有机半导体元件、有机EL元件以及光电二极管制造技术

提供一种驱动电压较低的有机半导体元件、有机EL元件以及光电二极管。该有机半导体元件包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极间的空穴传输层以及活性层，所述空穴传输层包括第一空穴传输层及第二空穴传输层，所述第一空穴传输层位于比所述第二空穴传输层更靠近衬底一侧，所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层接触，并且从所述第一空穴传输层的GSP_slope(mV/nm)减去所述第二空穴传输层的GSP_slope(mV/nm)而得的值为10(mV/nm)以下。注意，GSP_slope(mV/nm)为在膜的表面电位为V(mV)且厚度为d(nm)的情况下由V/d表示的参数。的参数。的参数。

【技术实现步骤摘要】
有机半导体元件、有机EL元件以及光电二极管


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种有机化合物、有机半导体元件、发光元件、有机EL元件、光电二极管、显示模块、照明模块、显示装置、发光装置、电子设备、照明装置及电子器件。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。

技术介绍

[0002]使用有机化合物且利用电致发光(EL：Electroluminescence)的发光器件(有机EL元件)的实用化非常活跃。在这些有机EL元件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光材料的有机化合物层(EL层)。通过对该器件施加电压，注入载流子，利用该载流子的复合能量，可以获得来自发光材料的发光。
[0003]因为这种有机EL器件是自发光型EL元件，所以当用于显示器的像素时比起液晶有可见度更高、不需要背光源等优势。因此，该EL元件特别适合于平板显示器。此外，使用这种有机EL元件的显示器可以被制造成薄且轻，这也是极大的优点。而且，非常快的响应速度也是其特征之一。
[0004]此外，因为这种有机EL元件的发光层可以以平面状连续地形成，所以可以获得面发光。因为这是在以白炽灯、LED为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源中难以得到的特征，所以作为可用于照明等的面光源，上述有机EL元件的利用价值也高。
[0005]如上所述，可以将使用有机EL元件的显示器或照明装置适合用于各种各样的电子设备，为了追求具有更良好的特性的有机EL元件的研究开发日益活跃(例如参照非专利文献1)。
[0006][非专利文献1]野口裕及其他2名，“极性分子的取向极化现象及有机薄膜元件的界面特性”，Journal of the Vacuum Society of Japan，2015年，Vol.58，No.3

技术实现思路

[0007]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种驱动电压较低的有机半导体元件。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种驱动电压较低的有机EL元件。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种驱动电压较低的光电二极管。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗较低的发光装置、电子设备以及显示装置中的任一个。
[0008]本专利技术只要实现上述目的中的任一个即可。
[0009]本专利技术的一个方式是一种有机半导体元件，包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极间的空穴传输层以及活性层，所述空穴传输层包括第一空穴传输层
及第二空穴传输层，所述第一空穴传输层位于比所述第二空穴传输层更靠近衬底一侧，所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层接触，并且从所述第一空穴传输层的GSP_slope(mV/nm)减去所述第二空穴传输层的GSP_slope(mV/nm)而得的值为10(mV/nm)以下。
[0010]此外，本专利技术的另一个方式是一种有机半导体元件，包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极间的空穴传输层以及活性层，所述空穴传输层包括第一空穴传输层及第二空穴传输层，所述第一电极与晶体管电连接，所述第一空穴传输层位于比所述第二空穴传输层更靠近所述第一电极一侧，所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层接触，并且从所述第一空穴传输层的GSP_slope(mV/nm)减去所述第二空穴传输层的GSP_slope(mV/nm)而得的值为10(mV/nm)以下。
[0011]此外，本专利技术的另一个方式是一种有机半导体元件，包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极间的空穴传输层以及活性层，所述空穴传输层包括第一空穴传输层及第二空穴传输层，所述第一电极部分被绝缘体覆盖，所述第一空穴传输层位于比所述第二空穴传输层更靠近所述第一电极一侧，所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层接触，并且从所述第一空穴传输层的GSP_slope(mV/nm)减去所述第二空穴传输层的GSP_slope(mV/nm)而得的值为10(mV/nm)以下。
[0012]此外，本专利技术的另一个方式是一种有机半导体元件，包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极间的空穴传输层以及活性层，所述空穴传输层包括第一空穴传输层及第二空穴传输层，所述第一空穴传输层位于比所述第二空穴传输层更靠近设置有外部连接电极的绝缘层一侧，所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层接触，并且从所述第一空穴传输层的GSP_slope(mV/nm)减去所述第二空穴传输层的GSP_slope(mV/nm)而得的值为10(mV/nm)以下。
[0013]此外，本专利技术的另一个方式是一种具有上述结构的有机半导体元件，其中从所述第一空穴传输层的GSP_slope(mV/nm)减去所述第二空穴传输层的GSP_slope(mV/nm)而得的值小于0(mV/nm)。
[0014]此外，本专利技术的另一个方式是一种具有上述结构的有机半导体元件，其中所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层中的一个或两个包含单胺化合物。
[0015]此外，本专利技术的另一个方式是一种具有上述结构的有机半导体元件，其中所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层的厚度各自为20nm以上。
[0016]此外，本专利技术的另一个方式是一种有机半导体元件，包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极间的电子传输层以及活性层，所述电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层，所述第一电子传输层位于比所述第二电子传输层更靠近衬底一侧，所述第一电子传输层与所述第二电子传输层接触，并且从所述第一电子传输层的GSP_slope(mV/nm)减去所述第二电子传输层的GSP_slope(mV/nm)而得的值为
‑
10(mV/nm)以上。
[0017]此外，本专利技术的另一个方式是一种有机半导体元件，包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极间的电子传输层以及活性层，所述电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层，所述第一电极与晶体管电连接，所述第一电子传输层位于比所述第二电子传输层更靠近所述第一电极一侧，所述第一电子传输层与所述第二电子传输层接触，并且从所述第一电子传输层的GSP_slope(mV/nm)减去所述第二电子传输层的GSP_
slope(mV/nm)而得的值为
‑
10(mV/nm)以上。
[0018]此外，本专利技术的另一个方式是一种有机半导体元件，包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极间的电子传输层以及活性层，所述电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机半导体元件，包括：衬底上的第一电极及第二电极；以及所述第一电极与所述第二电极间的空穴传输层及活性层，其中，所述空穴传输层包括第一空穴传输层及第二空穴传输层，所述第一空穴传输层比所述第二空穴传输层更靠近衬底，所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层接触，从所述第一空穴传输层的巨大表面电位斜率减去所述第二空穴传输层的巨大表面电位斜率而得的值为10mV/nm以下，并且，所述巨大表面电位斜率为在膜的表面电位为V且厚度为d的情况下由V/d表示的参数。2.根据权利要求1所述的有机半导体元件，其中所述第一电极与晶体管电连接。3.根据权利要求1所述的有机半导体元件，其中外部连接电极在所述衬底上。4.一种有机半导体元件，包括：衬底上的第一电极及第二电极；以及所述第一电极与所述第二电极间的电子传输层及活性层，其中，所述电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层，所述第一电子传输层比所述第二电子传输层更靠近衬底，所述第一电子传输层与所述第二电子传输层接触，从所述第一电子传输层的巨大表面电位斜率减去所述第二电子传输层的巨大表面电位斜率而得的值为
‑
10mV/nm以上，并且，所述巨大表面电位斜率为在膜的表面电位为V且厚度为d的情况下由V/d表示的参数。5.根据权利要求4所述的有机半导体元件，其中所述第一电极与晶体管电连接。6.根据权利要求4所述的有机半导体元件，其中外部连接电极在所述衬底上。7.一种有机半导体元件，包括：衬底上的第一电极及第二电极；以及所述第一电极与所述第二电极间的空穴传输层、活性层以及电子传输层，其中，所述空穴传输层包括第一空穴传输层及第二空穴传输层，所述电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层，所述第一空穴传输层比所述第二空穴传输层更靠近衬底，所述第一电子传输层比所述第二电子传输层更靠近衬底，所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层接触，所述第一电子传输层与所述第二电子传输层接触，从所述第一空穴传输层的巨大表面电位斜率减去所述第二空穴传输层的巨大表面电位斜率而得的值为10mV/nm以下，

【专利技术属性】
技术研发人员：濑尾广美，渡部刚吉，大泽信晴，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：