【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种实现纳米硅量子点可控掺杂的方法，包括以下步骤： 第一步、制备掺杂非晶硅单层膜－－将衬底材料放置在射频等离子体增强化学气相沉积设备反应腔内的接地金属板上，生长气源采用硅烷（ＳｉＨ↓［４］）与磷烷（ＰＨ↓［３］）或硼烷（Ｂ↓［２］Ｈ↓ ［６］）的混合气体，启动射频开关，在衬底材料上淀积１－１０ｎｍ厚的掺杂非晶硅单层膜，完成后关闭射频开关； 第二步、制备掺杂纳米硅量子点单层膜－－采用激光器发出的高能量激光束辐照第一步中衬底材料上淀积的掺杂非晶硅单层膜，引起掺杂非晶硅单 层膜中原子结构的重组，产生由非晶态到晶态的相变，并同时实现对纳米硅量子点的掺杂，获得含掺杂纳米硅量子点的单层膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐骏，宋超，陈谷然，黄信凡，李伟，陈坤基，马忠元，徐岭，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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