微型半导体的焊线检测方法、检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种微型半导体的焊线检测方法、检测装置，所述方法包括：获取微型半导体的X射线图像，根据X射线图像获取微型半导体的焊线区域；对焊线区域进行焊线轨迹提取，获取焊线轨迹上每个像素点的坐标，形成坐标数据；根据对勾函数构建拟合曲线，根据坐标数据获取拟合曲线的拟合参数，根据拟合参数生成焊线轨迹曲线；根据焊线轨迹曲线判断检测焊线是否存在缺陷。本发明专利技术在微型半导体焊线轨迹的判定上抛弃原有僵化的模板形式，根据每个微型半导体的焊线轨迹的具体坐标，以函数拟合的方式提供了灵活精准的焊线轨迹曲线，为后续测算提供了稳定可靠的检测标准，且适配多种线型轨迹。且适配多种线型轨迹。且适配多种线型轨迹。

【技术实现步骤摘要】
微型半导体的焊线检测方法、检测装置


[0001]本专利技术涉及图像处理
，具体涉及一种微型半导体的焊线检测方法、检测装置。

技术介绍

[0002]半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，在消费、通信系统、医疗仪器等领域有广泛应用。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。微型半导体一般应用在手机、电脑等小型电子设备中，由于其体积微小以及封装的特性，半导体内部焊线的检测需要依靠X
‑
Ray（X
‑
射线）检测设备提供图像。
[0003]微型半导体的内部结构一般是多根焊线连接中间晶片与四周支架，其连接的质量直接决定了微型半导体传输性能。当焊线存在塌陷、断裂或异物干扰时就存在短路或断路的风险，因此针对每条焊线的形态检测是品质保证的重要一环。
[0004]目前的检测方式一般是：针对每款产品的焊线，创建一个或几个标准模板形状存储；检测时提取被检测产品的焊线区域，将标准模板焊线区域与被测区域匹配对准；匹配成功后进行比对，根据比对结果判定是否为不良产品。
[0005]然而，即使是同一种类产品，不同的产品的焊线的轨迹也存在明显的不同，且焊线轨迹的变化是连续的，即使创建多个标准模板也无法准确覆盖所有情况。当模板与产品相差达到一定程度（判定阈值）时便会判定为不良，因为产品焊线形状波动的特性，上述方法会造成大量误判；但如果将判定阈值调整得过于宽松，则无法识别焊线扭曲不良品，导致方法失效。

技术实现思路

[0006]为解决上述技术问题，本专利技术的第一个目的在于提出一种微型半导体的焊线检测方法。
[0007]本专利技术的第二个目的在于提出一种微型半导体的焊线检测装置。
[0008]本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术第一方面的实施例提出了一种微型半导体的焊线检测方法，包括以下步骤：获取微型半导体的X射线图像，根据所述X射线图像获取微型半导体的焊线区域；对所述焊线区域进行焊线轨迹提取，获取所述焊线轨迹上每个像素点的坐标，形成坐标数据；根据对勾函数构建拟合曲线，根据所述坐标数据获取拟合曲线的拟合参数，根据所述拟合参数生成焊线轨迹曲线；根据所述焊线轨迹曲线判断检测焊线是否存在缺陷;其中，采用以下公式（1）构建拟合曲线：
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（1）其中，y为像素点的y坐标，x为像素点的x坐标，a、b、c、d分别为第一拟合参数、第二
拟合参数、第三拟合参数和第四拟参数。
[0009]根据所述焊线轨迹曲线判断检测焊线是否存在缺陷，具体包括：采用以下公式（2）获取第一评价函数，采用以下公式（3）获取第二评价函数；判断所述第一评价函数的值是否大于第一设定阈值，并判断所述第二评价函数的值是否大于第二设定阈值；如果所述第一评价函数的值大于第一设定阈值且所述第二评价函数的值大于所述第二设定阈值，则判断所述微型半导体的焊线出现扭曲不良缺陷；
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（2）其中，为焊线轨迹上像素点i的x坐标，为焊线轨迹上像素点i的y坐标，为焊线轨迹曲线在处的值；
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（3）其中，为焊线轨迹上像素点i的x坐标，为焊线轨迹上像素点i的y坐标，为焊线轨迹曲线在处的值。
[0010]本专利技术上述提出的微型半导体的焊线检测方法还可以具有如下附加技术特征：根据本专利技术的一个实施例，采用U
‑
Net（一种图像语义分割网络）卷积神经网络获取所述微型半导体的焊线区域。
[0011]根据本专利技术的一个实施例，根据所述焊线轨迹曲线判断检测焊线是否存在缺陷，还包括：根据所述坐标数据计算所述焊线轨迹曲线在每个像素点的斜率；获取所述斜率的范围，如果所述斜率的范围大于设定范围，则判断所述微型半导体的焊线出现扭曲不良缺陷。
[0012]本专利技术第二方面的实施例提出了一种微型半导体的焊线检测装置，包括：获取模块，所述获取模块用于获取微型半导体的X射线图像，根据所述X射线图像获取微型半导体的焊线区域；提取模块，所述提取模块用于对所述焊线区域进行焊线轨迹提取，获取所述焊线轨迹上每个像素点的坐标，形成坐标数据；拟合模块，所述拟合模块用于根据对勾函数构建拟合曲线，根据所述坐标数据获取拟合曲线的拟合参数，根据所述拟合参数生成焊线轨迹曲线；判断模块，所述判断模块用于根据所述焊线轨迹曲线判断检测焊线是否存在缺陷；所述拟合模块具体采用以下公式（1）构建拟合曲线：
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（1）其中，y为像素点的y坐标，x为像素点的x坐标，a、b、c、d分别为第一拟合参数、第二拟合参数、第三拟合参数和第四拟参数。
[0013]所述判断模块具体用于：采用以下公式（2）获取第一评价函数，采用以下公式（3）获取第二评价函数；判断所述第一评价函数的值是否大于第一设定阈值，并判
断所述第二评价函数的值是否大于第二设定阈值；如果所述第一评价函数的值大于第一设定阈值且所述第二评价函数的值大于所述第二设定阈值，则判断所述微型半导体的焊线出现扭曲不良缺陷；
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（2）其中，为焊线轨迹上像素点i的x坐标，为焊线轨迹上像素点i的y坐标，为焊线轨迹曲线在处的值。
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（3）其中，为焊线轨迹上像素点i的x坐标，为焊线轨迹上像素点i的y坐标，为焊线轨迹曲线在处的值。
[0015]本专利技术上述提出的微型半导体的焊线检测装置还可以具有如下附加技术特征：根据本专利技术的一个实施例，所述获取模块采用U
‑
Net卷积神经网络获取所述微型半导体的焊线区域。
[0016]根据本专利技术的一个实施例，所述判断模块还用于：根据所述坐标数据计算所述焊线轨迹曲线在每个像素点的斜率；获取所述斜率的范围，如果所述斜率的范围大于设定范围，则判断所述微型半导体的焊线出现扭曲不良缺陷。
[0017]本专利技术的有益效果：本专利技术在微型半导体焊线轨迹的判定上抛弃原有僵化的模板形式，根据每个微型半导体的焊线轨迹的具体坐标，以函数拟合的方式提供了灵活精准的焊线轨迹曲线，为后续测算提供了稳定可靠的检测标准，且适配多种线型轨迹。
附图说明
[0018]图1是根据本专利技术一个实施例的微型半导体的焊线检测方法的流程图；图2是根据本专利技术一个具体示例的焊线区域的示意图；图3是根据本专利技术一个具体示例的焊线轨迹的示意图；图4是根据本专利技术一个实施的微型半导体的焊线结构剖面示意图；图5是根据本专利技术一个实施的焊线弧度的范围示意图；图6是根据本专利技术一个具体示例的坐标数据的拟合过程示意图；图7是根据本专利技术一个具体示例的焊线轨迹曲线的示意图；图8是根据本专利技术一个具体示例的残差图的示意图；图9是根据本专利技术一个实施例的微型半导体的焊线检测装置的方框示意图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型半导体的焊线检测方法，其特征在于，包括以下步骤：获取微型半导体的X射线图像，根据所述X射线图像获取微型半导体的焊线区域；对所述焊线区域进行焊线轨迹提取，获取所述焊线轨迹上每个像素点的坐标，形成坐标数据；根据对勾函数构建拟合曲线，根据所述坐标数据获取拟合曲线的拟合参数，根据所述拟合参数生成焊线轨迹曲线；根据所述焊线轨迹曲线判断检测焊线是否存在缺陷；其中，采用以下公式（1）构建拟合曲线： （1）其中，y为像素点的y坐标，x为像素点的x坐标，a、b、c、d分别为第一拟合参数、第二拟合参数、第三拟合参数和第四拟参数；根据所述焊线轨迹曲线判断检测焊线是否存在缺陷，具体包括：采用以下公式（2）获取第一评价函数L1，采用以下公式（3）获取第二评价函数L2；判断所述第一评价函数的值是否大于第一设定阈值，并判断所述第二评价函数的值是否大于第二设定阈值；如果所述第一评价函数的值大于第一设定阈值且所述第二评价函数的值大于所述第二设定阈值，则判断所述微型半导体的焊线出现扭曲不良缺陷；（2）其中，为焊线轨迹上像素点i的x坐标，为焊线轨迹上像素点i的y坐标，为焊线轨迹曲线在处的值；（3）其中，为焊线轨迹上像素点i的x坐标，为焊线轨迹上像素点i的y坐标，为焊线轨迹曲线在处的值。2.根据权利要求1所述的微型半导体的焊线检测方法，其特征在于，采用U
‑
Net卷积神经网络获取所述微型半导体的焊线区域。3.根据权利要求2所述的微型半导体的焊线检测方法，其特征在于，根据所述焊线轨迹曲线判断检测焊线是否存在缺陷，还包括：根据所述坐标数据计算所述焊线轨迹曲线在每个像素点的斜率；获取所述斜率的范围，如果所述斜率的范围大于设定范围，则判断所述微型半导体的焊线出现扭曲不良缺陷。4.一种微型半导体的焊线检测装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨雁清，
申请(专利权)人：无锡日联科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：