐，然后以PAC、PFS、PAM、有机硫中的一种或多种为絮凝剂，沉淀五价砷和磷酸盐。
[0014]进一步地，分质预处理过程中，去除含氟废水中氟离子的方法为：加入氯化钙以及熟石灰和/或氢氧化钠生成氟化钙，以PAC、PFS、PAM、有机硫中的一种或多种为絮凝剂，沉淀氟化钙。
[0015]一种上述半导体废水处理方法使用的半导体废水处理系统，包括酸性废水收集灌、碱性废水收集灌、含砷废水收集灌、含氟废水收集灌、有机废水收集灌，与酸性废水收集灌和碱性废水收集灌连接的酸碱中和罐，与含砷废水收集灌连接的两级除砷反应罐，与含氟废水收集灌连接的两级除氟反应罐，以及依次连接的废水中和调理罐、MBR膜生物反应器、RO分离净化器和产水回用罐。
[0016]进一步地，两级除砷反应罐包括一级氧化反应区，一级絮凝区，一级沉淀池和二级氧化反应区，二级絮凝区，二级沉淀池；两级除氟反应罐包括一级除氟反应区，一级氟絮凝沉淀区，一级氟沉淀池，二级除氟反应区，二级氟絮凝沉淀区，二级氟沉淀池。
[0017]进一步地，MBR膜生物反应器包括依次设置的反硝化区、碳化区、硝化区、沉淀区和外置式管式超滤单元；RO分离净化器的膜材料为聚酰胺复合膜，膜通量10
‑
15L/(m2·
h)。
[0018]进一步地，RO分离净化器还依次连接有DTRO分离净化器和蒸发结晶系统，DTRO分离净化器和蒸发结晶系统的清液出口均连接产水回用罐。
[0019]进一步地，DTRO分离净化器包括过滤器、高压泵、减震器、DTRO膜组件和循环泵；蒸发结晶系统包括两级低温蒸发系统和低温刮板蒸发系统。
[0020]进一步地，两级低温蒸发系统包括冷凝水罐，进料罐，一级预热器，二级预热器，一级闪蒸罐，一级换热器，二级闪蒸罐，二级换热器，膨胀罐，冷凝水罐，冷却循环水池，母液罐，排污罐，洗涤罐。低温刮板蒸发系统包括高浓母液罐，消泡剂桶，进料罐，蒸汽发生器，刮板蒸发器，闪蒸罐，冷凝器，冷凝水罐。
[0021]本专利技术的有益效果是：
[0022](1)本专利技术先将各类废水进行分质预处理，实现各类污染物的分级去除，再依次经过MBR膜处理、RO分离净化处理，解决了半导体含氟废水、含砷废水等污染问题，产水回用率达90％，实现了半导体废水的再生处理。
[0023](2)本专利技术通过将经RO分离净化器处理后的不满足回收标准的废水进入DTRO分离净化器进行分离浓缩得到浓缩液，并将不满足回收标准的浓缩液进入蒸发结晶系统或RO分离净化器进行循环处理，产水水质好，可满足生产用水要求。
[0024](3)本专利技术提供的半导体废水处理系统抗水质波动能力强，运行稳定性强，自动化程度高，操作简单，满足对半导体废水进行深度净化的需求。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍。
[0026]图1为本专利技术实施例提供的半导体废水处理方法的工艺流程图；
[0027]图2为两级除砷反应罐示意图；
[0028]图3为两级除氟反应罐示意图；
[0029]图4为MBR膜生物反应器示意图；
[0030]图5为DTRO分离净化器示意图；
[0031]图6为两级低温蒸发系统示意图；
[0032]图7为低温刮板蒸发系统示意图；
[0033]图中，1、酸性废水收集灌；2、碱性废水收集灌；3、含砷废水收集灌；4、含氟废水收集灌；5、有机废水收集灌；6、酸碱中和罐；7、两级除砷反应罐；701、一级氧化反应区；702、一级絮凝区；703、一级沉淀池；704、二级氧化反应区；705、二级絮凝区；706、二级沉淀池；707、排泥管；708、回调区；8、两级除氟反应罐；801、一级除氟反应区；802、一级氟絮凝沉淀区；803、一级氟沉淀池；804、二级除氟反应区；805、二级氟絮凝沉淀区；806、二级氟沉淀池；9、废水综合调理罐；10、MBR膜生物反应器；101、反硝化区；102、碳化区；103、硝化区；104、沉淀区；105、本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体废水处理方法，其特征在于，包括以下步骤：分类收集：将半导体废水分为酸性废水、碱性废水、含氟废水、含砷废水和有机废水进行收集；分质预处理：中和所述酸性废水和碱性废水，去除含砷废水中的三价砷和单质磷，去除含氟废水中的氟离子；MBR膜处理：将分质预处理后的酸性废水、碱性废水、含砷废水、含氟废水和有机废水进入MBR膜生物反应器，初步去除废水中的污染物；RO分离净化：将经MBR膜生物反应器处理后的废水进入RO分离净化器，去除废水中残余的杂质，得到干净的回收水。2.根据权利要求1所述的一种半导体废水处理方法，其特征在于，还包括将经RO分离净化器处理后的不满足回收标准的废水进入DTRO分离净化器进行分离浓缩得到浓缩液，并将不满足回收标准的浓缩液进入蒸发结晶系统或RO分离净化器进行再处理。3.根据权利要求1所述的一种半导体废水处理方法，其特征在于，所述分质预处理过程中，去除含砷废水中的三价砷和单质磷的方法为：以次氯酸钠或双氧水为氧化剂将三价砷氧化为五价砷，将单质磷氧化成磷酸盐，然后以PAC、PFS、PAM、有机硫中的一种或多种为絮凝剂，沉淀所述五价砷和磷酸盐。4.根据权利要求1所述的一种半导体废水处理方法，其特征在于，所述分质预处理过程中，去除含氟废水中氟离子的方法为：加入氯化钙、熟石灰和/或氢氧化钠生成氟化钙，以PAC、PFS、PAM、有机硫中的一种或多种为絮凝剂，沉淀所述氟化钙。5.一种如权利要求1所述半导体废水处理方法使用的半导体废水处理系统，其特征在于，包括酸性废水收集灌(1)、碱性废水收集灌(2)、含砷废水收集灌(3)、含氟废水收集灌(4)、有机废水收集灌(5)，与所述酸性废水收集灌(1)和碱性废水收集灌(2)连接的酸碱中和罐(6)，与所述含砷废水收集灌(3)连接的两级除砷反应罐(7)，与所述含氟废水收集灌(4)连接的两级除氟反应罐(8)，以及依次连接的废水中和调理罐(9)、MBR膜生物反应器(10)、RO分离净化器(11)和产水回用罐(12)。6.根据权利要求5所述的半导体废水处理系统，其特征在于，所述两级除砷反应罐(7)沿废水流向包括依次连通的一级氧化反应区(701)、一级絮凝区(702)、一级沉淀池(703)和依次连通的二级氧化反应区(704)、二级絮凝区(705)、二级沉淀池(706)；所述两级除氟反应罐(8)沿废水流向包括依次连通的一级除氟反应区(801)、一级氟絮凝沉淀区(802)、一级氟沉淀池(803)、二级除氟反应区(804)、二级氟絮凝沉淀区(805)、二级氟沉淀池(806)。7.根据权利要求5所述的半导体废水处理系统，其特征在于，所述MBR膜生物反应器(10)包括依次设置的反硝化区(101)、碳化区(102)、硝化区(103)、沉淀区(104)和外置式管式超滤单元(105)；所述RO分离净化器(11)的膜材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：冷超群，李红，李进，顾磊，吴德明，施卓，
申请(专利权)人：武汉天源环保股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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