衬底集成电容及其制备方法和OLT结构技术

本申请适用于半导体技术领域，提供了衬底集成电容及其制备方法和OLT结构，该衬底集成电容包括：衬底、第一贴片电容和第二贴片电容；第一贴片电容和第二贴片电容与衬底集成在一起；第一贴片电容设置于衬底的上表面，紧贴侧边；第二贴片电容设置于衬底的上表面，紧贴侧边，且与第一贴片电容紧贴的侧边一致；第一贴片电容和第二贴片电容共用一个电容负极，电容负极通过介质薄膜掩埋技术实现，第一贴片电容、衬底和电容负极组成第一滤波电容，第二贴片电容、衬底和电容负极组成第二滤波电容。本申请可以降低生产成本提高生产效率。申请可以降低生产成本提高生产效率。申请可以降低生产成本提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
衬底集成电容及其制备方法和OLT结构


[0001]本申请属于半导体
，尤其涉及衬底集成电容及其制备方法和OLT结构。

技术介绍

[0002]传统方案中衬底和两个电容均为独立个体，两个电容采用银胶贴装的工艺进行组合，两个电容在整个器件组成中起到滤波的作用，可以使器件眼图效果更好，使传输可以抗杂波干扰。但是传统方案生产的衬底电容在生产时步骤繁琐，生产线上的设备繁多，使得生产成本较高，衬底和电容在衬底集成电容的生产设备间的来回传输，使得生产效率较低。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了衬底集成电容及其制备方法和OLT结构，以降低生产成本提高生产效率。
[0004]本申请是通过如下技术方案实现的：
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种衬底集成电容，包括：衬底、第一贴片电容和第二贴片电容；
[0006]第一贴片电容和第二贴片电容与衬底集成在一起；
[0007]第一贴片电容设置于衬底的上表面，紧贴侧边；
[0008]第二贴片电容设置于衬底的上表面，紧贴侧边，且与第一贴片电容紧贴的侧边一致；
[0009]第一贴片电容和第二贴片电容共用一个电容负极，电容负极通过介质薄膜掩埋技术实现，第一贴片电容、衬底和电容负极组成第一滤波电容，第二贴片电容、衬底和电容负极组成第二滤波电容。
[0010]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，衬底的材料为Si。
[0011]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，衬底的材料的传热系数K大于等于150W/(m2·
K)。
[0012]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，衬底上表面设置有镀金层，镀金层的厚度大于0.4μm。
[0013]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，衬底侧面的垂直度设置为0.01。
[0014]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，第一贴片电容的电容值为100PF，第二贴片电容的电容值为100PF。
[0015]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，衬底的尺寸为1.90mm*1.65mm*0.92mm，衬底的尺寸的公差为0.02mm。
[0016]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，衬底集成电容使用蓝膜进行封装。
[0017]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，第一贴片电容的尺寸为0.30mm*0.30mm，第二贴片电容的尺寸为0.30mm*0.30mm，第一贴片电容和第二贴片电容尺寸的公差为0.02mm。
[0018]第一方面的有益效果是：将第一贴片电容和第二贴片电容与衬底集成在一起，减少了生产衬底电容经过贴片机的步骤，减少了贴片机这个设备的加入，使得生产衬底电容的成本降低，同时也避免了衬底和电容在贴片机之间来回传输的时间提高了衬底电容的生产效率。
[0019]第二方面，本申请实施例提供了一种OLT结构，包括：包括引脚、管座、衬底集成电容和管帽。引脚设置于管座的第一侧，与管座上的器件连接；衬底集成电容设置于管座的第二侧，与管座上的器件连接；第一侧与第二侧为不同侧；管帽罩设在管座上，与管座形成一个腔体，衬底集成电容设置于腔体中。
[0020]第三方面，本申请实施例提供了一种衬底集成电容制备方法，包括：
[0021]制作衬底集成电容的衬底，同时预留第一贴片电容的凹槽和第二贴片电容的凹槽，其中第一贴片电容的凹槽和第二贴片电容的凹槽均设置于衬底的上表面；
[0022]将第一贴片电容放置于第一贴片电容的凹槽，将第二贴片电容放置于第二贴片电容的凹槽，并将第一贴片电容、第二贴片电容和衬底集成在一起；
[0023]通过介质薄膜掩埋技术在衬底上表面制作第一贴片电容和第二贴片电容的共用电容负极。
[0024]第三方面的有益效果是：将第一贴片电容和第二贴片电容与衬底集成在一起，减少了生产衬底和电容经过贴片机的步骤，减少了贴片机这个设备的加入，使得生产衬底电容的成本降低，同时也避免了衬底和电容在贴片机之间来回传输的时间提高了衬底电容的生产效率。
[0025]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本说明书。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本申请一实施例提供的衬底集成电容的结构示意图；
[0028]图2是本申请一实施例提供的10G OLT结构的结构示意图；
[0029]图3是本申请一实施例提供的衬底集成电容制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0030]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0031]应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0032]还应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
[0033]如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
[0034]另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0035]在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
[0036]传统方案生产的衬底电容在生产时步骤繁琐，生产线上的设备繁多，使得生产成本较高，衬底和电容在衬底集成电容的生产设备间的来回传输，使得生产效率较低。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底集成电容，包括：衬底、第一贴片电容和第二贴片电容；所述第一贴片电容和所述第二贴片电容与所述衬底集成在一起；所述第一贴片电容设置于所述衬底的上表面，紧贴侧边；所述第二贴片电容设置于所述衬底的上表面，紧贴侧边，且与所述第一贴片电容紧贴的侧边一致；所述第一贴片电容和所述第二贴片电容共用一个电容负极，所述电容负极通过介质薄膜掩埋技术实现，所述第一贴片电容、衬底和所述电容负极组成第一滤波电容，所述第二贴片电容、衬底和所述电容负极组成第二滤波电容。2.如权利要求1所述的衬底集成电容，其特征在于，所述衬底的材料为Si。3.如权利要求1所述的衬底集成电容，其特征在于，所述衬底的材料的传热系数K大于等于150W/(m2·
K)。4.如权利要求1所述的衬底集成电容，其特征在于，所述衬底上表面设置有镀金层，所述镀金层的厚度大于0.4μm。5.如权利要求1所述的衬底集成电容，其特征在于，所述衬底侧面的垂直度设置为0.01。6.如权利要求1所述的衬底集成电容，其特征在于，所述第一贴片电容的电容值为100PF，所述第二贴片电容的电容值为100PF。7.如权利要求1所述的衬底集成电容，其特征在于，所述衬底的尺寸为1.90mm*1.65...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕怡凡，常巍，赵伟，牛江丽，
申请(专利权)人：河北杰微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：